一种组合式带通滤波器制造技术

本发明专利技术公开了一种组合式带通滤波器，采用两种微波低损耗介质陶瓷分别制备陶瓷波导滤波模块和陶瓷腔体滤波模块；将陶瓷波导滤波模块和陶瓷腔体滤波模块通过刷银烧结结合起来；在陶瓷波导滤波模块和陶瓷腔体滤波模块的相向面上分别设置耦合窗口；在陶瓷波导滤波模块和陶瓷腔体滤波模块上分别设置谐振腔，陶瓷波导滤波模块和陶瓷腔体滤波模块上的谐振腔通过耦合窗口形成CT结构，在通带右边产生一个传输零点，通带左边有一相对较近的寄生零点；这样提高了滤波器通带外近端的抑制特性。样提高了滤波器通带外近端的抑制特性。样提高了滤波器通带外近端的抑制特性。

【技术实现步骤摘要】
一种组合式带通滤波器


[0001]本专利技术涉及一种组合式带通滤波器。

技术介绍

[0002]带通滤波器（band
‑
pass filter）是一个允许特定频段的波通过同时屏蔽其他频段的设备。比如RLC振荡回路就是一个模拟带通滤波器。带通滤波器有多种形式，带通滤波器需要具有低插损、高抑制、体积小等特点。

