【技术实现步骤摘要】
一种基于滚珠花键的旋转升降对位的装置
[0001]本专利技术涉及曝光机对位结构分选技术,具体涉及一种基于滚珠花键的旋转升降对位的装置。
技术介绍
[0002]接近式曝光指掩膜板与光刻胶基底层保留一个微小的缝隙(Gap),Gap大约为0~200μm。可以有效避免与光刻胶直接接触而引起的掩膜板损伤,使掩膜和光刻胶基底能耐久使用;掩模寿命长(可提高10倍以上),图形缺陷少。接近式在现代光刻工艺中应用最为广泛,由于接近式掩膜曝光,需要精确的调整掩膜板和晶片之间的间隙gap。对工件台的精度要求比较高。并且一般曝光都需要多次曝光,多次曝光中上次图案和下次需要对准,称为套刻。套刻误差是指光刻机的工作过程是这样的:逐一曝光完硅片上所有的场(field),亦即分步,然后更换硅片,直至曝光完所有的硅片;当对硅片进行工艺处理结束后,更换掩模,接着在硅片上曝光第二层图形,也就是进行重复曝光。其中,第二层掩模曝光的图形必须和第一层掩模曝光准确的套叠在一起,故称之为套刻。
[0003]如授权公告号为CN205353575U,授权公告日为2016 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种基于滚珠花键的旋转升降对位的装置,包括基板(1),其特征在于:所述基板(1)顶部外壁上通过螺栓安装有垫板(11),且垫板(11)顶部外壁中心处插接有花键组件(12),所述基板(1)底部外壁上通过螺栓安装有支架(5),且支架(5)底部外壁上通过螺栓安装有动力组件(6),所述支架(5)顶端通过螺栓与花键组件(12)呈固定连接,所述动力组件(6)包括固定块(19),所述固定块(19)通过螺栓与支架(5)呈固定连接,所述固定块(19)底部外壁中心处通过螺栓安装有电机二(20),且电机二(20)的输出轴通过联轴器安装有丝杆二(21),所述丝杆二(21)外部螺纹连接有连接座(22),所述电机二(20)一侧外壁上电性连接有两个连接线(23),所述花键组件(12)包括花键轴(24),所述花键轴(24)外部滑动套接有花键母(25),且花键母(25)侧面外壁上分别设置有呈等距离结构分布的外圈环(28)、调整片(27)、外圈盘(26),所述调整片(27)两端分别与外圈环(28)、外圈盘(26)相互接触,所述外圈环(28)通过螺栓与支架(5)呈固定连接,所述花键母(25)底端通过螺栓与连接座(22)呈固定连接。2.根据权利要求1所述的一种基于滚珠花键的旋转升降对位的装置,其特征在于,所述花键组件(12)顶端通过螺栓安装有连接架(13),所述连接架(13)包括安装块(29),所述安装块(29)两侧外壁上均通过螺栓安装有限位板(30)。3.根据权利要求2所述的一种基于滚珠花键的旋转升降对位的装置,其特征在于,所述安装块(29)顶部外壁两侧均通过螺栓安装有卡板(31),且卡板(31)顶端通过螺栓安装有撑板(33),所述撑板(33)顶部外壁上设置有晶片台(32)。4.根据权利要求1所述的一种基于滚珠花键的旋转升降对位的装置,其特征在于,所述基...
【专利技术属性】
技术研发人员:傅舰艇,林世超,邹林,
申请(专利权)人:苏州中特微电子科技有限公司,
类型:发明
国别省市:
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