一种准单片集成氮化镓功率倍增功率放大器制造技术

本实用新型专利技术公开一种准单片集成氮化镓功率倍增功率放大器，包括设置于PCB板上的两个砷化镓HEMT管芯芯片、两个氮化镓FET管芯芯片、直流偏置及控制补偿模块、射频匹配模块、巴伦，所述PCB板设置有钼铜载体，两个所述砷化镓HEMT管芯芯片和两个所述氮化镓FET管芯芯片设置于于所述钼铜载体上。本实用新型专利技术采用钼铜载体作为砷化镓HEMT管芯芯片和氮化镓FET管芯芯片的载体，提高散热能力和接地性能，减少成本，采用砷化镓和氮化镓芯片以替代现有技术中的纯氮化镓技术，由于砷化镓PHEMT管芯芯片的成本远低于氮化镓芯片，使得本实用新型专利技术的成本相对于现有技术更低。对于现有技术更低。对于现有技术更低。

【技术实现步骤摘要】
一种准单片集成氮化镓功率倍增功率放大器


[0001]本技术涉及放大器领域，尤其涉及一种准单片集成氮化镓功率倍增功率放大器。

技术介绍

[0002]GaN(氮化镓)是新一代的宽禁带半导体材料，在高压，高温，高频，高效率等领域都有着明显的优势。作为新一代的宽禁带半导体材料，其禁带宽度几乎是Si的3倍、GaAs(砷化镓)和InP的2倍，临界击穿电场比Si、GaAs大一个数量级，并具有更高的饱和电子迁移率和良好的耐温特性及很高的电流密度。与GaAs基HEMT相比，GaN具有高击穿电压、大电流运输能力，能够提高模块的工作效率、输出功率、EMC等。因此，GaN器件可以在高频下输出很高的功率，其性能远高于Si，SiGe，SiC和GaAs材料。
[0003]氮化镓放大器可以大幅度提升功率放大器的功率和效率。氮化镓的较高的功率密度意味着在更小的尺寸、更少的元件、更小的系统和更轻的重量的条件下，可实现更高的功率，这有助于提供更可靠更高效的系统。另外，氮化镓器件有着更高的输出阻抗，可以使得阻抗匹配和功率组合更轻松，因此可以覆盖更宽的频率范围，大大地提高射频功本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种准单片集成氮化镓功率倍增功率放大器，其特征在于，包括设置于PCB板上的两个砷化镓HEMT管芯芯片、两个氮化镓FET管芯芯片、直流偏置及控制补偿模块、射频匹配模块、巴伦，所述PCB板设置有钼铜载体，两个所述砷化镓HEMT管芯芯片和两个所述氮化镓FET管芯芯片设置于所述钼铜载体上，其中：两个所述砷化镓HEMT管芯芯片采用共源极放大结构，其栅极分别通过金丝键合与输入微带相连，其源极相连后接地，其漏极分别通过金丝键合连接两个所述氮化镓FET管芯芯片的源极；两个所述氮化镓FET管芯芯片采用共栅极放大结构，其漏极分别通过金丝键合与输出微带相连；所述直流偏置及控制补偿模块通过级联电路形式分别与两个所述砷化镓HEMT管芯芯片的栅极...

【专利技术属性】
技术研发人员：吴健，王亚锋，陈耀，吴矗，张周平，蔡慧，
申请(专利权)人：深圳市万和科技股份有限公司，
类型：新型
国别省市：