一种适用于离心沉降工艺的光色均匀的LED模组光源制造技术

本发明专利技术提供了一种适用于离心沉降工艺的光色均匀的LED模组光源，包括：基板、圆形发光面、焊线区、围坝以及若干发光二极管芯片；所述圆形发光面位于所述基板的几何中心处；发光二极管芯片均设置在所述圆形发光面上，且设置在若干个半径递增的同心圆上，在同一同心圆相邻的两个发光二极管芯片之间形成有间隙，所述间隙设置有填充物；所述焊线区设置在所述圆形发光面的外围；所述围坝覆盖在所述焊线区上方，与基板形成碗状结构；所述碗状结构内填充有封装硅胶、荧光转换物质。本发明专利技术的填充物可以显著地阻止荧光粉流动的产生，对荧光粉的横向移动起到进一步的阻挡效应，使荧光粉不会大范围移动，进而改善了光色一致性。进而改善了光色一致性。进而改善了光色一致性。

【技术实现步骤摘要】
一种适用于离心沉降工艺的光色均匀的LED模组光源


[0001]本专利技术属于LED模组光源
，具体涉及一种适用于离心沉降工艺的光色均匀的LED模组光源。

技术介绍

[0002]LED封装制程中，荧光粉使用沉降工艺可以带来很多优势，例如更好的光色一致性、更高的器件的长期可靠性等。达到荧光粉沉降有多种途径，例如常温下静置，微加温静置，利用离心机等。前两者所需时间长，且静置过程要求严格保护：防尘、防潮、防震、防静电、水平度等，加温静置还需要占用大量的烤箱设备，且消耗大量的电能，生产成本高，良品率不可控，容易导致成批报废。故效率高、经济性好的离心机沉降技术，便成为了行业内最优的旋转。
[0003]但基于现有技术的LED模组光源，并不适合使用离心沉降工艺。原因是模组光源的尺寸都较大，使用离心沉降工艺时，单个产品的尺寸跨度使其无法紧贴离心机滚筒，因此光源两侧与中央所受的离心力不一致，从而产生横向分力，使荧光粉偏向左右两侧，导致左右两侧荧光粉浓度异常高、中央部分荧光粉异常低，产品发光颜色不均匀。另一方面的原因是模组光源的整片基板刚性大，不如SMD型LED光源的支架料片那么柔软可变形。在生产过程中，模组光源的基板如果不能很好地贴合离心机滚筒，则会加剧上述荧光粉的不均匀现象。
[0004]要克服上述问题，除非将离心沉降机的有效旋转半径变得足够大，令旋转中心到产品中心的距离数值趋近于旋转中心到产品边缘的距离数值，即：R
’→
R，使得横向分力F
’
可忽略不计。经粗略计算，要达到此目的，有效旋转半径需要达到3米，这在离心机制造工业中是不具有普遍经济性的。因此单纯通过扩大有效旋转半径来克服横向分力的方法行不通。

