用于等离子体系统的纳秒脉冲发生器RF隔离技术方案

本发明专利技术的实施例包括一种等离子体系统。所述等离子体系统包括：等离子体腔室；RF驱动器，其配置为用RF频率将突发驱动到所述等离子体腔室中；纳秒脉冲发生器，其配置为用脉冲重复频率将脉冲驱动到所述等离子体腔室中，所述脉冲重复频率小于所述RF频率；高通滤波器，其部署在所述RF驱动器与所述等离子体腔室之间；和低通滤波器，其部署在所述纳秒脉冲发生器与所述等离子体腔室之间。述等离子体腔室之间。述等离子体腔室之间。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】用于等离子体系统的纳秒脉冲发生器RF隔离

技术介绍

[0001]半导体器件制造工艺在不同阶段使用等离子体处理以制造半导体器件。这些半导体器件可以包括处理器、存储器、集成电路和其他类型的集成电路和器件。各种其他工艺利用等离子体处理。等离子处理涉及通过凭借将RF(射频)能量引入到气体混合物中将能量赋予气体分子而对气体混合物供能。这种气体混合物典型地包含于称为等离子体腔室的真空腔室中，并且RF能量典型地通过电极得以引入到等离子体腔室中。
[0002]在典型等离子工艺中，RF发生器以广泛理解为处于3kHz至300GHz的范围内的射频生成功率，并且该功率通过RF缆线和网络发送到等离子体腔室。为了提供从RF发生器到等离子体腔室的高效功率传送，中间电路用以匹配RF发生器的固定阻抗与等离子体腔室的可变阻抗。这种中间电路通常称为RF阻抗匹配网络，或更简单地称为匹配网络。

技术实现思路

[0003]本专利技术的一些实施例包括一种等离子体系统。所述等离子体系统包括：等离子体腔室；RF驱动器，其配置为用RF频率将突发驱动到所述等离子体腔室中；纳秒脉冲发生器，其配置为用脉本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种等离子体系统，包括：等离子体腔室，其包括多个壁和晶圆支撑件，当在所述等离子体腔室内创建等离子体时，在所述等离子体与所述多个壁中的至少一个之间形成壁
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等离子鞘，并且在所述等离子体与部署在所述晶圆支撑件上的晶圆之间形成晶圆
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等离子鞘，其中，所述壁
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等离子体鞘的电容比所述晶圆
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等离子体鞘的电容大至少大约十倍；RF驱动器，其用RF频率将突发驱动到所述等离子体腔室中；纳秒脉冲发生器，其用脉冲重复频率将脉冲驱动到所述等离子体腔室中，所述脉冲重复频率小于所述RF频率；第一滤波器，其部署在所述RF驱动器与所述等离子体腔室之间；和第二滤波器，其部署在所述纳秒脉冲发生器与所述等离子体腔室之间。2.如权利要求1所述的等离子体系统，其中，所述晶圆
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等离子体鞘的电容小于大约1nF。3.如权利要求1所述的等离子体系统，其中，所述RF驱动器用大于大约1kV的峰值电压并且用大于大约1Mhz的频率驱动突发。4.如权利要求1所述的等离子体系统，其中，所述纳秒脉冲发生器用大于大约1kV的峰值电压并且用小于由所述RF发生器产生的所述突发的频率的频率驱动脉冲。5.如权利要求1所述的等离子体系统，其中，所述第一滤波器包括高通滤波器，并且其中，所述第二滤波器包括低通滤波器。6.如权利要求1所述的等离子体系统，其中，所述第二滤波器包括与地耦合的电容器。7.如权利要求6所述的等离子体系统，其中，所述电容器具有小于大约500pF的电容。8.一种等离子体系统，包括：等离子体腔室；RF驱动器，其与所述等离子体腔室电耦合，所述RF驱动器用RF频率将突发驱动到所述等离子体腔室中；纳秒脉冲发生器，其与所述等离子体腔室电耦合，所述纳秒脉冲发生器用脉冲重复频率将脉冲驱动到所述等离子体腔室中，所述脉冲重复频率小于所述RF频率；电容器，其部署在所述RF驱动器与所述等离子体腔室之间；和电感器，其部署在所述纳秒脉冲发生器与所述等离子体腔室之间。9.如权利要求8所述的等离子体系统，其中，所述电容器具有小于大约100pF的电容。10.如...

【专利技术属性】
技术研发人员：迪麦西，
申请(专利权)人：鹰港科技有限公司，
类型：发明
国别省市：