温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明公开了用于锂电池充电系统的VDMOS芯片包括衬底、第一外延层、自第一外延层延伸至衬底的沟槽，自第一外延层向沟槽内交错形成第二外延层、第三外延层，第一外延层上位于沟槽两侧的氧化层、位于氧化层之间的开口及位于开口内的多晶硅层，形成在沟槽两...
该专利属于南通万亨新能源科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过南通万亨新能源科技有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。