一种有机半导体单晶在有机半导体器件中的应用制造技术

本发明专利技术提供一种有机半导体单晶在有机半导体器件中的应用，本发明专利技术的橙相PBNA单晶具有一种特殊的晶格畸变结构，使得在场效应晶体管中便显出低温输运特性，作为活性层应用于单晶器件时，在随温度依赖测试过程中表现出明显的与温度的负相关特性，表现出该种材料在实际应用中的巨大潜力。用中的巨大潜力。

【技术实现步骤摘要】
一种有机半导体单晶在有机半导体器件中的应用


[0001]本专利技术属于有机半导体材料
，尤其涉及一种有机半导体单晶在有机半导体器件中的应用。

技术介绍

[0002]自从1987年Tsumura小组首次报道利用聚噻吩导电聚合物来制备有机场效应晶体管(OFET)，在有机光电等方面科研工作者十几年来的不断努力下，有机场效应的晶体管的器件性能的到了很大的提高，同时稳定性与泛用性也有了长足的进步。目前已有很多场效应晶体管器件投入市场，但大多为无定型薄膜晶体管，它们本身分子无序排序，存在很多缺点，如很低的载流子迁移率与很差的结构稳定性，这也就使得它们的器件性能低下。
[0003]与有机薄膜晶体管相比，有机单晶场效应晶体管存在很大优势。有机单晶中分子有序排列，使得器件性能在单一方向上性能连续；有机单晶无相界杂质含量低缺陷少，可以有效避免薄膜晶体管中的效率滚降现象；鉴于有机单晶其特殊的分子堆积方式与排列方式，对于有机光电过程中的机理研究具有很大的实践意义。
[0004]有机场效应晶体管(OFET)是由源极、漏极、栅极组成的三电极系统。通常本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种橙相PBNA单晶在有机半导体器件中的应用，其特征在于：所述橙相PBNA单晶为单斜晶系，空间群为I 2/a，所述橙相PBNA单晶中PBNA的结构式如式I所示：2.根据权利要求1所述的应用，其特征在于：所述橙相PBNA单晶的晶胞参数为：α＝90
°
,β＝110.403
°
,γ＝90
°
。3.根据权利要求1所述的应用，其特征在于：所述橙相PBNA单晶包括第一异构体和第二异构体，所述第一异构体中心苯环所在平面与两端萘环所在平面的扭曲角分别为3.33
°
、1.48
°
；所述第二异构体中心苯环所在平面与两端萘环所在平面的扭曲角分别为23.58
°
、23.18
°
。4.根据权利要求3所述的应用，其特征在于：所...

【专利技术属性】
技术研发人员：顾成，张泽健，柳力群，邓剑，
申请(专利权)人：华南理工大学，
类型：发明
国别省市：