一种实时控制NEAGaN电子源反射率的方法技术

本发明专利技术提供一种实时控制NEAGaN电子源反射率的方法。具体方法为：建立反射率随温度变化的公式以及NEAGaN电子源反射率实时可变的模型；确定目标反射率R和工作时的入射光波长λ和初始偏离值s；获取工作温度T0以及当前NEAGaN电子源的反射率R0；将目标参数输入到温度校准模型，计算输出目标温度T1；获取温度为T1时NEAGaN电子源的反射率R1并计算偏离度s1，若s1小于偏离值s，输出温度T＝T1，若s1大于偏离值s，则根据T1、R1进行下一次修正，再次计算得到温度T2与偏离度，并与设定值进行比较。根据如上步骤校准温度，直至s

【技术实现步骤摘要】
一种实时控制NEA GaN电子源反射率的方法


[0001]本专利技术涉及半导体材料
，尤其涉及一种实时控制NEA GaN电子源反射率的方法。

技术介绍

[0002]GaN作为第三代半导体的典型代表。具有宽带隙、高饱和漂移速度、高量子效率和低噪声等突出优点，是大功率、高温、高频、抗辐照应用场合下极为理想的半导体材料。NEA GaN基光电阴极具有量子效率高、稳定性好、发射电子能量分布集中等优点，是高性能的新型光电阴极。
[0003]反射率作为GaN光电阴极光学特性的一个重要参数，可以直接影响量子效率。在一些对阴极材料的稳定性要求很高的应用场景下，需要电子源稳定维持特定的量子效率，而通过调节反射率的大小可以实现上述目的，因此实现反射率的实时控制非常重要。
[0004]目前实现特定反射率的方法只有重新激活或者更换材料等方法，操作复杂、成本高以及稳定性差，且不能实时进行控制，控制精度也不好把握，并不能很好的实现上述目的。

技术实现思路

[0005]为解决现有技术中存在的问题，本专利技术提供一种实时控制NEA GaN电本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种实时控制NEA GaN电子源反射率的方法，其特征在于建立反射率随温度变化的公式以及NEA GaN电子源反射率实时可变的模型。2.根据权利要求1所述的一种实时控制NEA GaN电子源反射率的方法，其特征在于：所述反射率对应的温度公式为述反射率对应的温度公式为为平均反射率，为常数；C
th
为热反射系数。3.一种实时控制NEA GaN电子源反射率的方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤1、确定目标反射率R、工作时的入射光波长λ和初始偏离值s；步骤2、获取工作温度T0以及当前NEA GaN电子源的反射率R0；步骤3、将目标参数输入到温度校准模型，计算输出目标温度T1；步骤4、获取温度为T1时NEA GaN电子源的反射率R1；步骤5、计算反射率R1与目标反射率R的偏离度s1；步骤6、将偏离度s1与设定值s进行比较，若s1小于设定值s，输出温度T＝T1，若s1大于设定值s，则根据T1、R1进行下一次修正，计算得到温度T2与偏离度s2，并与设定值s进行比较。根据如上步骤校准温度，直至s
n
小于设定值s，输出目标R对应的最优温度T，达到实时控...

【专利技术属性】
技术研发人员：李嘉璐，王晓晖，张依辰，全卓艺，
申请(专利权)人：电子科技大学，
类型：发明
国别省市：