一种α半水硫酸钙晶须的制备方法技术

本发明专利技术公开了一种α半水硫酸钙晶须的制备方法，属于材料工程技术领域。该制备方法包括以下步骤：将二水硫酸钙晶须进行蒸压，二水硫酸钙晶须在具有水的蒸压容器中位于水面上方。通过直接对二水硫酸钙晶须进行蒸压以制备α半水硫酸钙晶须，能够较目前从溶液逐步长成晶须的方法提高α半水硫酸钙晶须的制备效率，降低成本。降低成本。降低成本。

【技术实现步骤摘要】
一种
α
半水硫酸钙晶须的制备方法


[0001]本专利技术涉及材料工程
，具体而言，涉及一种α半水硫酸钙晶须的制备方法。

技术介绍

[0002]α半水硫酸钙晶须由粗大的、致密的、完整的原生颗粒组成，具有较高的强度，与低强度的β半水石膏晶须相比，在工程上具有更加广泛的应用价值。目前实验室和工程中采用水热法等制备方法制备α半水硫酸钙晶须，效率较低，成本较高。
[0003]鉴于此，特提出本专利技术。

技术实现思路

[0004]本专利技术的目的在于提供一种α半水硫酸钙晶须的制备方法，该方法能够提高α半水硫酸钙晶须的制备效率，降低成本。
[0005]本专利技术是这样实现的：
[0006]本申请提供一种α半水硫酸钙晶须的制备方法，包括以下步骤：将二水硫酸钙晶须进行蒸压，二水硫酸钙晶须在具有水的蒸压容器中位于水面上方。
[0007]在可选的实施方式中，二水硫酸钙晶须在具有水的蒸压容器中距离水面的距离为8-30mm。
[0008]在可选的实施方式中，蒸压的温度为120-140℃。...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种α半水硫酸钙晶须的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：将二水硫酸钙晶须进行蒸压，所述二水硫酸钙晶须在具有水的蒸压容器中位于水面上方；优选地，蒸压的温度为120-140℃，蒸压的压力为0.2MPa-0.36MPa。2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述二水硫酸钙晶须在具有水的蒸压容器中距离水面的距离为8-30mm。3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，蒸压的时间为1.5-5h。4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述蒸压容器中水的体积为所述蒸压容器容积的2-5％。5.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述蒸压容器的距离水面8-30mm处设有放料件；优选地，所述放料件设有通孔；优选地，所述通孔的孔径为1-2mm。6.根据权利要求1-5任一项所述的制备方法，其特征在于，所述二水硫...

【专利技术属性】
技术研发人员：王梦嘉，杨宏玉，刘婷，岳国昌，刘锦云，鲁云，金应荣，冯宁博，
申请(专利权)人：西华大学，
类型：发明
国别省市：