用于高增益紫外光电探测器的碳化硅超构表面及制备方法技术

本发明专利技术公开了用于高增益紫外光电探测器的碳化硅超构表面及制备方法，包括：绝缘基板；碳化硅层，被设置在绝缘基板表面；碳化硅超构表面，被设置在碳化硅层表面；其中，所述碳化硅超构表面包括纳米柱或纳米孔微结构，所述纳米柱或纳米孔微结构间距相同，并按照四方晶格周期性排列在碳化硅层表面，微结构的材料为碳化硅；减反射覆盖层，被设置在碳化硅超构表面表层，所述减反射覆盖层的材料为二氧化硅。当入射光入射到本发明专利技术超构表面的微结构上时，会与微结构发生耦合，产生宽带吸收效果；在所述超构表面添加30nm减反射二氧化硅覆盖层后，超构表面短波波段内的吸收会进一步提升，并且产生的光电流强度会增加为平面结构产生光电流强度的两倍。度的两倍。度的两倍。

【技术实现步骤摘要】
用于高增益紫外光电探测器的碳化硅超构表面及制备方法


[0001]本专利技术涉及吸收型超构表面
，具体涉及用于高增益紫外光电探测器的碳化硅超构表面及制备方法。

技术介绍

[0002]碳化硅(SiC)作为第三代半导体具有许多优良的特性，包括超高导热性、良好的化学稳定性、较高的强度(耐磨、耐腐蚀、耐高温、硬度高)、高临界磁场、高电子饱和速度等。因此，它适用于高频、高温、高功率、抗辐射的电子器件。此外，碳化硅有一个较宽的带隙，这使得它可以用于制造紫外探测器。碳化硅作为宽带隙材料具有以下优点：碳化硅由于带隙大，受可见光的影响较小，有利于提高紫外光的灵敏度，降低噪声；碳化硅等宽带隙材料大多能制造出小而简单的二维探测器阵列；碳化硅比其他材料性能更稳定。近年来，SiC的应用取得了突破，已应用于新能源汽车和铁路运输等领域。
[0003]由于臭氧层在200
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400nm波长范围内的紫外光有很强的吸收，因此在这个波长范围内工作的紫外探测器需要较高的灵敏度。碳化硅作为一种对紫外线有很高灵敏度的宽带隙材料，在紫外探测器的研究当中具有非常大本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.用于高增益紫外光电探测器的碳化硅超构表面，其特征在于，包括：绝缘基板；碳化硅层，被设置在绝缘基板表面；碳化硅超构表面，被设置在碳化硅层表面；其中，所述碳化硅超构表面包括纳米柱或纳米孔微结构，所述纳米柱或纳米孔微结构间距相同，并按照四方晶格周期性排列在碳化硅层表面，微结构的材料为碳化硅；减反射覆盖层，被设置在碳化硅超构表面表层，所述减反射覆盖层的材料为二氧化硅；电极，被设置在减反射覆盖层表面。2.根据权利要求1所述的用于高增益紫外光电探测器的碳化硅超构表面，其特征在于，所述纳米柱或纳米孔微结构为亚波长微结构，纳米柱微结构的高度与纳米孔微结构的深度相同，纳米柱微结构与纳米孔微结构的横截面均为圆形且大小相等。3.根据权利要求2所述的用于高增益紫外光电探测器的碳化硅超构表面，其特征在于，所述纳米柱或纳米孔微结构的间距为400nm。4.根据权利要求3所述的用于高增益紫外光电探测器的碳化硅超构表面，其特征在于，所述纳米柱与纳米孔微结构的横截面为直径为300nm的圆形。5.根据权利要求4所述的用于高增益紫外光电探测器的碳化硅超构表面，其特征在于，所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：王继成，赵少光，吴晶晶，刘禹，
申请(专利权)人：江南大学，
类型：发明
国别省市：