一种氧化镁次级发射体的制备方法技术

技术编号:30306543 阅读:43 留言:0更新日期:2021-10-09 22:43
本发明专利技术公开来了一种氧化镁次级发射体的制备方法,本发明专利技术以金属镍、银、银镁合金作为靶材材料,交替溅射在发射极表面获得复合过渡层。然后将复合过渡层的基体发射极与可挥发有机镁盐和氧化铝粉制成的蒸发源分别放入真空设备中,抽真空后,对蒸发源加热至200℃~300℃,对基体发射极加热至600℃~900℃,再充入氧气和氮气,使发射极表面的复合层在氧气氛围中敏化,同时使镁盐在发射极表面分解并与氧气反应生成氧化镁直接附着在基体表面,即制成氧化镁次级发射体。本发明专利技术铯束管用电子倍增器的次级发射体的制作方法,制得的氧化镁膜更加致密和牢固,装配此次级发射体的电子倍增器能满足铯束管长时间连续使用的要求和铯束管的寿命要求。命要求。命要求。

【技术实现步骤摘要】
一种氧化镁次级发射体的制备方法
[0001]

[0002]本专利技术涉及电子倍增器,具体涉及一种磁选态铯束管用电子倍增器的次级发射体的制作方法。

技术介绍

[0003]铯原子钟是导航定位系统及深空探测器中衡量空间定位精度的的关键设备,应用于高速通信网等地、海、空、天测控与通讯系统。电子倍增器是铯原子钟最为重要的部件,直接决定了铯原子钟的使用寿命、主要技术性能指标以及可靠性等。长期以来,电子倍增器一直未解决的使用寿命短的问题严重制约了铯原子钟工程化应用,根本原因在于现有电子倍增器增益低,且次级发射体在轰击能量较高的离子或较强电子束流长期作用下耐轰击能力弱,增益衰减过快。
[0004]电子倍增器主要由电子倍增系统与分压器共两个部分组成,工作时利用电场加速由前级次级发射体发射出的次级电子,使其进入后级次级发射体激发出更多次级电子,实现电子束流逐级放大,从而保证铯原子钟的准确度、信噪比等性能指标。其中,分压器由一串电阻组成,作用是为电子倍增系统提供加速电场,结构相对简单,其设计与加工技术已经非常成熟。
[0005]电子倍增系统是电子倍增器本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种氧化镁次级发射体的制备方法,其特征在于,包括如下步骤:(1)复合过渡层的制备(1.1)将加工好的无磁不锈钢发射极基底放置磁控溅射台中;(1.2)将发射极基底衬底加热;(1.3)通入氩气与氧气,在无磁不锈钢发射极基底上磁控溅射镍层;(1.4)在发射极基底制备镍层基础上再磁控溅射纯银层;(1.5)在发射极基底制备银层基础上,再磁控溅射银镁合金层;(1.6)将制备好复合过渡层的无磁不锈钢发射极基底冷却至室温,取出,待用;(2)氧化镁次级发射层制备(2.1)将可恢复的有机镁盐乙酰丙酮镁与氧化铝粉末充分研磨混合均匀后制备成蒸发源后倒入石英杯(1)中;(2.2)将步骤(1)制备好复合过渡层的发射极基底置于陶瓷支架(8)上,然后放置于工键盘(2)处;(2.3)用玻璃钟罩(3)将蒸发源和发射极基置于封闭腔体中,并开启真空系统(4),抽真空;(2.4)待真空度达到要求后,开启中频线圈(5)将石墨(6)加热到微红;(2.5)待石墨(6)变回黑色,且真空度达到要求后,关闭真空系统(4)中的分子泵,仅保留干泵工作;(2.6)开启电炉丝(7)对蒸发源加热;(2.7)再次开启中频线圈(5)对发射极基底加热;(2.8)再充入氧气和氮气;(2.9)保持一段反应时间,得到;(3)倍增极发射体的组装将步骤(2)制备有氧化镁次级发射层的发射极基底与盒栅式倍增极基底进行组合,组装得到倍增极发射体。2.根据权利要求1所述的一种氧化镁次级发射体的制备方法,其特征在于,包括如下步骤:(1)复合过渡层的制备(1.1)将加工好的无磁不锈钢发射极基底放置磁控溅射台中;(1.2)将发射极基底衬底温度加热至500℃;(1.3)通入1:10比的氩气与氧气,在无磁不锈钢发射极基底上磁控溅射镍层,厚度为100
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~200
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;(1.4)在制备镍层基础上磁控溅射纯银层,厚度为500
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~1000
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;(1.5)在制备银层基础上,磁控溅射银镁合金层,厚度为200
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~1000
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;(1.6)将制备好复合过渡层的无磁不锈钢发射极基底冷却至室温,取出,待用;(2)氧化镁次级发射层制备(2.1)将可恢复的有机镁盐乙酰丙酮镁与氧化铝粉末充分研磨混合均匀后制备成蒸发源后倒入石英杯(1)中;(2.2)将步骤(1)制备好复合过渡层的发射极基底置于陶瓷支架(8)上,然后放置于工
键盘(2)处;(2.3)用玻璃钟罩(3)将蒸发源和发射极基底置于封闭腔体中,并开启真空系统(4),抽真空;(2.4)待真空度达到5
×
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‑4Pa后,开启中频线圈(5)将石墨(6)加热到微红;(2.5)待石墨(6)变回黑色,且真空度回到5
×
10
‑4Pa后,关闭真空系统(4)中的分子泵,仅保留干泵工作;(2.6)开启电炉丝(7)对蒸发源加热,加热温度至200℃~300℃之间;(2.7)再次开启中频线圈(5)对发射极基底加热,加热温度至600℃~900℃之间;(...

【专利技术属性】
技术研发人员:王浩东李诚迪芮杰邓涛张杰
申请(专利权)人:南京三乐集团有限公司
类型:发明
国别省市:

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