薄膜热敏打印头用发热基板及其制作方法技术

技术编号:34547307 阅读:19 留言:0更新日期:2022-08-17 12:30
本发明专利技术公开一种薄膜型热敏打印头用发热基板及其制作方法。包括:绝缘基板;位于绝缘基板一侧的蓄热底釉层;位于蓄热底釉层背离绝缘基板一侧的第一薄膜发热电阻体层;位于第一薄膜发热电阻体层背离绝缘基板一侧的第二薄膜发热电阻体层;位于第二薄膜发热电阻体层背离绝缘基板一侧的导线电极层;导线电极层包括串接电极、引出电极、共通电极和键合电极;位于导线电极层背离绝缘基板一侧的保护层;串接电极和引出电极之间的第一薄膜发热电阻体层为第一发热电阻体;串接电极和引出电极之间的第二薄膜发热电阻体层为第二发热电阻体;在持续施加印加能量至阻值上升前时,第一发热电阻体的阻值下降比例不超过50%,第二发热电阻体阻值下降率不超过10%。下降率不超过10%。下降率不超过10%。

【技术实现步骤摘要】
薄膜热敏打印头用发热基板及其制作方法


[0001]本专利技术实施例涉及热敏打印
,尤其涉及一种薄膜热敏打印头用发热基板及其制作方法。

技术介绍

[0002]薄膜型热敏打印头包括绝缘基板、在绝缘基板上依次形成的发热电阻体、电极图形以及保护该发热电阻体和电极图形的保护层;其中,发热电阻体成线状分部。通过控制电流的通或断,让发热电阻体处于间隔性发热,从而使热敏纸或热敏色带发生反应,实现印字的目的。近年来,随着热敏打印速度的提高,打印介质种类的增加,对发热电阻体在高温下阻值稳定性及耐电力要求也不断提高。
[0003]目前,广泛使用的发热电阻体为钽硅氧基薄膜和钽硅碳基薄膜。
[0004]然而,钽硅氧基薄膜在加热温度为400℃以上时,电阻膜阻值降低,在电压保持不变条件下,阻值降低导致施加功率增加、电流增大,发热电阻体容易发生过载烧毁问题;钽硅碳基薄膜在高温下电阻膜阻值升高,例如当阻值升高至15%时,发热电阻体难以维持良好的打印质量。

技术实现思路

[0005]本专利技术实施例提供一种薄膜型热敏打印头用发热基板及其制作方法,以实现发热电阻体在高温下也可以保证阻值稳定的效果。
[0006]第一方面,本专利技术实施例提供了一种薄膜型热敏打印头用发热基板,该薄膜型热敏打印头用发热基板包括:
[0007]绝缘基板;
[0008]蓄热底釉层,位于所述绝缘基板的一侧;
[0009]第一薄膜发热电阻体层,位于所述蓄热底釉层背离所述绝缘基板的一侧;
[0010]第二薄膜发热电阻体层,位于所述第一薄膜发热电阻体层背离所述绝缘基板的一侧;
[0011]导线电极层,位于所述第二薄膜发热电阻体层背离所述绝缘基板的一侧;所述导线电极层包括串接电极、引出电极、共通电极和键合电极;
[0012]保护层,位于所述导线电极层背离所述绝缘基板的一侧;
[0013]其中,所述串接电极和所述引出电极之间的所述第一薄膜发热电阻体层为第一发热电阻体;所述串接电极和所述引出电极之间的所述第二薄膜发热电阻体层为第二发热电阻体;在持续施加印加能量至阻值上升前时,所述第一发热电阻体的阻值下降比例不超过50%,所述第二发热电阻体阻值下降率不超过10%。
[0014]可选的,所述第一薄膜发热电阻体层的材料包括过渡金属和二氧化硅的复合材料。
[0015]可选的,所述第二薄膜发热电阻体层的材料包括过渡金属、碳和硅的复合材料。
[0016]可选的,所述过渡金属包括钽、铌、铬、钛和钨中的至少一种。
[0017]可选的,所述第一薄膜发热电阻体层的材料包括钽和二氧化硅的复合材料;所述第二薄膜发热电阻体层的材料包括钽、碳和硅的复合材料;
[0018]所述第一薄膜发热电阻体层和所述第二薄膜发热电阻体层中,各元素摩尔百分比满足:20%≤钽元素摩尔百分比≤60%,10%≤二氧化硅摩尔百分比≤40%,1%≤硅元素摩尔百分比≤20%,10%≤碳元素摩尔百分比≤40%。
[0019]可选的,所述第一薄膜发热电阻体层和所述第二薄膜发热电阻体层的厚度之和为H1,其中,10nm≤H1≤200nm。
[0020]可选的,所述蓄热底釉层设置于所述绝缘基板的部分区域;
[0021]所述蓄热底釉层的厚度为H2,20μm≤H2≤60μm,所述蓄热底釉层的宽度为W,0.4mm≤W≤1.0mm。
[0022]可选的,所述绝缘基板的材料包括三氧化二铝。
[0023]可选的,所述导线电极层的材料包括铝,且所述导线电极层的厚度为H3,0.6μm≤H3≤1μm。
[0024]可选的,所述保护层包括:位于所述导线电极层背离所述绝缘基板的一侧的绝缘保护子层以及位于所述绝缘保护子层背离所述绝缘基板一侧的导电性保护子层;
[0025]所述绝缘保护子层的材料包括氮化硅、氧化硅或者氮化硅

