屏蔽栅极沟槽金属氧化物半导体场效应晶体管制造技术

本公开涉及一种屏蔽栅极沟槽(SGT)金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)。根据本公开的SGT MOSFET包括：衬底；第一外延层，设置在衬底上方；第二外延层，设置在第一外延层上方；沟道区域，设置在第二外延层上方；源极区域，设置在沟道区域上方；沟槽，在纵向方向上穿过源极区域、沟道区域、第二外延层延伸到第一外延层中，沟槽中填充有介质层，在介质层中设置有控制栅极和屏蔽栅极；以及缓冲区域，其在第一外延层中设置在沟槽下方，在横向方向上缓冲区域的尺寸大于沟槽的尺寸。根据本公开的SGT MOSFET，通过在沟槽下方引入尺寸大于沟槽的缓冲区域，可以在SGT MOSFET的纵向电场中形成峰谷形分布，从而有效地提高SGT MOSFET的耐压能力并且降低比导通电阻。力并且降低比导通电阻。力并且降低比导通电阻。

【技术实现步骤摘要】
屏蔽栅极沟槽金属氧化物半导体场效应晶体管


[0001]本公开涉及半导体的
，特别地，本公开涉及一种屏蔽栅极沟槽(Shield Gate Trench，SGT)金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)。

技术介绍

[0002]功率金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)因其结构简单、便于制造和性能优异而被广泛应用于功率转换器和电源中。根据耐压能力不同，功率MOSFET被分为高压、中压和低压三种类型。在低压类型的功率MOSFET中，屏蔽栅极沟槽(SGT)MOSFET因具有较低的比导通电阻、较小的静动态损耗和较高的开关速度而得到广泛的关注。

技术实现思路

[0003]在下文中给出了关于本公开的简要概述，以便提供关于本公开的某些方面的基本理解。但是，应当理解，此概述并非关于本公开的穷举性概述，也非意在确定本公开的关键性部分或重要部分，更非意在限定本公开的范围。此概述的目的仅在于以简化的形式给出关于本公开的某些专利技术构思，以此作为稍后给出的更详细的描述的前序。
[0004]本公开的目的在于提供一种能够进一步提高耐压本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种屏蔽栅极沟槽金属氧化物半导体场效应晶体管，包括：衬底；第一外延层，设置在所述衬底上方；第二外延层，设置在所述第一外延层上方；沟道区域，设置在所述第二外延层上方；源极区域，设置在所述沟道区域上方；沟槽，在纵向方向上穿过所述源极区域、所述沟道区域、所述第二外延层延伸到所述第一外延层中，所述沟槽中填充有介质层，在所述介质层中设置有控制栅极和屏蔽栅极；以及缓冲区域，其在所述第一外延层中设置在所述沟槽下方，在横向方向上所述缓冲区域的尺寸大于所述沟槽的尺寸。2.根据权利要求1所述的屏蔽栅极沟槽金属氧化物半导体场效应晶体管，其中，所述缓冲区域具有椭圆形、矩形或梯形的截面。3.根据权利要求1或2所述的屏蔽栅极沟槽金属氧化物半导体场效应晶体管，其中，所述缓冲区域通过离子注入工艺形成。4.根据权利要求1或2所述的屏蔽栅极沟槽金属氧化物半导体场效应晶体管，其中，所述缓冲区域不与所述衬底相接。5.根据权利要求1或2所述的屏蔽栅极沟槽金属氧化物半导体场效应晶体管，其中，所述控制栅极设置在所述屏蔽栅极的上方。6.根据权利要求1或2所述的屏蔽栅极沟槽金属氧化物半导体场效应晶体管，其中，所述控制栅极设置在所述屏蔽栅极的两侧。7.根据权利要求1所述的屏蔽栅极沟槽金属氧化物半导体场效应晶体管，其中，所述衬底、第一外延层、所述第二外延层和所述缓冲区域掺杂有第一导电类型的杂质，其中，所述衬底的掺杂浓度大于所述第一外延层的掺杂浓度，其中，所述第一外延层的掺杂浓度大于所述第二外延层的掺杂...

【专利技术属性】
技术研发人员：安俊杰，金波，
申请(专利权)人：无锡锡产微芯半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：