【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种屏蔽栅功率器件，尤其是一种具有低漏电及快恢复能力的屏蔽栅功率器件。
技术介绍
1、sgt（shield gate trench，屏蔽栅极沟槽）功率器件是一种新型的功率半导体器件，与传统功率半导体器件相比，具有低导通损耗及低开关损耗的优点。sgt功率器件可包括sgt mosfet器件以及sgt igbt（insulated gate bipolar transistor）器件，其中，sgtmosfet（metal-oxide- semiconductor field-effect transistor）器件作为开关器件应用广泛，能够起到优秀的功率控制效果。
2、现有的sgt功率器件的元胞，一般由屏蔽栅和控制栅两部分组成，sgt功率器件导通时，漏极电流顺着sgt沟槽的纵向侧壁，在体区表面形成反型层沟道。当源极加正偏压时，电子沿反型层沟道，从源区传输到漏区。电子从源区通过沟道后，进入槽栅底部的外延区，然后在整个有源区的宽度内展开。
3、为了提高sgt功率器件的反向恢复效率以及反向恢复能力，目前多在有源...
【技术保护点】
1.一种具有低漏电及快恢复能力的屏蔽栅功率器件，其特征是，所述屏蔽栅功率器件包括：
2.根据权利要求1所述具有低漏电及快恢复能力的屏蔽栅功率器件，其特征是，在类二极管沟槽内，槽内第二电极体的宽度大于槽内第一电极体的宽度；
3.根据权利要求1所述具有低漏电及快恢复能力的屏蔽栅功率器件，其特征是，在有源区内，至少在所述类肖特基二极管的一侧设置自隔离单元，其中，
4.根据权利要求3所述具有低漏电及快恢复能力的屏蔽栅功率器件，其特征是，在有源区内，自隔离沟槽的槽深与类二极管沟槽的槽深相一致；
5.根据权利要求3所述具有低漏电及快...
【技术特征摘要】
1.一种具有低漏电及快恢复能力的屏蔽栅功率器件，其特征是，所述屏蔽栅功率器件包括：
2.根据权利要求1所述具有低漏电及快恢复能力的屏蔽栅功率器件，其特征是，在类二极管沟槽内，槽内第二电极体的宽度大于槽内第一电极体的宽度；
3.根据权利要求1所述具有低漏电及快恢复能力的屏蔽栅功率器件，其特征是，在有源区内，至少在所述类肖特基二极管的一侧设置自隔离单元，其中，
4.根据权利要求3所述具有低漏电及快恢复能力的屏蔽栅功率器件，其特征是，在有源区内，自隔离沟槽的槽深与类二极管沟槽的槽深相一致；
5.根据权利要求3所述具有低漏电及快恢复能力的屏蔽栅功率器件，其特征是，对自隔离单元，还包括位于自隔离沟槽外侧的隔离单元第一导电类型源...
【专利技术属性】
技术研发人员：安俊杰，金波，朱琦，陈宗琪，
申请(专利权)人：无锡锡产微芯半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：
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