一种基于交叉耦合增强高频带外抑制的腔体滤波器制造技术

本实用新型专利技术公开的一种基于交叉耦合增强高频带外抑制的腔体滤波器包括腔体和盖板；在腔体上设有第一谐振腔、第二谐振腔、第三谐振腔、第四谐振腔、第五谐振腔以及第六谐振腔；由第一谐振腔、第二谐振腔和第三谐振腔构成第一CT结构，由第四谐振腔、第五谐振腔和第六谐振腔构成第二CT结构；在第一谐振腔内设有第一谐振杆，在第二谐振腔内设有第二谐振杆，在第三谐振腔内设有第三谐振杆，在第四谐振腔内设有第四谐振杆，在第五谐振腔内设有第五谐振杆，在第六谐振腔内设有第六谐振杆；在至少一个不相邻的谐振腔之间设有感性交叉耦合结构。本实用新型专利技术通过设置感性交叉耦合结构增加零点，在加强带外抑制的同时基本不增加滤波器成本。加强带外抑制的同时基本不增加滤波器成本。加强带外抑制的同时基本不增加滤波器成本。

【技术实现步骤摘要】
一种基于交叉耦合增强高频带外抑制的腔体滤波器


[0001]本技术属于通信设备
，尤其涉及一种基于交叉耦合增强高频带外抑制的X波段腔体滤波器。

技术介绍

[0002]随着通讯技术的不断发展，现代微波通讯手段的高速进步，在微波通信、微波导航、卫星通信和军事电子战等方面对滤波器的要求越来越高。在当今世界频谱资源变得更加珍贵而且不断变拥挤的情况下，能够灵活合理利用频带资源就显得异常重要，这对滤波器的适用频率有着一定的要求。在各种电磁信号充斥的今天，如何在通信系统中尽可能使所需信号衰减最小，增强带外抑制使其它无用信号尽可能衰减成为一个有意义的方向。
[0003]普通的腔体滤波器结构加工完成后，由于实物结构难以改变，因此带外抑制基本确定，此时需要调节带外抑制只能对调谐螺杆进行调节，通过牺牲带宽或产生中频偏移来达到提高带外抑制的目的，且可以调节的空间十分有限。高频或低频是相对于通带而言，高于通带频率则为高频，低于通带频率则为低频。

