一种纳米线-薄膜结构紫外探测器及其制备方法技术

本发明专利技术公开一种纳米线

【技术实现步骤摘要】
一种纳米线
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薄膜结构紫外探测器及其制备方法


[0001]本专利技术属于纳米器件制造
，具体涉及一种纳米线
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薄膜结构紫外探测器及其制备方法。

技术介绍

[0002]紫外光电探测器通过将紫外光信号转换为电信号，已广泛应用于许多领域。紫外光电探测器包括成像传感器、先进通信、臭氧传感、空气净化、泄漏检测和医学检测等。近年来，氧化镓（Ga2O3）因其合适的带隙(≈4.9 eV)和良好的热稳定性和化学稳定性而成为最受欢迎的紫外光电探测器材料之一。
[0003]最近，紫外光电探测器中的光伏型探测器由于其能够在自供电模式下运行而被广泛研究。与传统的光电导光电探测器相比，自供电光电探测器是节能的更好选择。通常，自供电光电探测是通过PN结、异质结和肖特基结的光伏效应实现的物质探测的，当基于异质结的器件暴露在紫外光下时，PN结区的内置电场产生驱动力，使光生载流子快速分离，可将紫外辐射直接转化为电能。
[0004]尽管，一些研究者在研究开发各种基于PN结、异质结和肖特基结的紫外光电探测器做过众多尝试。然而，本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种基于纳米线
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薄膜结构的紫外探测器，其特征在于，其包括衬底和Ga2O3纳米线阵列，衬底为P型GaN外延晶片，衬底的基底为Al2O3，P型GaN薄膜层厚度为3μm~10μm；P型GaN薄膜层上生长有N型Ga2O3纳米线。2.根据权利要求1所述的一种纳米线
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薄膜结构紫外探测器，其特征在于，N型Ga2O3纳米线阵列中的N型Ga2O3纳米线与P型GaN薄膜层之间形成异质PN结。3.一种基于纳米线
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薄膜结构的紫外探测器的制备方法，其特征在于，其包括以下步骤：S1、对衬底进行标准清洗；S2、利用光刻技术和掩膜，在衬底上区域选择性地镀一层图案化纳米Au薄膜作为催化剂，以获得图案化的Ga2O3纳米线阵列；S3、在其特征在于，衬底上生长N型Ga2O3纳米线阵列，获得Ga2O3纳米线
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GaN薄膜PN结；S4、在GaN薄膜层上设置P型欧姆电极；S5、旋涂绝缘层并固化；S6、刻蚀部分绝缘层使纳米线露出上方部分和P型欧姆电极；S7、在其特征在于，绝缘层上表面溅射一层纳米金属薄膜；S8、在其特征在于，纳米金属薄膜上设置N型欧姆电极。4.根据权利要求3所述的一种基于纳米线
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薄膜结构的紫外探测器的制备方法，其特征在于，步骤S2中制备区域选择性的图案化Au薄膜这一步骤具体为：通过光刻技术，包括匀胶，曝光和显影，在衬底上得到一层带有孔洞图案的光刻胶，再利用掩膜，在经过光刻的衬底上镀一层厚度为1
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20nm的Au，之后用丙酮去除光刻胶，得到图案化的Au薄膜。5.根据权利要求3所述的一种基于纳米线
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薄膜结...

【专利技术属性】
技术研发人员：陆文强，李国威，
申请(专利权)人：中国科学院重庆绿色智能技术研究院，
类型：发明
国别省市：