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本发明涉及一种屏蔽栅功率器件，尤其是一种具有低漏电及快恢复能力的屏蔽栅功率器件。按照本发明提供的技术方案，一种具有低漏电及快恢复能力的屏蔽栅功率器件，所述屏蔽栅功率器件包括：半导体基板，呈第一导电类型；有源区，分布于半导体基板的中心区域，包...
该专利属于无锡锡产微芯半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过无锡锡产微芯半导体有限公司授权不得商用。

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