【技术实现步骤摘要】
母线和叉指换能器指状物端部之间具有窄间隙的横向激励薄膜体声波谐振器
[0001]本公开涉及使用声波谐振器的射频滤波器,尤其涉及用于通信设备中的滤波器。
技术介绍
[0002]射频(RF)滤波器是双端器件,其被配置为通过一些频率,阻止其它频率,其中“通过”意味着以相对低的信号损耗进行传输,而“阻止”意味着阻塞或基本上衰减。滤波器通过的频率范围称为滤波器的“通带”。由这种滤波器阻止的频率范围称为滤波器的“阻带”。典型的RF滤波器具有至少一个通带和至少一个阻带。通带或阻带的具体要求取决于具体应用。例如,“通带”可以定义为一个频率范围,其中滤波器的插入损耗优于诸如1dB、2dB或3dB的定义值。“阻带”可以定义为一个频率范围,其中滤波器的抑制大于定义值,例如20dB、30dB、40dB或更大的值,这取决于具体的应用。
[0003]RF滤波器用于通过无线链路传输信息的通信系统中。例如,RF滤波器可见于蜂窝基站、移动电话和计算设备、卫星收发器和地面站、物联网(IoT)设备、膝上型计算机和平板电脑、定点无线电链路和其它通信系统的R ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种在母线和叉指换能器(IDT)指状物末端之间具有窄间隙的声波谐振器器件,所述器件包括:一衬底,具有表面;一压电板,具有正面和背面,所述背面附接到所述衬底除所述压电板的部分外的表面上,该部分形成隔膜,所述隔膜跨越所述衬底中的空腔;一叉指换能器(IDT),在所述压电板的正面上形成,使得IDT的交错指状物设置在所述隔膜上,所述交错指状物的重叠距离限定所述谐振器器件的孔径;其中所述交错指状物包括从IDT的第一母线延伸的第一多个平行指状物和从IDT的第二母线延伸的第二多个指状物;其中所述交错指状物之间的距离定义了IDT间距;其中所述IDT包括在所述多个第一平行指状物末端和所述第二母线之间的间隙距离,和在所述多个第二平行指状物末端和所述第一母线之间的间隙距离;以及其中所述间隙距离小于所述IDT间距的2/3倍。2.根据权利要求1所述的器件,其特征在于,所述间隙距离在1.0μm和5μm之间。3.根据权利要求1所述的器件,其特征在于,所述间隙距离在所述IDT间距的1/2到1/3倍之间。4.根据权利要求1所述的器件,其特征在于,所述间隙距离在1.5um和5.0um之间;所述IDT间距在3um和7.5um之间。5.根据权利要求1所述的器件,其特征在于,所述IDT间距是所述第一和第二多个平行指状物中的相邻指状物之间的中心到中心间距;并且其中所述第一和第二多个平行指状物分别附接到所述第一和第二母线。6.根据权利要求1所述的器件,其特征在于,施加到IDT的射频信号在所述空腔上方的所述压电板中激发主剪切声模;并且其中选择所述压电板的厚度以调谐所述压电板中的主剪切声模。7.根据权利要求6所述的器件,其特征在于,所述板为Y切割铌酸锂压电材料;施加到IDT的所述射频信号会在所述IDT指状物末端和所述相邻母线之间的间隙区域中激发杂散模式,从而在XBAR的导纳中引起不希望的杂散;和所述间隙距离是预先确定的间隙距离,用于在使用期间在某些频率下将杂散模式抑制至多10或20dB。8.一种在母线和叉指换能器(IDT)指状物末端之间具有窄间隙的声波谐振器器件,所述器件包括:一衬底,具有表面;一压电板,具有正面和背面,所述背面附接到所述衬底除所述压电板的部分外的表面上,该部分形成隔膜,所述隔膜跨越所述衬底中的空腔;一叉指换能器(IDT),在所述压电板的正面上形成,使得IDT的交错指状物设置在所述隔膜上,所述交错指状物的重叠距离限定所述谐振器器件的孔径;其中交错指状物包括从IDT的第一母线延伸的第一多个平行指状物和从IDT的第二母线延伸的第二多个指状物;
其中所述交错指状物在所述第一和第二多个平行指状物中的相邻指状物之间具有IDT指状物间距;其中,IDT包括所述第一多个平行指状物末端与所述第二母线之间的间隙距离,和所述第二多个平行指状物末端与所述第一母线之间的间隙距离;以及其中所述间隙距离小于所述IDT指状物间距的2/3。9.根据权利要求8...
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