一种纳米氮化硅晶须及其制备方法技术

本发明专利技术提供了一种纳米氮化硅晶须及其制备方法，属于氮化硅制备技术领域。本发明专利技术提供了一种氮化硅晶须的制备方法，包括以下步骤：将四氟化硅气体与氨气进行反应，得到纳米氮化硅晶须；所述反应的温度为490℃～670℃。本发明专利技术中四氟化硅与氨气的反应温度远低于常用的氮化硅晶须制备方法中的合成温度—大于1000℃，降低了氮化硅晶须的生长速度，从而得到了直径小的氮化硅晶须。实施例的结果表明，本发明专利技术制得的纳米氮化硅晶须直径在45～110nm之间，并且本发明专利技术的氮化硅晶须材料高温力学性能优异，1000℃时的高温硬度≥29GPa、室温压缩强度≥640MPa，1000℃压缩强度≥610MPa。1000℃压缩强度≥610MPa。

【技术实现步骤摘要】
一种纳米氮化硅晶须及其制备方法


[0001]本专利技术属于氮化硅制备
，具体涉及一种纳米氮化硅晶须及其制备方法。

技术介绍

[0002]氮化硅晶须是一种一维单晶氮化硅材料，具有优良的耐高温、高强度、高模量、低膨胀系数和良好的化学稳定性，广泛应用于金属和陶瓷材料的增强组元。研究发现，当晶须直径小于10μm时，其力学性能急剧增大。
[0003]常用的氮化硅晶须制备方法有直接氮化法、碳热还原和自蔓延法等，但上述方法制备的氮化硅晶须直径均为微米级或亚微米级，难以满足工业化的需要。

技术实现思路

[0004]本专利技术提供了一种纳米氮化硅晶须及其制备方法，本专利技术制备的氮化硅晶须直径为纳米级。
[0005]为了实现上述专利技术目的，本专利技术提供以下技术方案：
[0006]本专利技术提供了一种纳米氮化硅晶须的制备方法，包括以下步骤：
[0007]将四氟化硅气体与氨气进行复分解反应，得到纳米氮化硅晶须；
[0008]所述反应的温度为490℃～670℃。
[0009]优选的，所述四氟化硅本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种纳米氮化硅晶须的制备方法，包括以下步骤：将四氟化硅气体与氨气进行复分解反应，得到纳米氮化硅晶须；所述反应的温度为490℃～670℃。2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述四氟化硅气体与氨气的摩尔比为3：(4.3～5.7)。3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述复分解反应为循环反应。4.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于，所述四氟化硅气体与氨气每个循环周期内反应的时间为1.2～1.8s。5.根据权利要求3或4所述的制备方法，其特征在于，所述四氟化硅气体与氨气的总循环速度为0.08～0.12m3/s，循环次数为6～11次。6.根据权利要求1所述的制备方...

【专利技术属性】
技术研发人员：董洪峰，卫学玲，艾桃桃，李文虎，袁新强，
申请(专利权)人：陕西理工大学，
类型：发明
国别省市：