一种实时控制NEAGaN电子源扩散长度的方法技术

本发明专利技术提供一种实时控制NEAGaN电子源扩散长度的方法，具体为：建立一个目标扩散长度与温度相对应，通过改变温度实现扩散长度实时可变的模型。输入目标偏离值s、目标扩散长度L和标定需要的数据数量m；获取NEAGaN电子源当前的扩散长度L0，所处环境的温度T0，然后在此温度下多次测量获得m组扩散长度数据，将上述m组数据代入模型公式中，拟合得到常数μ0和τ0，将标定好的常数以及目标扩散长度L代入模型公式中，计算得到温度T1；设定NEAGaN电子源温度为T1，测量其实际扩散长度L1并计算偏离值s1，若s1小于s，则输出温度T＝T1，反之，则根据T1和L1继续标定μ1和τ1，计算温度T2，测量T2下的L2，比较偏离值s2和s。循环往复，直至s

【技术实现步骤摘要】
一种实时控制NEA GaN电子源扩散长度的方法


[0001]本专利技术涉及一种方法，具体涉及一种实时控制NEA GaN电子源扩散长度的方法。

技术介绍

[0002]GaN作为第三代半导体材料，具有耐腐蚀、耐高温、抗辐射等优良特性。NEA GaN光阴极具有量子效率高、禁带宽度宽、物理化学性质稳定、发射电子能量分布集中等优点，是高性能的紫外光阴极。光阴极由激光控制，可以产生超短、高峰值亮度、低发射度的高品质电子束，相比传统的热发射和场致发射电子源，光阴极是非常理想的电子源。
[0003]根据现有的技术，在不同应用需求下，要改变NEA GaN电子源的量子效率需要更换材料并重新激活，这种方法步骤繁琐，操作复杂，控制单一且精度难把握，实验效率低。
[0004]从NEA GaN电子源的量子效率计算公式中可以看出，NEA GaN电子源的扩散长度会直接影响量子效率的值。在不同的NEA GaN电子源的量子效率需求下，通过控制扩散长度可以间接控制量子效率，从而实现在不改变NEA GaN电子源材料的情况下实时控制NEA GaN电子源的量子效率。...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种实时控制NEA GaN电子源扩散长度的方法，其特征在于，建立了一个目标扩散长度与温度相对应的模型。2.一种实时控制NEA GaN电子源扩散长度的方法，其特征在于，推导出了模型公式：T＝L2e/kμτ。3.一种实时控制NEA GaN电子源扩散长度的方法，其特征在于，包括如下步骤：(1)输入目标偏离值s、目标扩散长度L和标定需要的数据数量m；(2)获取NEA GaN电子源当前的扩散长度L0，所处环境的温度T0，在T0温度下多次测量获得m组扩散长度数据；(3)将上述m组数据代入模型公式中：T0＝L
012
e/kμτ...T0＝L
0m2
e/kμτ。(4)拟合得到常数μ0和τ0；(5)将标定好的常数以及目标扩散长度L代入模型公式中，计算得到温度T1：T1＝L2e/kμ0τ0。(6)设定NEA GaN电子源温度为T1，测量其实际扩散长度L1并计算偏离值s1，若s1小于s，则输出温度T＝T1，反之，则根据T1和L1继续标定μ1和τ1，计算温度T2，测量T2下的L2，比较偏离值s2和s；(7)循环往复，直至s
n
小于s，输出对应L的最佳温度T＝T
n
，达到实时控制扩散长度的目的。4.如权利要求3所述的一种实时控...

【专利技术属性】
技术研发人员：张依辰，王晓晖，全卓艺，李嘉璐，
申请(专利权)人：电子科技大学，
类型：发明
国别省市：