低温共烧陶瓷双工器制造技术

本发明专利技术公开了一种低温共烧陶瓷双工器，其采用介质损耗小于0.001、介电常数为40的陶瓷基体，且低通带滤波结构采用2阶的设计，在带外形成2个传输零点，可达到带外高抑制的要求；且双工器整体尺寸小，可达到小型化、大批量生产的目的。的目的。的目的。

【技术实现步骤摘要】
低温共烧陶瓷双工器


[0001]本专利技术涉及低温共烧陶瓷双工器。

技术介绍

[0002]双工器（异频双工电台）是中继台的主要配件，双工器可将发射和接收讯号相隔离，进而使接收、发射互不影响分别正常工作。双工器的实际应用，要求其低通带滤波结构（即低频通带滤波器）能带外高抑制，还要求整个双工器能小型化。

技术实现思路

[0003]本专利技术提供一种低温共烧陶瓷双工器，采用介质损耗小于0.001、介电常数为40的陶瓷基体，且低通带滤波结构采用2阶的设计，在带外形成2个传输零点，达到带外高抑制。
[0004]优选的，在陶瓷基体外侧壁上设置第一接地端口、公共端口、第二接地端口、高频带通输出端口、第三接地端口和低频段输出端口。
[0005]优选的，在陶瓷基体内部设置用于分离出低频段信号的低通带滤波结构，使低通带滤波结构位于公共端口与低频段输出端口之间。
[0006]优选的，所述低通带滤波结构包括：靠近公共端口的第一电容结构；靠近低频段输出端口的第三电容结构；靠近第二接地端口的第四电容结构；靠近第一接地端口的第五电容结构；位于第四电容结构和高频带通输出端口之间的第一电感结构；位于第一电感结构上方的第二电感结构；靠近第三接地端口的第四电感结构；位于第一电容结构和第四电感结构之间的第二电容结构；以及位于第三电容结构和第五电容结构之间的第三电感结构。
[0007]优选的，使第一电容结构作为低频的输入电容；使第三电容结构作为低频的输出电容；使第一电感结构与第四电容结构形成一个传输极点；使第三电感结构与第五电容结构形成低通带的另一个传输极点。
[0008]优选的，使高频带通输出端口、第三接地端口和低频段输出端口位于陶瓷基体的同一侧，且使第三接地端口位于高频带通输出端口和低频段输出端口之间。
[0009]优选的，使第一接地端口位于低频段输出端口对侧，且使第一接地端口与低频段输出端口正对。
[0010]优选的，使公共端口位于第三接地端口对侧，且使公共端口与第三接地端口正对.优选的，使第二接地端口位于高频带通输出端口对侧，且使第二接地端口与高频带通输出端口正对。
[0011]优选的，整体尺寸为1.6mm
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0.8mm
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0.6mm。
[0012]本专利技术的优点和有益效果在于：提供一种低温共烧陶瓷双工器，其低通带滤波结构采用2阶的设计，在带外形成2个传输零点，可达到带外高抑制的要求；且双工器整体尺寸小，可达到小型化、大批量生产的目的。
附图说明
[0013]图1是本专利技术双工器的低通带滤波结构的等效电路图；图2是本专利技术双工器的封装示意图；图3和图4是本专利技术双工器的低通带滤波结构示图。
具体实施方式
[0014]下面结合附图和实施例，对本专利技术的具体实施方式作进一步描述。以下实施例仅用于更加清楚地说明本专利技术的技术方案，而不能以此来限制本专利技术的保护范围。
[0015]本专利技术提供一种小型化低温共烧陶瓷双工器，如图2至图4所示，包括整体尺寸为1.6mm
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0.8mm
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0.6mm、介质损耗小于0.001、介电常数为40的陶瓷基体100；在陶瓷基体100外侧壁上设置：第一接地端口P1、公共端口P2、第二接地端口P3、高频带通输出端口P4、第三接地端口P5、低频段输出端口P6；在陶瓷基体100内部设置由上至下依次设置的六个电路层：第一电路层至第六电路层；并形成：用于分离出低频段信号的低通带滤波结构（即低频通带滤波器），用于分离出高频段带通信号的高通带滤波结构（即高频通带滤波器）；具体的：使第一接地端口P1位于低频段输出端口P6对侧，且使第一接地端口P1与低频段输出端口P6正对且对称设置；使公共端口P2位于第三接地端口P5对侧，且使公共端口P2与第三接地端口P5正对且对称设置；使第二接地