一种单分子层分子晶体制备及图案化的普适性方法技术

本发明专利技术提供一种单分子层分子晶体制备及图案化的普适性方法。MMCs的制备方法，包括1)配制有机半导体分子溶液；2)基底预处理；3)将裁剪好的模板放置在基底上；4)将步骤1)中配制的有机半导体分子溶液滴加到模板上，放置至有机半导体分子溶液中的溶剂挥发完毕，在基底上得到MMCs；5)更换基底，在原来的模板上滴加溶剂，静置，待溶剂挥发完毕后，取下模板，基底上再次得到MMCs，重复步骤5)。该单分子层分子晶体的制备方法基于模板法，在室温下大气环境中通过简单的滴注即可制备出多种MMCs材料。通过本发明专利技术制备的MMCs具有良好的结晶性，有利于构建不同结构的电子器件。建不同结构的电子器件。建不同结构的电子器件。

【技术实现步骤摘要】
一种单分子层分子晶体制备及图案化的普适性方法


[0001]本专利技术属于有机半导体材料领域，具体涉及一种单分子层分子晶体制备及图案化的普适性方法。

技术介绍

[0002]场效应晶体管是一种可以通过栅极调控半导体材料中载流子浓度的器件，具有转换和扩大信号的作用，因此广泛应用于传感器、射频标签、显示器、电子皮肤等领域。有机单晶因小分子的定向排列，其结构非常规整，可作为直观的观察和研究载流子的传输行为的半导体材料。它们不仅在柔韧性、分子多样性、低成本、溶液加工性和与柔性基材固有相容性方面具有很大优势，而且还具有最小缺陷和较少晶界的特点，确保优异且均匀的电子特性，因此在作为场效应晶体管的半导体材料时，表现出优异的电荷传输性能的同时，并且为传输机理的研究提供了理想的平台。但是传统的块体单晶也有其限制，例如随着有机单晶厚度的增加，器件的接触电阻随之变大，从而导致器件的波动性增加、功耗及发热现象也随之产生，因此限制了器件小型化和集成化。经过研究者的进一步研究发现，当通过一定的方法有效的减少块体单晶的厚度甚至是单层时，这些问题就会被有效的解决。
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种MMCs的制备方法，包括以下步骤：1)配制有机半导体分子溶液；2)基底预处理，裁剪模板；3)将裁剪好的模板放置在基底上；4)将步骤1)中配制的有机半导体分子溶液滴加到模板上，放置至有机半导体分子溶液中的溶剂挥发完毕，在基底上得到MMCs；5)更换基底，在原来的模板上滴加溶剂，静置，待溶剂挥发完毕后，取下模板，基底上再次得到MMCs，重复步骤5)，直至模板上吸附的有机半导体分子洗脱完全。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：步骤1)中，所述有机半导体分子溶液中有机半导体分子的物质的量浓度为0.01mg/ml
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有机半导体分子的饱和浓度。3.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于：步骤1)中，所述有机半导体分子溶液的配制方法为：称取有机半导体材料，加入溶剂进行超声分散，30
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120℃加热溶解，得到有机半导体分子溶液；其中，所述配制有机半导体分子溶液的溶剂为苯基试剂；所述有机半导体材料为苯并噻吩及其衍生物、蒽及其衍生物、并五苯及其衍生物、噻吩及其衍生物。4.根据权利要求1
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3中任一项所述的方法，其特征在于：所述基底为：硅片、聚合物薄膜、ITO、HfO、SiO2薄膜、石英、玻璃、HOPG中的任意一种。5.根据权利要求1
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4中任一项所述的方法，其特征在于：步骤3)中，所述模板由可提供毛细作用的材料制成，具体可为滤纸、纱...

【专利技术属性】
技术研发人员：江浪，刘洁，刘洁，
申请(专利权)人：中国科学院化学研究所，
类型：发明
国别省市：