用于锂电池充电系统的VDMOS芯片及其制备方法技术方案

本发明专利技术公开了用于锂电池充电系统的VDMOS芯片包括衬底、第一外延层、自第一外延层延伸至衬底的沟槽，自第一外延层向沟槽内交错形成第二外延层、第三外延层，第一外延层上位于沟槽两侧的氧化层、位于氧化层之间的开口及位于开口内的多晶硅层，形成在沟槽两侧的第一外延层内与部分氧化层连接的第一注入区、第一外延层内位于第一注入区上的第二注入区、自衬底延伸至沟槽内与第一外延层和第三外延层连接的第三注入区，多晶硅层上与部分第二注入区连接的介质层、第一金属层、第二金属层及第三金属层。本发明专利技术还提供用于锂电池充电系统的VDMOS芯片制备方法，有效确保电池和充电系统免受过温损毁，提升过温反馈速度和锂电池充电系统可靠性。靠性。靠性。

【技术实现步骤摘要】
用于锂电池充电系统的VDMOS芯片及其制备方法


[0001]本专利技术属于半导体芯片
，尤其涉及一种用于锂电池充电系统的VDMOS芯片及其制备方法。

技术介绍

[0002]随着科技的发展，锂电池因为其特别的充放电特性，被广泛地应用于生活、军事等领域。但是因为锂电池在使用上存在着一定的局限性，如充电的时候，如果不对电流进行限制，会造成充电过程中电池过热，甚至会爆炸，对人身安全造成很大威胁，而且锂电池充电温度过高，会加速降低电池的寿命。因此，需要对锂电池的充电进行有效地热控制和热管理，避免锂电池的过热现象的产生。基于以上原因，在锂电池充电系统中必须要安排温度传感器和过温保护电路对充电系统进行温度检测和过温保护。温度传感器可以对系统的温度进行实时的监测，并且将温度信息反馈给过温保护电路，当系统的温度过高时过温保护电路可以及时地对VDMOS进行关断操作，从而防止锂电池因为过温而遭到损毁。常用的充电系统中会将温度检测、过温保护结构直接接入电路中，而过温保护结构需要控制两个VDMOS器件的开启或关闭，但不能准确及时地提取器件的工作环境温度，使得锂电池本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种用于锂电池充电系统的VDMOS芯片，其特征在于，包括：第一导电类型的衬底；形成在所述衬底上的第一导电类型的第一外延层、自所述第一外延层上表面延伸至所述衬底的沟槽，自所述第一外延层上表面向所述沟槽内交错形成第二导电类型的第二外延层、第一导电类型的第三外延层；间隔形成在所述第一外延层上并位于所述沟槽两侧的氧化层、位于所述氧化层之间并与所述第二外延层对应设置的开口、以及形成在所述氧化层上并位于所述开口内的多晶硅层；形成在所述沟槽两侧的第一外延层内并与部分所述氧化层连接的第二导电类型的第一注入区、形成在所述第一外延层内并位于所述第一注入区上与部分所述氧化层连接的第一导电类型的第二注入区、自所述衬底下表面延伸至所述沟槽内与所述第一外延层和所述第三外延层连接的第二导电类型的第三注入区；形成在所述多晶硅层上并与部分所述第二注入区连接的介质层、贯穿所述介质层并位于所述多晶硅层上表面的第一接触孔、位于部分所述第一注入区和部分所述第二注入区上的第二接触孔，形成在所述第一接触孔内的第一金属层、所述第二接触孔内的第二金属层、以及间隔形成在所述衬底下表面并与所述第一金属层和所述第二金属层对应设置的第三金属层。2.根据权利要求1所述的用于锂电池充电系统的VDMOS芯片，其特征在于，所述第一导电类型为N型，所述第二导电类型为P型，所述第二外延层和厚度与所述第三外延层的厚度相同。3.根据权利要求1所述的用于锂电池充电系统的VDMOS芯片，其特征在于，所述第二金属层关于所述第一金属层对称设置，所述第一接触孔的宽度小于所述开口的宽度。4.根据权利要求1所述的用于锂电池充电系统的VDMOS芯片，其特征在于，所述多晶硅层的厚度大于所述氧化层的厚度，所述第一金属层的厚度大于所述介质层的厚度。5.一种用于锂电池充电系统的VDMOS芯片制备方法，其特征在于，包括以下步骤：提供第一导电类型的衬底，在所述衬底上形成第一导电类型的第一外延层；自所述第一外延层上表面延伸至所述衬底进行光刻形成沟槽，自所述第一外延层上表...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈柏良，王方圆，何艳娟，
申请(专利权)人：南通万亨新能源科技有限公司，
类型：发明
国别省市：