一种光电探测器及其制作方法技术

本申请提供一种光电探测器及其制作方法，包括：在ITO玻璃衬底上制备胶体量子点薄膜；将制备好的胶体量子点薄膜倒扣于基底上，然后在背离胶体量子点薄膜的ITO玻璃衬底上施加设定的压力；通过加热装置对胶体量子点薄膜进行预设时长的均匀加温，以减小胶体量子点间间距。在本申请中，通过热压法，减小硫化铅胶体量子点间间距，可以提高迁移率，进而降低响应时间，提高响应速率，提高光电探测器的性能。提高光电探测器的性能。提高光电探测器的性能。

【技术实现步骤摘要】
一种光电探测器及其制作方法


[0001]本申请涉及半导体领域，具体为一种光电探测器及其制作方法。

技术介绍

[0002]响应时间反应了光电探测器对于瞬态信号的反应速度，是评价光电探测器性能的一个重要指标。在激光雷达、飞行时间传感器(TOF)、光通信等应用领域，对于光电探测器的响应时间要求极高，一般在纳秒及以下。响应时间越快，脉冲信号间的串扰也就更小，最终成像的帧率也就越高。硫化铅胶体量子点是一种新型的短波红外光敏材料，其具有以下几个独特优势：(1)由于量子限域效应，硫化铅胶体量子点的吸收峰随量子点尺寸的增大而红移，可覆盖整个短波红外波段(2500nm)；(2)可于低温条件下直接在CMOS上旋涂或打印硫化铅胶体量子点薄膜，无需与基底晶格匹配，避免了复杂的倒装或键合工艺；(3)已报道的硫化铅胶体量子点器件比探测率(D
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)已超过10
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Jones，表现出优异的红外光探测性能；(4)硫化铅胶体量子点薄膜中载流子扩散距离短，像元间横向串扰小，易于实现大面阵和高分辨成像。综上，基于硫化铅胶体量子点的CMOS短波红外成本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种光电探测器的制作方法，其特征在于，包括：在ITO玻璃衬底上制备胶体量子点薄膜；将制备好的胶体量子点薄膜倒扣于基底上，然后在背离胶体量子点薄膜的ITO玻璃衬底上施加设定的压力；通过加热装置对胶体量子点薄膜进行预设时长的均匀加温，以减小胶体量子点间间距。2.如权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述设定的压力为30000pa～35000pa。3.如权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述预设时长为1.5h～2.5h；所述加热装置的均匀加热温度为110℃～130℃。4.如权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述在ITO玻璃衬底上制备胶体量子点薄膜包括：配置混合卤素配体溶液；将卤素配体溶液和初始量子点溶液混合进行液相配体交换，得到配体交换溶液；通过正辛烷对配体交换溶液进行清洗；对清洗后的配体交换溶液进行离心操作，得到沉淀物；将沉淀物与正丁胺溶液进行混合，得到目标量子点溶液；将目标量子点溶液旋涂到ITO玻璃衬底上，形成胶体量子点薄膜。5.如权利要求4所述的制作方法，其特征...

【专利技术属性】
技术研发人员：高亮，杨骏睿，鲁帅成，唐江，
申请(专利权)人：华中科技大学，
类型：发明
国别省市：