一种包含横向光电二极管的图像传感器件的制作方法技术

本发明专利技术公开了一种包含横向光电二极管的图像传感器件的制作方法，其通过制造锗硅混合晶圆来在锗硅混合晶圆上形成横向光电二极管，以形成的横向光电二极管来制造图像传感器件；锗硅混合晶圆由锗转移层和硅目标晶圆通过键合形成，硅目标晶圆的正面依次形成缓冲氧化层、研磨蚀刻阻挡层以及减反射层。通过采用可流动电介质材料来划分光电二极管阵列区域，结合可以精确控制掺杂参数的离子注入能够在光电二极管阵列区域中形成理想的光电二极管，其工艺流程简单且工艺参数都能得到精确控制。工艺流程简单且工艺参数都能得到精确控制。工艺流程简单且工艺参数都能得到精确控制。

【技术实现步骤摘要】
一种包含横向光电二极管的图像传感器件的制作方法


[0001]本专利技术属于半导体器件制造
，具体涉及一种包含横向光电二极管的图像传感器件的制作方法。

技术介绍

[0002]图像传感器被越来越多地应用至汽车工业、工程机械、农业及生命科学等领域中。相较于可见光感测图像传感器而言，短波红外(SWIR)图像传感器在夜视、雾天等低视觉环境下具有更好的穿透性和更高的灵敏度。
[0003]硅传感器的光谱响应被限制在波长1μm以内，其在近红外光谱中有着较低的光吸收效率。而锗传感器则在0.4μm～1.6μm范围内有着较好的光响应。由此产生了不少关于硅基锗(Ge
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on
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Si)短波红外图像传感器的研究。
[0004]外延生长法是一种现有的制作硅基锗的方法，即直接在硅衬底上生长锗层。但是由于硅和锗之间晶格失配度为4.2％(lattice mismatch)，失配能的累积会在二者界面产生失配位错(misfit dislocation)和穿透位错(threading dislocation)等缺陷。为了抑制此类本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种包含横向光电二极管的图像传感器件的制作方法，其特征在于，其通过制造锗硅混合晶圆来在锗硅混合晶圆上形成横向光电二极管，以形成的横向光电二极管来制造图像传感器件；锗硅混合晶圆由锗转移层和硅目标晶圆通过键合形成，硅目标晶圆的正面依次形成缓冲氧化层、研磨蚀刻阻挡层以及减反射层。2.根据权利要求1所述的包含横向光电二极管的图像传感器件的制作方法，其特征在于，其包括：提供一混合晶圆，所述混合晶圆由锗转移层和目标晶圆通过键合形成；在锗转移层的正面形成隔离沟道；采用可流动电介质材料填充所述隔离沟道；形成横向PIN光电二极管；去除残留的可流动电介质材料并抛光锗转移层的正面；提供硅电路晶圆，使横向PIN光电二极管借由互连层与硅电路晶圆相连；通过抛光和蚀刻以去除所述目标晶圆。3.根据权利要求1所述的包含横向光电二极管的图像传感器件的制作方法，其特征在于，在锗转移层的正面形成隔离沟道，相邻所述隔离沟道限定横向PIN光电二极管的阵列区域，阵列区域是图像传感器件的像素区域。4.根据权利要求3所述的包含横向光电二极管的图像传感器件的制作方法，其特征在于，隔离沟道将锗转移层的正面划分成多个的正方形区域，每个正方形区域中用于形成光电二极管。5.根据权利要求3所述的包含横向光电二极管的图像传感器件的制作方法，其特征在于，隔离沟道宽度范围为0.05μm到2μm，隔离沟道的深度为0.5μm到10μm。6.根据权利要求5所述的包含横向光电二极管的图像传感器件的制作方法，其特征在于，其具体包括以下步骤：S1：提供一混合晶圆，所述混合晶圆由锗转移层和目标晶圆通过键合形成；S2：在锗转移层的正面形成隔离沟道，相邻所述隔离沟道限定横向PIN光电二极管的阵列区域；S3：采用可流动电介质材料填充所述隔离沟道以使所述隔离沟道充满可流动电介质材料以及使锗转移层的正面被可流动电介质材料所覆盖；S4：减薄覆盖于锗转移层正面的可流动电介质材料；S5：在所述阵列区域中，在锗转移层的正面形成第一掩模，未被第一掩模覆盖的区域为第一开放区域；对第一...

【专利技术属性】
技术研发人员：李加，陈维，林子瑛，
申请(专利权)人：浙江兴芯半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：