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本发明公开了一种包含横向光电二极管的图像传感器件的制作方法，其通过制造锗硅混合晶圆来在锗硅混合晶圆上形成横向光电二极管，以形成的横向光电二极管来制造图像传感器件；锗硅混合晶圆由锗转移层和硅目标晶圆通过键合形成，硅目标晶圆的正面依次形成缓冲氧...
该专利属于浙江兴芯半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过浙江兴芯半导体有限公司授权不得商用。

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