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本发明公开来了一种氧化镁次级发射体的制备方法，本发明以金属镍、银、银镁合金作为靶材材料，交替溅射在发射极表面获得复合过渡层。然后将复合过渡层的基体发射极与可挥发有机镁盐和氧化铝粉制成的蒸发源分别放入真空设备中，抽真空后，对蒸发源加热至200...
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