【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】溅射沉积设备和方法
[0001]本专利技术涉及沉积，更具体地说，涉及将靶材料溅射沉积到基板上的方法和设备。
技术介绍
[0002]沉积是将靶材料沉积在基板上的工艺。沉积的一个示例是薄膜沉积，其中薄层(通常从大约一纳米或者甚至几分之一纳米到几微米或者甚至几十微米)沉积在基板上，例如硅晶片或者幅材。薄膜沉积的一个示例技术是物理气相沉积(PVD)，其中处于凝聚相的靶材料被蒸发以产生蒸汽，该蒸汽然后被凝聚到基板表面上。PVD的一个示例是溅射沉积，在溅射沉积中，由于高能粒子(如离子)的轰击，粒子从靶中喷射出来。在溅射沉积的示例中，溅射气体，例如惰性气体，例如氩气，在低压下被引入真空室，并且溅射气体使用高能电子被电离以产生等离子体。等离子体离子对靶的轰击喷射出靶材料，然后该材料可能沉积在基板表面上。溅射沉积优于其它薄膜沉积方法，例如蒸发，因为可以沉积靶材料而不需要加热靶材料，这又可以减少或防止对基板的热损伤。
[0003]在一些情况下，希望将材料的图案沉积在基板的表面上，而不是涂覆整个表面。为了产生这种图案，已知使用掩模来保护表...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种溅射沉积设备，包括：等离子体产生装置，布置成提供单一等离子体以用于靶材料在溅射沉积区内的溅射沉积；传送系统，布置成在传送方向上将基板传送通过所述溅射沉积区；和一个或多个靶支撑组件，布置在所述溅射沉积区中支撑一个或多个靶，以便利用等离子体提供靶材料在基板上的溅射沉积，使得在使用中，当基板被传送通过所述溅射沉积区时：在基板上沉积第一条纹；和在基板上沉积第二条纹，其中，所述第一条纹包括与所述第二条纹不同密度的靶材料或不同成分的靶材料中的至少一种。2.根据权利要求1所述的溅射沉积设备，其中：所述传送系统布置成将基板从所述溅射沉积区的第一侧传送到所述溅射沉积区的第二侧；并且所述一个或多个靶支撑组件包括布置成支撑至少第一靶的第一靶支撑组件和布置成支撑至少第二靶的第二靶支撑组件，其中，在所述第一靶支撑组件和所述第二靶支撑组件之间存在间隙，所述间隙从所述溅射沉积区的第一侧延伸到所述溅射沉积区的第二侧。3.根据权利要求2所述的溅射沉积设备，其中，具有以下至少一项：所述间隙沿着传送方向是细长的，所述第一靶支撑组件沿着传送方向是细长的；或者所述第二靶支撑组件沿着传送方向是细长的。4.根据权利要求1所述的溅射沉积设备，其中：所述传送系统布置成将基板从其第一位置传送通过所述沉积区到达其第二位置；并且所述一个或多个靶支撑组件布置成支撑第一靶和第二靶，使得在所述第一位置，第二部分上的沉积是由于第一靶而不是第二靶，并且在所述第二位置，第二部分上的沉积是由于第二靶而不是第一靶。5.根据权利要求1所述的溅射沉积设备，其中，所述一个或多个靶支撑组件布置成支撑第一靶和第二靶，使得所述第二靶在所述溅射沉积区内且沿着垂直于所述传送方向但基本上在传送方向的平面内的轴线从所述第一靶偏移。6.根据权利要求5所述的溅射沉积设备，其中，所述轴线是第一轴线，所述一个或多个靶支撑组件布置成支撑第一靶和第二靶，使得所述第二靶在所述溅射沉积区内表沿着所述传送方向从所述第一靶偏移。7.根据权利要求2至6中任一项所述的溅射沉积设备，其中，所述一个或多个靶支撑组件布置成支撑第一靶和第二靶，使得所述第一靶和第二靶中的至少一个相对于所述传送方向成斜角。8.根据权利要求2至7中任一项所述的溅射沉积设备，包括与所述第一靶相关联的第一靶磁性元件和与所述第二靶相关联的第二靶磁性元件。9.根据权利要求8所述的溅射沉积设备，包括控制器，所述控制器布置成控制以下至少一项：
由所述第一靶磁性元件提供的第一磁场，以控制所述第一靶的材料的溅射沉积；或者由所述第二靶磁性元件提供的第二磁场，以控制所述第二靶的材料的溅射沉积。10.根据权利要求8或9所述的溅射沉积设备，其中，所述一个或多个靶支撑组件布置成进行以下至少一项：在所述第一靶磁性元件和所述传送系统之间支撑所述第一靶；或者在所述第二靶磁性元件和所述传送系统之间支撑所述第二靶。11.根据权利要求2至10中任一项所述的溅射沉积设备，其中，所述第一靶的材料不同于所述第二靶的材料。12.根据权利要求1至11中任一项所述的溅射沉积设备，其中，所述等离子体产生设备包括一个或多个细长天线，所述一个或多个细长天线沿所述传送方向是细长的。13.根据权利要求12所述的溅射沉积设备，其中，所述传送系统布置成沿着弯曲路径传送基板，并且所述一个或多个细长天线在与所述弯曲路径的曲线相同的方向上弯曲。14.根据权利要求1至13中任一项所述的溅射沉积设备，包括限制装置，所述限制装置布置成提供限制磁场，以基本上将等离子体限制在所述溅射沉积区中，从而提供靶材料的溅射沉积，其中，所述限...
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