【技术实现步骤摘要】
图像传感器
[0001]本技术涉及图像传感器
,特别是涉及一种图像传感器。
技术介绍
[0002]图像传感器是指将光信号转换为电信号的装置,通常大规模商用的图像传感器芯片包括电荷耦合器件(CCD)和互补金属氧化物半导体(CMOS)图像传感器芯片两大类。
[0003]CMOS图像传感器和传统的CCD传感器相比,具有低功耗,低成本和与CMOS工艺兼容等特点,因此得到越来越广泛的应用。现在CMOS图像传感器不仅用于消费电子领域,例如微型数码相机(DSC),手机摄像头,摄像机和数码单反(DSLR)中,而且在汽车电子,监控,生物技术和医学等领域也得到了广泛的应用。
[0004]CMOS图像传感器的像素单元是图像传感器实现感光的核心器件。最常用的像素单元为包含一个光电二极管和多个晶体管的有源像素结构。这些器件中光电二极管是感光单元,实现对光线的收集和光电转换,其它的MOS晶体管是控制单元,主要实现对光电二极管的选中,复位,信号放大和读出的控制。
[0005]CMOS图像传感器按照入射光进入光电二极管的路径不 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种图像传感器,其特征在于,所述图像传感器包括电路连接层、光学结构层以及位于所述电路连接层和所述光学结构层之间的半导体结构层;所述半导体结构层内具有呈阵列分布的多个感光像素区,所述感光像素区内设有感光元件;所述半导体结构层包括层叠设置第一半导体衬底和第二半导体衬底,所述第二半导体衬底设于所述第一半导体衬底远离所述电路连接层的一侧;所述第二半导体衬底中设有图案化的介质结构层,所述介质结构层包括若干个间隔排布的介质结构单元,所述介质结构单元朝向所述第一半导体衬底一侧的表面宽度大于所述介质结构单元远离所述第一半导体衬底一侧的表面宽度,以基于所述介质结构单元实现光路调制;所述半导体结构层内具有呈阵列分布的多个感光像素区,所述感光像素区内设有感光元件,每一所述感光像素区与所述介质结构单元对应。2.根据权利要求1所述的图像传感器,其特征在于,所述第二半导体衬底与所述第一半导体衬底采用不同的材料制成。3.根据权利要求1所述的图像传感器,其特征在于,所述介质结构单元在对应所述感光像素区的平面形状包括多...
【专利技术属性】
技术研发人员:孙赛,石文杰,
申请(专利权)人:思特威上海电子科技股份有限公司,
类型:新型
国别省市:
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