一种对输入模式不敏感的波导型高响应探测器制造技术

本发明专利技术涉及一种对输入模式不敏感的波导型高响应探测器，其特征在于，自下而上包括衬底硅层、氧化硅埋氧层、硅平板波导；所述硅平板波导上方并排设有第一金属电极、锗波导及第二金属电极；其中所述硅平板波导的一侧设有输入波导。本发明专利技术打破了传统波导型探测器输入模式为基模的局限，实现了对输入模式不敏感的探测器。器。器。

【技术实现步骤摘要】
一种对输入模式不敏感的波导型高响应探测器


[0001]本专利技术属于探测器领域，特别涉及一种对输入模式不敏感的波导型高响应探测器。

技术介绍

[0002]硅基光电子技术是将微电子领域低成本、批量化、高集成度的大规模集成电路制造技术与光电子芯片的大带宽、高速率和高抗干扰能力等优势结合起来的一种新兴技术。锗探测器作为硅基光电子学中的重要器件之一，主要实现的功能是将接收到的光信号转化为相应的电信号。在过去的几十年里，人们对锗探测器进行了广泛的研究。空间光入射型探测器由于存在着响应度(用来表征探测器将光转化为电的能力)和电学带宽之间的相互制约关系，逐渐不能满足现代高速通信的要求。波导型探测器不存在上述问题，并且能够实现更加紧凑的结构而更收研究者们的青睐。
[0003]目前，人们着重提高探测器的响应度、带宽、暗电流、灵敏度等方面的特性。很少考虑和研究对输入模式不敏感的波导型探测器，或者说现阶段的探测器多不支持多模输入的。这就造成探测器的应用场景局限在基模输入，很难用于实现具有高响应度、具有平顶传输特性的高速光模块接收端。/>
技术实现思路
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种对输入模式不敏感的波导型高响应探测器，其特征在于，自下而上包括衬底硅层、氧化硅埋氧层、硅平板波导；所述硅平板波导上方并排设有第一金属电极、锗波导及第二金属电极；其中所述硅平板波导的一侧设有输入波导。2.根据权利要求1所述探测器，其特征在于，所述硅平板波导和金属电极之间设有金属通孔。3.根据权利要求1所述探测器，其特征在于，所述硅平板波导表面设有氧化硅包层。4.根据权利要求1所述探测器，其特征在于，所述输入波导为长方体或正方体。5.根据权利要求1所述探测器，其特征在于，所述输入波导的宽度大于或等于3μm。6.一种对输入模式不敏感的波导型高响应探测器的制备方法，包括：(1)从下而上为衬底硅层、氧化硅埋氧层、顶层硅层的SOI衬底；(2)刻蚀顶层硅，形成输入波导和平板波导结构；(3)在...

【专利技术属性】
技术研发人员：武爱民，吴龙生，冯大增，吕东升，
申请(专利权)人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所，
类型：发明
国别省市：