技术实现思路

[0003]本专利技术的目的在于提供一种组合式带通滤波器，采用两种微波低损耗介质陶瓷分别制备陶瓷波导滤波模块和陶瓷腔体滤波模块；将陶瓷波导滤波模块和陶瓷腔体滤波模块通过刷银烧结结合起来；在陶瓷波导滤波模块和陶瓷腔体滤波模块的相向面上分别设置耦合窗口；在陶瓷波导滤波模块和陶瓷腔体滤波模块上分别设置谐振腔，陶瓷波导滤波模块和陶瓷腔体滤波模块上的谐振腔通过耦合窗口形成CT结构，在通带右边（高频）产生一个传输零点（此零点可调谐），通带左边（底频）有一相对较近的寄生零点；这样提高了滤波器通带外近端的抑制特性。
[0004]优选的，两种微波低损耗介质陶瓷都为高介电常数陶瓷材料。
[0005]优选的，在陶瓷腔体滤波模块上设置用于调整谐振腔（陶瓷腔体滤波模块上的谐振腔）谐振频率的谐振频率调整银层。
[0006]优选的，在陶瓷腔体滤波模块上设置两个谐振腔，每个谐振腔配置一个谐振频率调整银层。
[0007]优选的，在陶瓷腔体滤波模块上设置使两个谐振腔（陶瓷腔体滤波模块上的两个谐振腔）耦合的耦合银层。
[0008]优选的，在陶瓷腔体滤波模块表面覆上银层，采用激光烧蚀将银层分隔出谐振频率调整银层和耦合银层。
[0009]优选的，在陶瓷腔体滤波模块上设置：用于罩住谐振频率调整银层和耦合银层的屏蔽盖。
[0010]优选的，在屏蔽盖上开设开调试用空气窗口。
[0011]优选的，陶瓷腔体滤波模块上的谐振腔采用通孔结构。
[0012]优选的，陶瓷波导滤波模块上的谐振腔采用深孔结构。
[0013]本专利技术的优点和有益效果在于：一种组合式带通滤波器，其采用两种滤波模块（陶瓷波导滤波模块和陶瓷腔体滤波模块）的组合形式，具有低插损、高抑制、体积小等特点。
[0014]本专利技术滤波器带外谐振大于二倍频，落在2.2倍频位置。
[0015]本专利技术滤波器带内损耗小于1.0dB。
附图说明
[0016]图1是组合式带通滤波器的正面示意图；图2是图1隐去陶瓷波导滤波模块后的示意图；图3是组合式带通滤波器的背面示意图；图4是图3隐去屏蔽盒后的示意图；图5是图4隐去片状左银层、片状右银层后的示意图；图6是图4隐去陶瓷腔体滤波模块后的示意图。
具体实施方式
[0017]下面结合附图和实施例，对本专利技术的具体实施方式作进一步描述。以下实施例仅用于更加清楚地说明本专利技术的技术方案，而不能以此来限制本专利技术的保护范围。
[0018]一种组合式带通滤波器，采用两种微波低损耗介质陶瓷分别制备陶瓷波导滤波模块和陶瓷腔体滤波模块,两种微波低损耗介质陶瓷都为高介电常数陶瓷材料；将陶瓷波导滤波模块和陶瓷腔体滤波模块通过刷银烧结结合起来；在陶瓷波导滤波模块和陶瓷腔体滤波模块的相向面上分别设置耦合窗口；在陶瓷波导滤波模块和陶瓷腔体滤波模块上分别设置谐振腔；陶瓷腔体滤波模块上的谐振腔采用通孔结构；陶瓷波导滤波模块上的谐振腔采用深孔结构；在陶瓷腔体滤波模块上设置两个谐振腔；在陶瓷腔体滤波模块上设置用于调整谐振腔（陶瓷腔体滤波模块上的谐振腔）谐振频率的谐振频率调整银层，每个谐振腔配置一个谐振频率调整银层；在陶瓷腔体滤波模块上设置使两个谐振腔（陶瓷腔体滤波模块上的两个谐振腔）耦合的耦合银层；先在陶瓷腔体滤波模块表面覆上银层，再采用激光烧蚀将银层分隔出谐振频率调整银层和耦合银层；在陶瓷腔体滤波模块上设置：用于罩住谐振频率调整银层和耦合银层的屏蔽盖；在屏蔽盖上开设开调试用空气窗口；陶瓷波导滤波模块和陶瓷腔体滤波模块上的谐振腔通过耦合窗口形成CT结构，在通带右边（高频）产生一个传输零点（此零点可调谐），通带左边（底频）有一相对较近的寄生零点；这样提高了滤波器通带外近端的抑制特性。
[0019]本专利技术的具体实施例如下：如图1至图6所示，一种组合式带通滤波器，包括：基于前陶瓷基体11的陶瓷波导滤波模块，以及基于后陶瓷基体12的陶瓷腔体滤波模块；前陶瓷基体11、后陶瓷基体12采用两种微波低损耗介质陶瓷分别制备，该两种微波低损耗介质陶瓷都为高介电常数陶瓷材料；前陶瓷基体11位于后陶瓷基体12的前端右半部的前侧，前陶瓷基体11的后端与后陶瓷基体12的前端右半部通过刷银烧结结合起来；前陶瓷基体11的前端中心处开设有中心谐振腔21，中心谐振腔21为向后延伸的盲孔，且中心谐振腔21为深孔；前陶瓷基体11的底端中部前侧设有前端口焊盘31；前陶瓷基体11的后端设有一对前条状耦合窗口41，该对前条状耦合窗口41分设在中心谐振腔21的上下
两侧，且该对前条状耦合窗口41都沿左右方向延伸；后陶瓷基体12前端左半部的中心处开设有左谐振腔22，后陶瓷基体12前端右半部的中心处开设有右谐振腔23，左谐振腔22、右谐振腔23都为向后延伸的通孔；后陶瓷基体12前端还开设有：由左谐振腔22前端开口延伸至右谐振腔23前端开口的耦合槽5；后陶瓷基体12前端的右半部还设有一对后条状耦合窗口42，该对后条状耦合窗口42分设在右谐振腔23的上下两侧，且该对后条状耦合窗口42都沿左右方向延伸；后陶瓷基体12上的后条状耦合窗口42与前陶瓷基体11上的前条状耦合窗口41一一对应，且后条状耦合窗口42与对应的前条状耦合窗口41正对；后陶瓷基体12的底端左半部后侧设有后端口焊盘32；后陶瓷基体12后端中部设有竖向延伸的带状中银层61，带状中银层61位于左谐振腔22后端开口、右谐振腔23后端开口之间；后陶瓷基体12后端左半部设有盖住左谐振腔22后端开口的片状左银层62，片状左银层62位于带状中银层61左侧；后陶瓷基体12后端右半部设有盖住右谐振腔23后端开口的片状右银层63，片状右银层63位于带状中银层61右侧；先在后陶瓷基体12外表面用银全部覆盖形成外银层，再采用激光烧蚀将外银层分隔出片状左银层62、带状中银层61和片状右银层63；后端口焊盘32与片状左银层62耦合；在后陶瓷基体12的后侧设置：罩住片状左银层62、带状中银层61和片状右银层63的屏蔽盒7；屏蔽盒7与后陶瓷基体12固接；屏蔽盒7开设调试用空气窗口8。
[0020]片状左银层62与左谐振腔22配合，通过片状左银层62调整左谐振腔22的谐振频率；右状左银层与右谐振腔23配合，通过右状左银层调整右谐振腔23的谐振频率；带状中银层61为左谐振腔22、右谐振腔23之间的耦合银层；耦合槽5加强左谐振腔22、右谐振腔23之间的耦合；陶瓷波导滤波模块、陶瓷腔体滤波模块通过正对的前条状耦合窗口41、后条状耦合窗口42实现耦合。
[0021]前端口焊盘31、前端口焊盘31分别为组合式带通滤波器的输入输出端口，且输入输出端口位于组合式带通滤波器的同一侧，有利于实本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种组合式带通滤波器，其特征在于，采用两种微波低损耗介质陶瓷分别制备陶瓷波导滤波模块和陶瓷腔体滤波模块；将陶瓷波导滤波模块和陶瓷腔体滤波模块通过刷银烧结结合起来；在陶瓷波导滤波模块和陶瓷腔体滤波模块的相向面上分别设置耦合窗口；在陶瓷波导滤波模块和陶瓷腔体滤波模块上分别设置谐振腔，陶瓷波导滤波模块和陶瓷腔体滤波模块上的谐振腔通过耦合窗口形成CT结构。2.根据权利要求1所述的组合式带通滤波器，其特征在于，两种微波低损耗介质陶瓷都为高介电常数陶瓷材料。3.根据权利要求1所述的组合式带通滤波器，其特征在于，在陶瓷腔体滤波模块上设置用于调整谐振腔谐振频率的谐振频率调整银层。4.根据权利要求3所述的组合式带通滤波器，其特征在于，在陶瓷腔体滤波模块上设置两个谐振腔，每个谐振腔配置...

【专利技术属性】
技术研发人员：李凯，陈国峰，
申请(专利权)人：苏州希拉米科电子科技有限公司，
类型：发明
国别省市：