一种复合陶瓷波导滤波器制造技术

本实用新型专利技术涉及一种复合陶瓷波导滤波器，包含由低介电常数材料制成的第一陶瓷介质块、由高介电常数材料制成的第二陶瓷介质块；所述第一陶瓷介质块和第二陶瓷介质块结构相同，通过烧结一体成型；所述第一陶瓷介质块和第二陶瓷介质块的表面均涂覆有导电材料；本实用新型专利技术通过结合两种高低介电常数的陶瓷介质块，能增加附银的面积，中合高低介电常数的Q值，比同种低介电常数材料同体积的Q值提高20％，为通信技术发展的小型化和低损耗等方便提供了巨大突破。突破。突破。

【技术实现步骤摘要】
一种复合陶瓷波导滤波器


[0001]本技术涉及陶瓷波导滤波器
，特指一种复合陶瓷波导滤波器。

技术介绍

[0002]随着通信技术的飞速发展,传统的金属滤波器已无法满足5G通信系统小型化、低成本的要求，从而衍生出介质波导滤波器；目前的介质波导滤波器通常是以单一介电常数的材料为基底，难以满足在进一步缩小尺寸的基础上提高Q值的要求，使得通信技术的发展得到限制；虽然市场上也出现了能提高Q值的滤波器，如现有技术202010174421.1公开的一种高Q值小型化介质波导滤波器，包括：由具有第一介电常数的材料制成的屏蔽盒，所述屏蔽盒内形成有屏蔽腔；以及，设置在所述屏蔽盒内、由具有第二介电常数的材料制成的降频组件，所述第二介电常数大于所述第一介电常数，但体积较大，导致使用受限。

技术实现思路

[0003]本技术目的是为了克服现有技术的不足而提供一种复合陶瓷波导滤波器。
[0004]为达到上述目的，本技术采用的技术方案是：一种复合陶瓷波导滤波器，包含由低介电常数材料制成的第一陶瓷介质块、由高介电常数材料制成的第二陶瓷介质块；所述第一陶瓷介质块和第二陶瓷介质块结构相同，通过烧结一体成型；所述第一陶瓷介质块和第二陶瓷介质块的表面均涂覆有导电材料。
[0005]优选的，所述第一陶瓷介质块的Qf值为51000～55000。
[0006]优选的，所述第二陶瓷介质块的Qf值为83000
‑
100000。
[0007]优选的，所述第二陶瓷介质块的介电常数是第一陶瓷介质块的介电常数的1.5
‑
2.5倍。
[0008]优选的，所述第一陶瓷介质块与第二陶瓷介质块的厚度比为1:1。
[0009]优选的，所述导电材料为金属银层。
[0010]由于上述技术方案的运用，本技术与现有技术相比具有下列优点：
[0011]本技术通过结合两种高低介电常数的陶瓷介质块，能增加附银的面积，中合高低介电常数的Q值，比同种低介电常数材料同体积的Q值提高20％，为通信技术发展的小型化和低损耗等方便提供了巨大突破。
附图说明
[0012]下面结合附图对本技术技术方案作进一步说明：
[0013]附图1为本技术所述的复合陶瓷波导滤波器的结构示意图；
[0014]附图2为本技术所述的复合陶瓷波导滤波器的电特性曲线图。
[0015]其中：1、第一陶瓷介质块；2、第二陶瓷介质块。
具体实施方式
[0016]下面结合附图及具体实施例对本技术作进一步的详细说明。
[0017]附图1为本技术所述的复合陶瓷波导滤波器，包含由低介电常数材料制成的第一陶瓷介质块1、由高介电常数材料制成的第二陶瓷介质块2；所述第一陶瓷介质块1和第二陶瓷介质块2结构相同，通过烧结一体成型；所述第一陶瓷介质块1和第二陶瓷介质块2的表面均涂覆有金属银层；所述第一陶瓷介质块1的介电常数为20，Qf值为53000；所述第二陶瓷介质块2的介电常数为40，Qf值为83000；所述第一陶瓷介质块1与第二陶瓷介质块2的厚度比为1:1。
[0018]本技术通过结合两种高低介电常数的陶瓷介质块，能增加附银的面积，中合高低介电常数的Q值，比同种低介电常数材料同体积的Q值提高20％，为通信技术发展的小型化和低损耗等方便提供了巨大突破。
[0019]图2为本实施例中的复合陶瓷波导滤波器的电特性曲线图，可以看出本实施例中的复合陶瓷波导滤波器具有较好的隔离特性及谐波特性，抗干扰能力强。
[0020]以上仅是本技术的具体应用范例，对本技术的保护范围不构成任何限制。凡采用等同变换或者等效替换而形成的技术方案，均落在本技术权利保护范围之内。
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种复合陶瓷波导滤波器，其特征在于：包含由低介电常数材料制成的第一陶瓷介质块、由高介电常数材料制成的第二陶瓷介质块；所述第一陶瓷介质块和第二陶瓷介质块结构相同，通过烧结一体成型；所述第一陶瓷介质块和第二陶瓷介质块的表面均涂覆有导电材料。2.根据权利要求1所述的复合陶瓷波导滤波器，其特征在于：所述第一陶瓷介质块的Qf值为51000～55000。3.根据权利要求1所述的复合陶瓷波导滤波器，其特征在于：所述第二陶瓷介质块的Qf值为83000...

【专利技术属性】
技术研发人员：吴奎，
申请(专利权)人：苏州艾福电子通讯股份有限公司，
类型：新型
国别省市：