氧化硅复合材料;
[0026]所述导电性保护子层的材料包括碳

碳化硅复合材料。
[0027]可选的,所述绝缘保护子层的厚度为H4,2μm≤H4≤10μm;
[0028]所述导电性保护子层的厚度为H5,2μm≤H5≤10μm。
[0029]第二方面,本专利技术实施例还提供了一种薄膜型热敏打印头用发热基板的制作方法,该薄膜型热敏打印头用发热基板的制作方法包括:
[0030]提供一绝缘基板;
[0031]在所述绝缘基板上设置蓄热底釉层;
[0032]在所述蓄热底釉层背离所述绝缘基板的一侧形成第一薄膜发热电阻体层;
[0033]在所述第一薄膜发热电阻体层背离所述绝缘基板的一侧形成第二薄膜发热电阻体层;
[0034]在所述第二薄膜发热电阻体层背离所述绝缘基板的一侧形成导线电极层,所述导线电极层包括串接电极、引出电极、共通电极和键合电极;
[0035]在所述导线电极层背离所述绝缘基板的一侧形成保护层;
[0036]其中,所述串接电极和所述引出电极之间的所述第一薄膜发热电阻体层为第一发热电阻体;所述串接电极和所述引出电极之间的所述第二薄膜发热电阻体层为第二发热电阻体;在持续施加印加能量至阻值上升前时,所述第一发热电阻体的阻值下降比例不超过50%,所述第二发热电阻体阻值下降率不超过10%。
[0037]本专利技术实施例提供的薄膜型热敏打印头用发热基板及其制作方法,通过设置第一薄膜发热电阻体层、第二薄膜发热电阻体层,使得该结构在持续施加印加能量至阻值上升前时,第一发热电阻体的阻值下降比例不超过50%,第二发热电阻体阻值下降率不超过10%,即使得第一发热电阻体的阻值不会下降的很低,不至于膜层损坏,同时控制第二发热电阻体阻值上升时也不会太高,进而使得第一发热电阻体和第二发热电阻体构成的发热电
阻体的总体的电阻值保持在预设范围内,改善产品阻值安定性,提高产品耐电力,可以满足热敏打印头小型化及高速化要求。
附图说明
[0038]图1是本专利技术实施例提供的一种薄膜型热敏打印头用发热基板的断面结构示意图;
[0039]图2是本专利技术实施例提供的一种薄膜型热敏打印头用发热基板的俯视结构示意图;
[0040]图3是本专利技术实施例提供的一种薄膜型热敏打印头用发热基板的制作方法的流程图;
[0041]图4是本专利技术实施例提供的当第一薄膜发热电阻体层和第二薄膜发热电阻体层中的元素摩尔百分比不同时施加能量与阻值变化率关系的对比图。
具体实施方式
[0042]下面结合附图和实施例对本专利技术作进一步的详细说明。可以理解的是,此处所描述的具体实施例仅仅用于解释本专利技术,而非对本专利技术的限定。另外还需要说明的是,为了便于描述,附图中仅示出了与本专利技术相关的部分而非全部结构。
[0043]图1是本专利技术实施例提供的一种薄膜型热敏打印头用发热基板的断面结构示意图,图2是本专利技术实施例提供的一种薄膜型热敏打印头用发热基板的俯视结构示意图,需要说明的是,图2未示出保护层。如图1和图2所示,本专利技术本文档来自技高网
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种薄膜型热敏打印头用发热基板,其特征在于,包括:绝缘基板;蓄热底釉层,位于所述绝缘基板的一侧;第一薄膜发热电阻体层,位于所述蓄热底釉层背离所述绝缘基板的一侧;第二薄膜发热电阻体层,位于所述第一薄膜发热电阻体层背离所述绝缘基板的一侧;导线电极层,位于所述第二薄膜发热电阻体层背离所述绝缘基板的一侧;所述导线电极层包括串接电极、引出电极、共通电极和键合电极;保护层,位于所述导线电极层背离所述绝缘基板的一侧;其中,所述串接电极和所述引出电极之间的所述第一薄膜发热电阻体层为第一发热电阻体;所述串接电极和所述引出电极之间的所述第二薄膜发热电阻体层为第二发热电阻体;在持续施加印加能量至阻值上升前时,所述第一发热电阻体的阻值下降比例不超过50%,所述第二发热电阻体阻值下降率不超过10%。2.根据权利要求1所述的薄膜型热敏打印头用发热基板,其特征在于,所述第一薄膜发热电阻体层的材料包括过渡金属和二氧化硅的复合材料。3.根据权利要求1所述的薄膜型热敏打印头用发热基板,其特征在于,所述第二薄膜发热电阻体层的材料包括过渡金属、碳和硅的复合材料。4.根据权利要求2或3所述的薄膜型热敏打印头用发热基板,其特征在于,所述过渡金属包括钽、铌、铬、钛和钨中的至少一种。5.根据权利要求1所述的薄膜型热敏打印头用发热基板,其特征在于,所述第一薄膜发热电阻体层的材料包括钽和二氧化硅的复合材料;所述第二薄膜发热电阻体层的材料包括钽、碳和硅的复合材料;所述第一薄膜发热电阻体层和所述第二薄膜发热电阻体层中,各元素摩尔百分比满足:20%≤钽元素摩尔百分比≤60%,10%≤二氧化硅摩尔百分比≤40%,1%≤硅元素摩尔百分比≤20%,10%≤碳元素摩尔百分比≤40%。6.根据权利要求1所述的薄膜型热敏打印头用发热基板,其特征在于,所述第一薄膜发热电阻体层和所述第二薄膜发热电阻体层的厚度之和为H1,其中,10nm≤H1≤200nm。7.根据权利要求1所述的薄膜型热敏打印头用发热基板,其特征在于...

【专利技术属性】
技术研发人员:刘晓菲苏伟宋泳桦
申请(专利权)人:山东华菱电子股份有限公司
类型:发明
国别省市:

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