一种超支三维结构碳酸钙晶须及其制备方法及应用技术

本发明专利技术涉及无机填料领域，具体公开了一种超支三维结构碳酸钙晶须及其制备方法及应用，一种超支三维结构碳酸钙晶须的制备方法，包括以下步骤：步骤1），原料准备，具体包括：步骤1

【技术实现步骤摘要】
一种超支三维结构碳酸钙晶须及其制备方法及应用


[0001]本专利技术涉及无机填料领域，尤其是涉及一种超支三维结构碳酸钙晶须及其制备方法。

技术介绍

[0002]碳酸钙晶须是继纳米碳酸钙之后的又一种新型无机填充，无毒，无气味的白色篷松状固体，广泛应用于涂料、塑料、橡胶、混凝土等领域。
[0003]现有的碳酸钙晶须在显微镜下呈针状单晶体，通过针头与物料连接，从而起到补强的效果，使得被补强的物料具有更高的机械性能并且在使用过程中能减振、防滑、降噪、吸波等。
[0004]但是，现有的碳酸钙晶须由于结构为独立的单根针状结晶体结构，单根碳酸钙晶须的直径约为0.5
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2μm，使用碳酸钙晶须作为填料时，每根碳酸钙晶须以单根针状晶体的形态，通过两端的“针头”与物料连接，每根碳酸钙晶须的连接点仅为两处，且每根碳酸钙晶须单独受力，导致补强的效果受到单根针状晶体的强度极限以及与物料的少量连接点产生的连接力所限制，导致在微观局部受力下，单根针状晶体在受到较大作用力时，容易破损或破坏晶体与物料的连接力而与物料分离，导致补强效果较为一般，因本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种超支三维结构碳酸钙晶须，其特征在于：包括晶核，所述晶核表面延伸有若干晶须，若干所述晶须远离晶核的端部相互分离。2.根据权利要求1所述的一种超支三维结构碳酸钙晶须，其特征在于：一个所述晶核上至少延伸有10根晶须。3.根据权利要求1或2所述的一种超支三维结构碳酸钙晶须，其特征在于：所述超支三维结构碳酸钙晶须的最大长度为15
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60μm。4.一种根据权利要求1
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3任一所述的超支三维结构碳酸钙晶须的制备方法，其特征在于：包括以下步骤：步骤1），原料准备，具体包括：步骤1
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1），准备氢氧化钙悬浮液；步骤1
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2），准备晶型控制溶液，具体包括：将晶型控制剂与水混合均匀，制得晶型控制溶液，所述晶型控制剂至少包括镁离子及乙酸根离子；步骤2），将晶型控制溶液加入氢氧化钙悬浮液中，形成混合液，将混合液恒温80
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100℃，通入二氧化碳，反应至混合液的pH值出现下降，过滤，取沉淀物，得碳酸钙晶须；所述步骤1
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1）与步骤1
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2）可同时进行或不分顺序分步进行。5.根据权利要求4所述的一种超支三维结构碳酸钙晶...

【专利技术属性】
技术研发人员：解修强，贺海量，谢关顺，吴振军，张楠，
申请(专利权)人：湖南大学，
类型：发明
国别省市：