光接收元件、成像元件和成像装置制造方法及图纸

该光接收元件包括传感器基板(102)和电路板(101)。传感器基板(102)设置有光接收区域(103)、一对电压施加电极以及入射面电极(104)。光接收区域(103)将入射光光电转换为信号电荷。该对电压施加电极交替地施加电压以在光接收区域(103)中生成对信号电荷进行时间划分并且将信号电荷分配至一对电荷累积电极的电场。入射面电极(104)设置在光接收区域的光入射面上并且被施加接地电位或接地电位以下的电压。电路板(101)设置在传感器基板(102)的与光入射面相对的表面上。电路板(101)设置有由电荷累积电极累积的信号电荷的像素晶体管。由电荷累积电极累积的信号电荷的像素晶体管。由电荷累积电极累积的信号电荷的像素晶体管。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】光接收元件、成像元件和成像装置


[0001]本公开涉及光接收元件、成像元件和成像装置。

技术介绍

[0002]在使用间接飞行时间(ToF)方法的距离测量系统中使用的光接收元件包括多个光接收像素以矩阵排列的像素阵列。每个光接收像素包括：光接收区域，将入射光光电转换为信号电荷；以及一对电极，电压被交替地施加至该对电极以在光接收区域中生成对信号电荷进行时间划分并且将该信号电荷分配至一对电荷累积电极的电场。(例如，参照专利文献1)。
[0003]引用列表
[0004]专利文献
[0005]专利文献1：日本专利申请公开第2011
‑
86904号。

技术实现思路

[0006]本专利技术要解决的问题
[0007]然而，随着光接收像素变得更细，电荷收集效率降低。
[0008]因此，本公开提出了能够提高电荷收集效率的光接收元件、成像元件和成像装置。
[0009]问题的解决方案
[0010]根据本公开，提供了一种光接收元件。该光接收元件包括传感器基板和电路板。传感器基板设置有本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种光接收元件，包括：传感器基板，设置有：光接收区域，将入射光光电转换为信号电荷；一对电压施加电极，电压被交替地施加至所述一对电压施加电极以在所述光接收区域中生成对所述信号电荷进行时间划分并且将所述信号电荷分配至一对电荷累积电极的电场；以及入射面电极，设置在所述光接收区域中的光的入射面上并且被施加等于或小于接地电位的电压；以及电路板，设置有：像素晶体管，设置在所述传感器基板的与所述光的所述入射面相对的表面上并且处理在所述电荷累积电极中累积的所述信号电荷。2.根据权利要求1所述的光接收元件，其中，所述入射面电极是通过层压在所述光的所述入射面上的负固定电荷膜形成在所述入射面上的空穴累积层。3.根据权利要求1所述的光接收元件，其中，所述入射面电极是所述光的所述入射面掺杂有P型杂质的P型导电层。4.根据权利要求1所述的光接收元件，其中，所述入射面电极是层压在所述光的所述入射面上的无机电极膜。5.根据权利要求1所述的光接收元件，其中，所述入射面电极是具有透光性的膜厚度并且层压在所述光的所述入射面上的金属膜。6.根据权利要求1所述的光接收元件，进一步包括：像素分离区域，设置在以矩阵排列的多个所述光接收区域之间并且电分离相邻的所述光接收区域。7.根据权利要求6所述的光接收元件，其中，所述像素分离区域从所述光的所述入射面到达朝向所述光接收区域中的与所述入射面相对的表面的中间部分。8.根据权利要求7所述的光接收元件，其中，所述像素分离区域针对所述光接收区域中的每一个对多个所述光接收区域以矩阵排列的像素阵列进行划分，并且使所述像素分离区域电浮置。9.根据权利要求6所述的光接收元件，其中，所述像素分离区域从所述光的所述入射面到达所述传感器基板的与所述入射面相对的表面。10.根据权利要求9所述的光接收元件，其中，...

【专利技术属性】
技术研发人员：井本努，
申请(专利权)人：索尼半导体解决方案公司，
类型：发明
国别省市：