用于溅射沉积的方法和设备技术

公开了用于将靶材料(108)溅射沉积到基底(116)的设备(100)。在一种形式中，该设备包括基底引导件(118)和靶部分(106)，该基底引导件布置成沿着弯曲路径(C)引导基底，该靶部分与基底引导件间隔开并且布置成支撑靶材料。靶部分和基底引导件在其之间限定了沉积区(114)。设备包括用于向靶材料施加电偏置的偏置器件(122)。该设备还包括限制装置(104)，其包括一个或多个磁性元件(104a,104b)，其布置成提供限制磁场以将等离子体(112)限制到所述沉积区，从而在使用中提供所述靶材料到所述基底的卷材的溅射沉积，所述限制磁场的特征在于磁场线布置成至少在所述沉积区中基本上遵循弯曲路径的曲线以便将所述等离子体限制成围绕弯曲路径的所述曲线。曲路径的所述曲线。曲路径的所述曲线。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】用于溅射沉积的方法和设备


[0001]本专利技术涉及沉积，并且更具体地，涉及靶材料到基底的溅射沉积方法和设备。

技术介绍

[0002]沉积是一种工艺，靶材料通过该工艺被沉积在基底上。沉积的一个例子是薄膜沉积，在薄膜沉积中，薄层(通常从大约一纳米或甚至几分之一纳米到几微米或甚至几十微米)被沉积在基底上，例如硅晶片或卷材。薄膜沉积的一种示例技术是物理气相沉积(PVD)，在物理气相沉积(PVD)中，处于凝聚相的靶材料被气化以生成蒸气，该蒸气然后被冷凝到基底表面上。PVD的一种示例是溅射沉积，在溅射沉积中，由于被高能粒子(例如离子)轰击，粒子从靶喷射出来。在溅射沉积的示例中，溅射气体，例如惰性气体，例如氩气，在低压下被引入真空腔室中，并且使用高能电子将溅射气体电离，以生成等离子体。由等离子体的离子对靶的轰击喷射出靶材料，其然后可以沉积在基底表面上。溅射沉积相对于其他薄膜沉积方法(例如蒸发)具有优点，其在于靶材料可以不需要加热靶材料而被沉积，这可以继而减少或防止对基底的热损伤。
[0003]已知的溅射沉积技术采用磁控管，在磁控管中辉光放电与磁场相本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种溅射沉积设备，其包括：基底引导件，其布置为沿着弯曲路径引导基底；靶组件，包括：靶部分，其与所述基底引导件间隔开并且布置成支撑靶材料，所述靶部分和所述基底引导件在其二者之间限定沉积区；以及偏置器件，其用于向所述靶材料施加电偏置；以及限制装置，其包括一个或多个磁性元件，所述一个或多个磁性元件布置成提供限制磁场以将等离子体限制在所述沉积区中，从而在使用中提供所述靶材料到所述基底的溅射沉积，所述限制磁场的特征在于磁场线布置成，至少在所述沉积区中，基本上遵循弯曲路径的曲线以便将所述等离子体限制成围绕弯曲路径的所述曲线。2.根据权利要求1所述的设备，其中，所述偏置器件配置成将具有负极性的电偏置施加到所述靶材料。3.根据权利要求1或2所述的设备，其中，所述偏置器件配置成将包括直流电压的电偏置施加到所述靶材料。4.根据前述权利要求中任一项所述的设备，所述设备还包括等离子体生成装置，所述等离子体生成装置配置成生成等离子体。5.根据权利要求4所述的设备，其中，所述偏置器件配置成以第一功率值将所述电偏置施加到所述靶材料，并且所述等离子体生成装置配置成以第二功率值生成所述等离子体，使得所述第二功率值与所述第一功率值的比率大于1。6.根据权利要求5所述的设备，其中，所述第二功率值与所述第一功率值的比率小于3.5或小于1.5。7.根据权利要求5或6所述的设备，其中，所述第一功率值至少为每平方厘米一瓦，1W cm
‑2。8.根据权利要求5至7中任一项所述的设备，所述第一功率值至多为每平方厘米十五瓦，15W cm
‑2，或至多每平方厘米七十瓦，70W cm
‑2。9.根据权利要求4至8中任一项所述的设备，其中，所述等离子体生成装置包括电感耦合等离子体源。10.根据权利要求4至9中任一项所述的设备，其中，所述等离子体生成装置包括在基本上垂直于所述基底引导件的纵向轴线的方向上延伸的一个或多个细长天线。11.根据权利要求4至9中任一项所述的设备，其中，所述等离子体生成装置包括在基本上平行于所述基底引导件的纵向轴线的方向上延伸的一个或多个细长天线。12.根据前述权利要求中任一项所述的设备，其中，所述靶部分布置成支撑多种靶材料，并且所述偏置器件配置成将电偏置独立地施加到所述多种靶材料中的一种或多种相应靶...

【专利技术属性】
技术研发人员：M伦达尔，
申请(专利权)人：戴森技术有限公司，
类型：发明
国别省市：