技术实现思路

[0004]本技术的目的在于提供一种基于交叉耦合增强高频带外抑制的腔体滤波器，采用对称设置的两个CT结构，在不相邻的谐振腔之间增加感性交叉耦合结构以增加零点，使带外抑制可以在偏离通带高频的频点大大增加，无需改变腔体滤波器的外形尺寸，且零点位置可以按需调节，在需要增加带外抑制的频点加强带外抑制的同时基本不会增加滤波器的成本。
[0005]本技术是通过如下的技术方案来解决上述技术问题的：一种基于交叉耦合增强高频带外抑制的腔体滤波器，包括腔体以及设于所述腔体上的盖板；其特征是：
[0006]在所述腔体上设有第一谐振腔、第二谐振腔、第三谐振腔、第四谐振腔、第五谐振腔以及第六谐振腔；由所述第一谐振腔、第二谐振腔和第三谐振腔构成第一CT结构，由所述第四谐振腔、第五谐振腔和第六谐振腔构成第二CT结构；所述第一CT结构与第二CT结构对称设置；所述第一谐振腔与所述第二谐振腔相邻，所述第二谐振腔与所述第三谐振腔相邻，所述第三谐振腔与所述第四谐振腔相邻，所述第四谐振腔与所述第五谐振腔相邻，所述第五谐振腔与所述第六谐振腔相邻；
[0007]在所述第一谐振腔内设有第一谐振杆，在所述第二谐振腔内设有第二谐振杆，在所述第三谐振腔内设有第三谐振杆，在所述第四谐振腔内设有第四谐振杆，在所述第五谐振腔内设有第五谐振杆，在所述第六谐振腔内设有第六谐振杆；
[0008]在至少一个不相邻的谐振腔之间设有感性交叉耦合结构。
[0009]进一步地，在所述第一谐振腔与第三谐振腔之间设有所述感性交叉耦合结构。
[0010]进一步地，在所述第四谐振腔与第六谐振腔之间设有所述感性交叉耦合结构。
[0011]进一步地，在所述第一谐振腔与第三谐振腔之间、所述第四谐振腔与第六谐振腔
之间均设有所述感性交叉耦合结构。
[0012]进一步地，所述感性交叉耦合结构包括用于连通两谐振腔的第一耦合窗口、以及安装于所述第一耦合窗口上方的盖板上的第一耦合螺杆，所述第一耦合螺杆靠近或远离所述第一耦合窗口实现耦合强度微调。
[0013]进一步地，所述腔体滤波器还包括多个谐振螺杆和多个第二耦合螺杆，每个所述谐振螺杆分别穿过所述盖板并靠近或远离对应的谐振杆以实现调谐；每个所述第二耦合螺杆分别穿过所述盖板并靠近或远离对应的连通相邻谐振腔的第二耦合窗口。
[0014]进一步地，所述腔体滤波器还包括第一输入输出组件和第二输入输出组件，所述第一输入输出组件与所述第一谐振腔耦接，所述第二输入输出组件与所述第六谐振腔耦接。
[0015]进一步地，所述第一输入输出组件和第二输入输出组件均包括射频连接器和抽头，所述射频连接器与所述抽头对接，所述抽头与谐振腔耦接。
[0016]进一步地，所述第一谐振腔、第二谐振腔、第三谐振腔、第四谐振腔、第五谐振腔以及第六谐振腔均为球形谐振腔。
[0017]进一步地，所述腔体滤波器的长宽高为41.5mm
×
23mm
×
14mm。
[0018]有益效果
[0019]与现有技术相比，本技术的优点在于：
[0020]本技术所提供的一种基于交叉耦合增强高频带外抑制的腔体滤波器，采用对称设置的两个CT结构，在不相邻的谐振腔之间增加感性交叉耦合结构以增加零点，使带外抑制可以在偏离通带高频的频点大大增加，无需改变腔体滤波器的外形尺寸，且零点位置可以按需调节，在需要增加带外抑制的频点加强带外抑制的同时基本不会增加滤波器的成本。
附图说明
[0021]为了更清楚地说明本技术的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本技术的一个实施例，对于本领域普通技术人员来说，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0022]图1是本技术实施例中腔体滤波器的结构示意图；
[0023]图2是本技术实施例中腔体滤波器的装配图；
[0024]图3是本技术实施例中CT结构的耦合拓扑结构图；
[0025]图4是本技术实施例中CT结构的感性耦合拓扑结构的相位特性；
[0026]图5是本技术实施例中CT结构的容性耦合拓扑结构的相位特性；
[0027]图6是本技术实施例中中心频率为9.4GHz的波形图。
[0028]其中，1
‑
腔体，11
‑
第一谐振腔，111
‑
第一谐振杆，12
‑
第二谐振腔，121
‑
第二谐振杆，13
‑
第三谐振腔，131
‑
第三谐振杆，14
‑
第四谐振腔，141
‑
第四谐振杆，15
‑
第五谐振腔，151
‑
第五谐振杆，16
‑
第六谐振腔，161
‑
第六谐振杆，2
‑
介质块，3
‑
镀银铜丝，4
‑
盖板，5
‑
沉头螺丝，6
‑
调谐螺母，71
‑
谐振螺杆，72
‑
第二耦合螺杆，8
‑
射频连接器，9
‑
抽头，10
‑
盘头螺钉。
具体实施方式
[0029]下面结合本技术实施例中的附图，对本技术中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。
[0030]下面以具体地实施例对本申请的技术方案进行详细说明。下面这几个具体的实施例可以相互结合，对于相同或相似的概念或过程可能在某些实施例不再赘述。
[003本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种基于交叉耦合增强高频带外抑制的腔体滤波器，包括腔体以及设于所述腔体上的盖板；其特征在于：在所述腔体上设有第一谐振腔、第二谐振腔、第三谐振腔、第四谐振腔、第五谐振腔以及第六谐振腔；由所述第一谐振腔、第二谐振腔和第三谐振腔构成第一CT结构，由所述第四谐振腔、第五谐振腔和第六谐振腔构成第二CT结构；所述第一CT结构与第二CT结构对称设置；所述第一谐振腔与所述第二谐振腔相邻，所述第二谐振腔与所述第三谐振腔相邻，所述第三谐振腔与所述第四谐振腔相邻，所述第四谐振腔与所述第五谐振腔相邻，所述第五谐振腔与所述第六谐振腔相邻；在所述第一谐振腔内设有第一谐振杆，在所述第二谐振腔内设有第二谐振杆，在所述第三谐振腔内设有第三谐振杆，在所述第四谐振腔内设有第四谐振杆，在所述第五谐振腔内设有第五谐振杆，在所述第六谐振腔内设有第六谐振杆；在至少一个不相邻的谐振腔之间设有感性交叉耦合结构。2.如权利要求1所述的腔体滤波器，其特征在于：在所述第一谐振腔与第三谐振腔之间设有所述感性交叉耦合结构。3.如权利要求1所述的腔体滤波器，其特征在于：在所述第四谐振腔与第六谐振腔之间设有所述感性交叉耦合结构。4.如权利要求1所述的腔体滤波器，其特征在于：在所述第一谐振腔与第三谐振腔之间、所述第四谐振腔与第六谐振腔之间均设有所述感性交叉耦合结构。5.如权利要求1...

【专利技术属性】
技术研发人员：周鑫龙，李兆明，寸怀诚，
申请(专利权)人：湖南宜通华盛科技有限公司，
类型：新型
国别省市：