一种晶硅异质结太阳电池的迎光面结构制造技术

本发明专利技术涉及晶硅异质结太阳电池技术领域，尤其涉及一种晶硅异质结太阳电池的迎光面结构。本发明专利技术提供了一种晶硅异质结太阳电池的迎光面结构，包括依次层叠设置的晶硅衬底和界面钝化层；在所述界面钝化层的表面进行线状选区设置载流子选择性接触表面场层，未设置载流子选择性接触表面场层的区域设置电学隔离层；所述载流子选择性接触表面场层能够取出所述晶硅衬底中的多子；所述载流子选择性接触表面场层的表面设置透明导电电极层；所述电学隔离层和透明导电电极层的表面设置栅状金属电极；所述栅状金属电极的栅线取向与所述透明导电电极层的线取向相垂直。所述晶硅异质结太阳电池的迎光面结构可以很好的提高晶硅异质结太阳电池的短路电流密度。电池的短路电流密度。电池的短路电流密度。

【技术实现步骤摘要】
一种晶硅异质结太阳电池的迎光面结构


[0001]本专利技术涉及晶硅异质结太阳电池
，尤其涉及一种晶硅异质结太阳电池的迎光面结构。

技术介绍

[0002]太阳能光伏发电是一种潜力巨大的可再生能源利用类型，在世界范围内备受瞩目。光伏发电的核心器件是太阳电池，太阳电池通过半导体光生伏特效应将太阳能转换为电能。目前太阳电池产业仍然由晶硅太阳电池主导，晶硅太阳电池长期占世界太阳电池市场份额的90％以上。但光伏发电成本仍需下降。光伏市场对高效晶硅太阳电池的需求越来越大。
[0003]晶硅异质结太阳电池因其高转换效率而受到市场关注。常规的晶硅异质结太阳电池采用双面电极结构。通常采用P型掺杂的或功函数比较高的载流子选择性接触层取出晶硅衬底中的空穴，采用N型掺杂的或功函数比较低的载流子选择性接触层取出晶硅衬底中的电子。晶硅衬底中含有的空穴和电子，数量较多的一个称为多子，数量较少的另一个称为少子。取出晶硅衬底中的少子的载流子选择性接触层构成太阳电池的发射极，取出晶硅衬底中的多子的载流子选择性接触层构成太阳电池的表面场。在载流子选择性接触层和晶硅衬底之本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种晶硅异质结太阳电池的迎光面结构，其特征在于，包括依次层叠设置的晶硅衬底(1)和界面钝化层(2)；在所述界面钝化层(2)的表面进行线状选区设置载流子选择性接触表面场层(3)，未设置载流子选择性接触表面场层(3)的区域设置电学隔离层(4)；所述载流子选择性接触表面场层(3)能够取出所述晶硅衬底(1)中的多子；所述载流子选择性接触表面场层(3)的表面设置透明导电电极层(5)；所述电学隔离层(4)和透明导电电极层(5)的表面设置栅状金属电极(6)；所述栅状金属电极(6)的栅线取向与所述透明导电电极层(5)的线取向相垂直。2.如权利要求1所述的晶硅异质结太阳电池的迎光面结构，其特征在于，在所述栅状金属电极(6)的栅线间隔区的表面设置光学减反射层(7)。3.如权利要求1或2所述的晶硅异质结太阳电池的迎光面结构，其特征在于，所述晶硅衬底(1)的电阻率为0.4～4Ω
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cm。4.如权利要求1或2所述的晶硅异质结太阳电池的迎光面结构，其特征在于，所述界面钝化层(2)的厚度为1～8nm；所述界面钝化层(2)为硅薄膜层、硅氧薄膜层和硅合金薄膜层中的一种或几种。5.如权利要求1或2所述的晶硅异质结太阳电池的迎光面结构，其特征在于，所述线状选区的线接触区的线宽度≤300μm，相邻两线接触区之间的中心...

【专利技术属性】
技术研发人员：赵雷，王文静，
申请(专利权)人：中国科学院电工研究所，
类型：发明
国别省市：