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本公开涉及一种屏蔽栅极沟槽(SGT)金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)。根据本公开的SGT MOSFET包括：衬底；第一外延层，设置在衬底上方；第二外延层，设置在第一外延层上方；沟道区域，设置在第二外延层上方；源极区域，设置在沟道...
该专利属于无锡锡产微芯半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过无锡锡产微芯半导体有限公司授权不得商用。

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