一种晶圆曝光方法技术

本发明专利技术公开了一种晶圆曝光方法，其中，所述晶圆曝光方法包括：获取待曝光晶圆，所述待曝光晶圆表面上具有图像光刻胶和多余光刻胶；遮挡所述待曝光晶圆的第一部分以及保留所述待曝光晶圆的第二部分，得到第一晶圆，其中，所述第一部分包括所述图像光刻胶的区域，所述第二部分均为所述多余光刻胶的区域；对所述第一晶圆进行曝光，得到第二晶圆；若所述第二晶圆中所述第一部分的光刻胶还包括部分所述多余光刻胶，将所述第二晶圆作为新的待曝光晶圆，重复执行遮挡所述待曝光晶圆的第一部分以及保留所述待曝光晶圆的第二部分的步骤，直到所述多余光刻胶全部被曝光，得到曝光晶圆。通过上述方式，本发明专利技术减少了曝光时长，降低了曝光成本。成本。成本。

【技术实现步骤摘要】
一种晶圆曝光方法


[0001]本专利技术涉及半导体
，具体涉及一种晶圆曝光方法。

技术介绍

[0002]晶圆曝光是晶圆显影过程中很重要的操作，晶圆曝光的目的在于清除初始晶圆中多余的光刻胶。多余的光刻胶是指初始晶圆在转换为成品晶圆中不需要的光刻胶，清除这些多余光刻胶的具体步骤为将晶圆中多余的光刻胶进行曝光，之后再将曝光后的图像放入显影液中，这时被曝光的光刻胶就会溶解在显影液里。
[0003]现有的晶圆曝光方式，通常是使用刻蚀的方法对晶圆中多余的光刻胶曝光，或者是通过至少两种光刻版对晶圆中多余的光刻胶曝光。但这两种曝光方法均成本高、耗时长。

技术实现思路

[0004]为解决上述问题，提出了本专利技术实施例的晶圆曝光方法，所述晶圆曝光方法包括：
[0005]获取待曝光晶圆，所述待曝光晶圆表面上具有图像光刻胶和多余光刻胶；
[0006]遮挡所述待曝光晶圆的第一部分以及保留所述待曝光晶圆的第二部分，得到第一晶圆，其中，所述第一部分包括所述图像光刻胶的区域，所述第二部分均为所述多余光刻胶的区域；
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种晶圆曝光方法，其特征在于，所述晶圆曝光方法包括：获取待曝光晶圆，所述待曝光晶圆表面上具有图像光刻胶和多余光刻胶；遮挡所述待曝光晶圆的第一部分以及保留所述待曝光晶圆的第二部分，得到第一晶圆，其中，所述第一部分包括所述图像光刻胶的区域，所述第二部分均为所述多余光刻胶的区域；对所述第一晶圆进行曝光，得到第二晶圆；若所述第二晶圆中所述第一部分的光刻胶还包括部分所述多余光刻胶，将所述第二晶圆作为新的待曝光晶圆，重复执行遮挡所述待曝光晶圆的第一部分以及保留所述待曝光晶圆的第二部分的步骤，直到所述多余光刻胶全部被曝光，得到曝光晶圆。2.根据权利要求1所述的晶圆曝光方法，其特征在于，在所述得到第二晶圆之后，还包括：判断所述第二晶圆中所述第一部分的光刻胶中是否包括部分所述多余光刻胶。3.根据权利要求1所述的晶圆曝光方法，其特征在于，在对所述第一晶圆进行曝光，得到第二晶圆之后，还包括：对所述第二晶圆进行显影，得到半曝光晶圆；将所述半曝光晶圆作为新的待曝光晶圆，重复执行挡所述待曝光晶圆的第一部分以及保留所述待曝光晶圆的第二部分的步骤，...

【专利技术属性】
技术研发人员：满博文，刘宏喜，曹凯华，赵庆松，杨晓伟，任紫溦，
申请(专利权)人：致真存储北京科技有限公司，
类型：发明
国别省市：