光电转换装置以及照相机制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种光电转换装置以及照相机。所述光电转换装置包括元件隔离部和像素隔离部，所述元件隔离部设置在半导体层的正面侧并且由绝缘体构成。所述像素隔离部包括在法线方向上与隔离区域交叠的部分。所述半导体层在中间平面中跨越半导体区域连续。所述部分位于一个半导体区域与另一半导体区域之间。个半导体区域与另一半导体区域之间。个半导体区域与另一半导体区域之间。

【技术实现步骤摘要】
光电转换装置以及照相机
[0001]本申请是申请日为2017年3月29日，申请号为201710197850.9，专利技术名称为“光电转换装置以及照相机”的专利技术专利申请的分案申请。


[0002]本公开涉及一种光电转换装置。

技术介绍

[0003]已经对在用于照相机的光电转换装置(例如，互补金属氧化物半导体(complementary metal
‑
oxide semiconductor，CMOS)图像传感器)中的半导体层中配设沟槽进行了研究。由于由沟槽构成的隔离部用作光、电荷等的壁垒，因此灵敏度提高，并且抑制了混色(color mixing)。因此，能够提高光电转换性能。
[0004]日本特开2014
‑
204047号公报公开了一种由空间和绝缘体构成的元件隔离。空间和绝缘体设置在沟槽中。
[0005]对日本特开2014
‑
204047号公报中公开的沟槽的研究表明，光电转换单元的灵敏度会由于沟槽的布置而降低。

技术实现思路

[0006]实施例的一个公开本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种光电转换装置，所述光电转换装置包括：半导体层，具有第一面和第二面，所述第二面与所述第一面相对，其中，所述半导体层包括第一隔离部、设置第一光电转换元件的第一区域以及设置第二光电转换元件的第二区域，所述第一隔离部由第一沟槽构成且包括布置在所述第一沟槽中的第一绝缘体，所述第一沟槽配设在半导体层中并且穿过虚拟平面，所述虚拟平面比所述第一面更靠近所述第二面并且沿所述第二面配设，其中，所述第一光电转换元件、所述第一隔离部和所述第二光电转换元件按此顺序沿第一方向设置，其中，在平面视图中，所述第一隔离部的纵向沿与所述第一方向相交的虚拟线延伸，以及其中，所述半导体层包括用于向所述第一区域和所述第二区域中的阱供给电位的阱触点区域，所述阱触点区域位于所述平面视图中的所述虚拟线上。2.根据权利要求1所述的光电转换装置，其中，所述阱触点区域由第二隔离部围绕，所述第二隔离部包括在平面视图中设置在所述第一面侧上的第二绝缘体。3.根据权利要求1所述的光电转换装置，其中，所述第一区域和所述第二区域中的阱彼此连通。4.根据权利要求1所述的光电转换装置，其中，所述第一区域包括第一晶体管，所述第一晶体管包括设置在所述第一面上且被构造为从所述第一光电转换元件读取信号的第一栅极电极，所述第二区域包括第二晶体管，所述第二晶体管包括设置在所述第一面上且被构造为从所述第二光电转换元件读取信号的第二栅极电极。5.根据权利要求4所述的光电转换装置，所述光电转换装置还包括第二隔离部，所述第二隔离部包括设置在所述第一面侧的第二绝缘体，其中，所述第一栅极电极设置在所述第二隔离部上。6.根据权利要求1所述的光电转换装置，其中，所述半导体层包括第三隔离部、设置第三光电转换元件的第三区域以及设置第四光电转换元件的第四区域，所述第三隔离部由第三沟槽构成且包括布置在所述第三沟槽中的第三绝缘体，所述第三沟槽配设在半导体层中并且穿过所述虚拟平面，其中，所述第三光电转换元件、所述第三隔离部和所述第四光电转换元件按此顺序沿第二...

【专利技术属性】
技术研发人员：浮贺谷信贵，桑原英司，
申请(专利权)人：佳能株式会社，
类型：发明
国别省市：