一种LID通用型高度测量治具制造技术

本实用新型专利技术公开了一种LID通用型高度测量治具，包括测量底座，所述测量底座上通过可拆卸组件设置滑轨，且在可拆卸组件的作用下，所述滑轨在测量底座上的位置可调节，在所述滑轨上滑动设置滑座，所述滑座内设置支撑组件，且所述支撑组件的支撑柱沿竖直方向设置，且所述支撑柱的顶部支撑待测试芯片。通过使用此治具可兼容95％以上的各类LID测试；通过滑轨快速移动和测量底座之间的扇形移动来进行调节，节省调节所需时间；预留支撑柱调节间隙，确保有效管控测量治具自身的精度；从原有的调节螺丝松紧来移动改为滑轨移动，提高精度减少使用过程中的磨损。程中的磨损。程中的磨损。

【技术实现步骤摘要】
一种LID通用型高度测量治具


[0001]本技术涉及芯片的测试设备领域，尤其涉及一种LID通用型高度测量治具。

技术介绍

[0002]随着国内芯片行业的崛起，各家芯片设计生产制造企业开始研发各种类型的芯片，随之而来的是各种芯片测试治具孕育而生，芯片可靠性测试的要求不同，老化治具的设计结构也不经相同，各种体积和形状的都随之出现，在这其中，有一种测试光致衰退效应，英文全称：light
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induced degradation，简称LID测试。
[0003]通常所说的LID，也就是光致衰减，其衰减速度很快，在几天内就可以达到饱和。对于LID衰减的研究非常充分，其产生机制也得到一致认可，主要是硅材料内的硼氧缺陷对[5,6]。因为晶体生长方法的差异，单晶硅材料内间隙氧含量远高于多晶，从而LID衰减也远高于多晶。
[0004]在实际测试中，对于LID测试治具的高度调试带来了困难，各种形状的LID无法全部顺利的摆放在平台上，如果单独针对某一个或者几个型号的LID分别设计一个供摆放的平台，又会导致成本的增加，且使用规范和操作过本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种LID通用型高度测量治具，其特征在于，包括：测量底座；滑轨，所述滑轨通过可拆卸组件设置在测量底座上，且在可拆卸组件的作用下，所述滑轨在测量底座上的位置可调节；滑座，所述滑座滑动设置在滑轨上；支撑组件，所述支撑组件设置在滑座内，且所述支撑组件的支撑柱沿竖直方向设置，且所述支撑柱的顶部支撑待测试芯片。2.根据权利要求1所述的一种LID通用型高度测量治具，其特征在于：所述滑轨设置四个，且每个所述滑轨上均设置滑座，且所述滑座内均设置支撑组件。3.根据权利要求1所述的一种LID通用型高度测量治具，其特征在于：所述可拆卸组件包括第一连接孔和第二连接孔，所述第一连接孔设置在测量底座上，所述第二连接孔设置在滑轨上，且第一连接孔和第二连接孔之间通过连接螺钉进行连接。4.根据权利要求3所述的一种LID通用型高度测量治具，其特征在于：所述第二连接孔设置多个，且沿滑轨的长度方向呈等间距设置，同时所述第一连接孔设置至少两个，且第一连接孔的间距是相邻的第二连接孔...

【专利技术属性】
技术研发人员：李贤华，张玲飞，王强，丁宁，金永斌，朱伟，贺涛，
申请(专利权)人：法特迪精密科技苏州有限公司，
类型：新型
国别省市：