端口P3位于高频带通输出端口P4对侧，且使第二接地端口P3与高频带通输出端口P4正对且对称设置；使高频带通输出端口P4、第三接地端口P5和低频段输出端口P6位于陶瓷基体100的同一侧，且使第三接地端口P5位于高频带通输出端口P4和低频段输出端口P6之间；使低通带滤波结构位于公共端口P2与低频段输出端口P6之间；使高通带滤波结构位于公共端口P2与高频带通输出端口P4之间；且使低通带滤波结构位于高通带滤波结构下方；本专利技术双工器的低通带滤波结构包括五个电容结构和四个电感结构：1）靠近公共端口P2的第一电容结构11，2）靠近低频段输出端口P6的第三电容结构13，3）靠近第二接地端口P3的第四电容结构14，4）靠近第一接地端口P1的第五电容结构15，5）位于第四电容结构14和高频带通输出端口P4之间的第一电感结构21，6）位于第一电感结构21上方的第二电感结构22，7）靠近第三接地端口P5的第四电感结构24，
8）位于第一电容结构11和第四电感结构24之间的第二电容结构12，9）位于第三电容结构13和第五电容结构15之间的第三电感结构23；本专利技术双工器的低通带滤波结构的等效电路图如图1所示，电路图中包括五个电容和四个电感；具体的，所述五个电容分别为：主要由第一电容结构11构成的第一电容C1，主要由第二电容结构12构成的第二电容C2，主要由第三电容结构13构成的第三电容C3，主要由第四电容结构14构成的第四电容C4，以及主要由第五电容结构15构成的第五电容C5；所述四个电容分别为：主要由第一电感结构21构成的第一电感L1，主要由第二电感结构22构成的第二电感L2，主要由第三电感结构23构成的第三电感L3，以及主要由第四电感结构24构成的第四电感L4；电路中：第一电容C1作为低频的输入电容；第三电容C3作为低频的输出电容；第一电感L1与第四电容C4形成一个传输极点；第三电感L3与第五电容C5形成低通带的另一个传输极点；本专利技术双工器的低通带滤波结构（即低频通带滤波器）采用2阶的设计，在带外形成2个传输零点，可达到带外高抑制的要求；更具体的：用于构成的第一电容C1的第一电容结构11，其包括：位于第五电路层的第一电容基片301，位于第三电路层的第二电容基片302；且第一电容基片301、第二电容基片302都与公共端口P2电连接；用于构成的第二电容C2的第二电容结构12，其包括：位于第四电路层的第三电容基片303，位于第三电路层的第四电容基片304；用于构成的第三电容C3的第三电容结构13，其包括：位于第五电路层的第五电容基片305，位于第四电路层的第六电容基片306，位于第三电路层的第七电容基片307，位于第二电路层的第八电容基片308，位于第一电路层的第九电容基片309；且第五电容基片305、第七电容基片307、第九电容基片309都与低频段输出端口P6电连接；用于构成的第四电容C4的第四电容结构14，其包括：位于第五电路层的第十电容基片310；用于构成的第五电容C5的第五电容结构15，其包括：位于第六电路层的第十一电容基片311，位于第五电路层的第十二电容基片312，位于第四电路层的第十三电容基片313，位于第三电路层的第十四电容基片314本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.低温共烧陶瓷双工器，其特征在于，采用介质损耗小于0.001、介电常数为40的陶瓷基体，且低通带滤波结构采用2阶的设计，在带外形成2个传输零点，达到带外高抑制。2.根据权利要求1所述的低温共烧陶瓷双工器，其特征在于，在陶瓷基体外侧壁上设置第一接地端口、公共端口、第二接地端口、高频带通输出端口、第三接地端口和低频段输出端口。3.根据权利要求2所述的低温共烧陶瓷双工器，其特征在于，在陶瓷基体内部设置用于分离出低频段信号的低通带滤波结构，使低通带滤波结构位于公共端口与低频段输出端口之间。4.根据权利要求3所述的低温共烧陶瓷双工器，其特征在于，所述低通带滤波结构包括：靠近公共端口的第一电容结构；靠近低频段输出端口的第三电容结构；靠近第二接地端口的第四电容结构；靠近第一接地端口的第五电容结构；位于第四电容结构和高频带通输出端口之间的第一电感结构；位于第一电感结构上方的第二电感结构；靠近第三接地端口的第四电感结构；位于第一电容结构和第四电感结构之间的第二电容结构；以及位于第三电容结构和第五电容结构之间的第三电感结构。5.根据权利要求4所述的低...

【专利技术属性】
技术研发人员：李凯，
申请(专利权)人：苏州希拉米科电子科技有限公司，
类型：发明
国别省市：