技术实现思路

[0005]为了克服上述技术缺陷，本专利技术一种适用于离心沉降工艺的光色均匀的LED模组光源，其能解决荧光粉不均匀的问题。
[0006]为了解决上述问题，本专利技术按以下技术方案予以实现：
[0007]一种适用于离心沉降工艺的光色均匀的LED模组光源，包括：基板、圆形发光面、焊线区、围坝以及若干发光二极管芯片；
[0008]所述圆形发光面位于所述基板的几何中心处；
[0009]发光二极管芯片均设置在所述圆形发光面上，且设置在若干个半径递增的同心圆上，在同一同心圆相邻的两个发光二极管芯片之间形成有间隙，所述间隙设置有填充物；
[0010]所述焊线区设置在所述圆形发光面的外围；
[0011]所述围坝覆盖在所述焊线区上方，与基板形成碗状结构；
[0012]所述碗状结构内填充有封装硅胶、荧光转换物质；
[0013]作为本专利技术的进一步改进，相邻同心圆上的发光二极管芯片交错设置。
[0014]作为本专利技术的进一步改进，所述填充物通过点胶的方式点涂在所述间隙内。
[0015]作为本专利技术的进一步改进，所述填充物通过线性运动点胶的方式点涂在所述间隙内。
[0016]作为本专利技术的进一步改进，所述填充物与所述封装硅胶采用相同的物质，或所述填充物为透明硅胶、硅树脂、环氧树脂。
[0017]作为本专利技术的进一步改进，所述填充物包括荧光转换物质。
[0018]作为本专利技术的进一步改进，所述荧光转换物质为荧光粉。
[0019]作为本专利技术的进一步改进，所述发光二极管芯片之间通过键合线连接。
[0020]作为本专利技术的进一步改进，所述基板为金属基板、陶瓷基板或复合型材料基板。
[0021]与现有技术相比，本专利技术具有以下有益效果：在每一个同心圆上相邻两颗发光二极管芯片形成的每一个间隙处，都设有填充物，使其与相邻两颗发光二极管芯片相连形成一个完整封闭的圆环。填充物可以显著地阻止荧光粉流动的产生，对荧光粉的横向移动起到进一步的阻挡效应，使荧光粉不会大范围移动，进而改善了光色一致性。
附图说明
[0022]下面结合附图对本专利技术的具体实施方式作进一步详细的说明，其中：
[0023]图1为实施例1所述LED模组光源的结构示意图；
[0024]图2为实施例1所述LED模组光源的剖视图；
[0025]图3为实施例1所述发光二极管芯片的位置布置图；
[0026]图4为实施例1所述LED模组光源的局部放大剖视图；
[0027]图5为实施例2所述LED模组光源的局部放大剖视图。
[0028]标记说明：
[0029]1、基板；2、圆形发光面；3、焊线区；4、围坝；5、发光二极管芯片；6；间隙；7、填充物；8、封装硅胶；9、荧光转换物质；10、键合线；11、电极。
具体实施方式
[0030]以下结合附图对本专利技术的优选实施例进行说明，应当理解，此处所描述的优选实施例仅用于说明和解释本专利技术，并不用于限定本专利技术。
[0031]实施例1
[0032]本实施例一种适用于离心沉降工艺的光色均匀的LED模组光源，如图1和图2所示，包括：基板1、圆形发光面2、焊线区3、围坝4以及若干发光二极管芯片5；圆形发光面2位于基板1的几何中心处；发光二极管芯片5均设置在圆形发光面2上，且设置在若干个半径递增的同心圆上，在同一同心圆相邻的两个发光二极管芯片5之间形成有间隙6，间隙6设置有填充物7，使得相邻的两颗发光二极管芯片5相连；焊线区3设置在圆形发光面2的外围；围坝4覆盖在焊线区3上方，与基板1形成碗状结构；碗状结构内填充有封装硅胶8、荧光转换物质9。荧光转换物质9包含于封装硅胶8内。
[0033]每个间隙6都被填充，从而填充物7与该圈芯片交替地形成一个完整封闭的圆环。需要说明的是，最内圈发光二极管芯片5、最外圈发光二极管芯片5不需要填充，间隙6为相邻的两个发光二极管芯片5之间产生的，而不需要进行额外加工得到，同心圆为发光二极管
芯片5布局形成的轨迹形状结构，并非实体物质。
[0034]由图3中可以看出，从中央发光二极管芯片5开始，半径依次递增的发光二极管芯片5圆环，与发光二极管芯片5间隔上的填充物7，共同形成荧光粉的阻挡层。
[0035]本实施例在每一个同心圆上相邻两颗发光二极管芯片5形成的每一个间隙6处，都设有填充物7，使其与相邻两颗发光二极管芯片5相连形成一个完整封闭的圆环。填充物7可以显著地阻止荧光粉流动的产生，对荧光粉的横向移动起到进一步的阻挡效应，使荧光粉不会大范围移动，进而改善了光色一致性。
[0036]进一步地，如图2所示，相邻同心圆上的发光二极管芯片5交错设置。该设置的目的是是避免形成对齐或基本对齐的通路，进而阻止荧光粉流动的产生，对荧光粉的横向移动起到初步的阻挡效应。
[0037]具体地，相邻同心圆上的发光二极管芯片5交错设置可采用如下方式进行布设：位于不同同心圆上的发光二极管芯片5，沿切向顺时针或逆时针进行调整。该种方式可以使发光二极管芯片5取得最大程度的交错布置，相对外圈上的发光二极管芯片5总是横亘于相对内圈上的间隙6外侧，从而避免间隙6对齐或基本对齐而形成通路，进一步阻止荧光粉流动本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种适用于离心沉降工艺的光色均匀的LED模组光源，其特征在于，包括：基板、圆形发光面、焊线区、围坝以及若干发光二极管芯片；所述圆形发光面位于所述基板的几何中心处；发光二极管芯片均设置在所述圆形发光面上，且设置在若干个半径递增的同心圆上，在同一同心圆相邻的两个发光二极管芯片之间形成有间隙，所述间隙设置有填充物；所述焊线区设置在所述圆形发光面的外围；所述围坝覆盖在所述焊线区上方，与基板形成碗状结构；所述碗状结构内填充有封装硅胶、荧光转换物质。2.根据权利要求1所述的LED模组光源，其特征在于，相邻同心圆上的发光二极管芯片交错设置。3.根据权利要求1所述的LED模组光源，其特征在于，所述填充物通过点胶的方式点涂在...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈健进，刘杰鑫，刘桂良，曾照明，肖国伟，
申请(专利权)人：广东晶科电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：