【技术实现步骤摘要】
一种各向异性纳米晶混合稀土永磁体及其制备方法
[0001]本专利技术属于稀土永磁材料
,特别是涉及解决各向异性热变形磁体在晶界扩散过程中,热处理后会出现磁体纳米晶异常长大,表面扩散而内部不均匀等问题,从而导致纳米晶磁体扩散效果不佳。
技术介绍
[0002]自1983年钕铁硼永磁材料被专利技术以来,由于其具有非常优异的剩余磁感应强度、内禀矫顽力和最大磁能积而被广泛应用于微电子元器件、节能电梯、风力发电等众多领域。目前,用量大的传统烧结钕铁硼永磁材料,由于过程复杂,生产周期长而导致成本较高。经过探索发现,通过热压热变形工艺可以简单、快速、近终成型地制备出成本较低的各向异性纳米晶钕铁硼永磁材料。为了更进一步提高纳米晶磁体的磁性能,采取晶界扩散工艺。一般晶界扩散适用于,在垂直于C轴的传统烧结微米晶磁体表面涂敷、填埋粉末或合金带等方式进行。此种热变形磁体晶界扩散方式最大的缺点在于,热处理的过程温度较高且时间较长,而纳米晶热变形磁体的晶粒对温度十分敏感,因此容易发生纳米晶的异常长大,且涂敷、填埋等方法会使得磁体扩散不均匀,最终导致磁体的磁性能下降。专利CN 108766703 A、专利CN 112992521 A、专利CN 112216464 A、专利CN 112430800 A以及专利CN 112725751 A都公开采用磁控溅射镀膜的方法制备各向异性磁体,但其使用的初始磁体是传统烧结微米晶磁体,有别于本申请专利的基体。本申请专利采用各向同性磁体作为扩散的前驱体,镀膜后的前驱体,再进行热变形,同时在温度和形变力的驱动下, ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种各向异性纳米晶混合稀土永磁体,其特征在于,所述永磁体的化学式按质量百分比为(HRe1‑
x
LRe
x
)
y
Fe
100
‑
y
‑
z
‑
a
M
z
B
a
,HRe为中重稀土元素,如Dy、Tb、Ho、Y、Tm、Yb等的一种或几种;LRe为轻稀土元素,如La、Ce、Pr等的一种或几种,M是微量添加元素,如Co、Ga、Cu、Al、Zr中的一种或几种,B为硼元素,0≤x≤0.03,27≤y≤31,0≤z≤5,0.98≤a≤1.04;合金薄膜的化学式按质量分数为Re
100
‑
w
M
w
合金膜,其中Re为Pr、Nd、Dy、Tb中的一种或几种,M为Cu、Ga、Al中的一种或几种,20≤w≤80。2.一种制备权利要求1所述的混合稀土永磁体的方法,其特征在于,具体步骤如下:(1)按照权利要求1所述的永磁体质量百分比的组成分子式进行配料;在高真空熔炼设备中充入高纯Ar进行防氧化保护,将原料反复熔炼4~5次得到合金铸锭;(2)将铸锭机械破碎成细小均匀的颗粒,装入下端具有小孔(直径为0.5mm)的石英管中,通过高真空快淬甩带设备中的感应线圈加热至熔融状态,按下喷气按钮,以20~45m/s的速度将其甩成平均厚度范围为0.2~0.5mm且塑性变形能力较好的快淬薄带;(3)除去形状不规则的快淬带后,将其进行研磨、过筛;(4)10~30g快淬磁粉取出备用,装入一般石墨模具中,机械压压实,使磁粉之间的间隙减小,然后再将模具放入放电等离子烧结设备的两极之间,以温度为400~750℃,压力为20~60MPa,保温时间为2~8min的工艺条件将磁粉迅速热压致密化得到各向同性热压磁体;(5)使用超声或气吹扫的方式,清除上述磁体表面脏污,然后,使用磁控溅射镀膜技术在磁体上下表面镀上一层Re
100
‑
w
M
w
合金膜,所用靶材分别为高纯Re靶(99.9...
【专利技术属性】
技术研发人员:余效强,周望,李春吉,刘欣,刘潇,吴建德,李家节,
申请(专利权)人:江西理工大学,
类型:发明
国别省市:
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