具有与功率放大器管芯相邻的接地端的放大器模块和系统技术方案

一种放大器模块包括模块基板，所述模块基板具有安装表面、信号传导层、接地层和处于所述安装表面处的接地端垫。散热结构延伸穿过所述模块基板。功率晶体管管芯的接地触点耦合到所述散热结构的表面。包封材料覆盖所述模块基板的所述安装表面和所述功率晶体管管芯，且所述包封材料的表面限定所述放大器模块的接触表面。接地端嵌入于所述包封材料内。所述接地端具有耦合到所述接地端垫的近侧末端和在所述接触表面处暴露的远侧末端。所述接地端通过所述第一接地端垫、所述模块基板的所述接地层和所述散热结构电耦合到所述功率晶体管管芯的所述接地触点。的所述接地触点。的所述接地触点。

【技术实现步骤摘要】
具有与功率放大器管芯相邻的接地端的放大器模块和系统


[0001]本文所描述的主题的实施例大体上涉及放大器模块，且更具体地说，涉及包括功率晶体管管芯的放大器模块。

技术介绍

[0002]无线通信系统采用功率放大器模块来增加射频(RF)信号的功率。功率放大器模块包括模块基板和耦合到所述模块基板的安装表面的放大器电路系统。典型模块基板还可包括处于模块的底表面(即，与模块安装表面相对的表面)上的输入和输出(I/O)端，以及在I/O端与安装表面处的接合垫之间延伸穿过并跨越模块基板的导电信号路由结构。另外的一个或多个接地/散热结构可在安装表面和底表面之间延伸穿过模块基板。
[0003]放大器电路系统通常包括功率晶体管管芯，其包括具有底侧导电接地层的至少一个集成功率晶体管。功率晶体管管芯的底侧导电接地层直接连接到在模块基板的安装表面处暴露的接地/散热结构的表面。除了用于去除功率晶体管管芯的热量，接地/散热结构还可以用于为功率晶体管管芯提供接地参考。
[0004]为了在模块基板与功率晶体管管芯之间传送RF信号，在模块基板的安装表面处的接合垫与功本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种放大器模块，其特征在于，包括：模块基板，其具有安装表面、信号传导层、接地层和处于所述安装表面处的第一接地端垫；散热结构，其延伸穿过所述模块基板，其中所述散热结构具有第一表面和第二表面，其中所述第一表面在所述模块基板的所述安装表面处暴露；功率晶体管管芯，其具有接地触点，其中所述接地触点耦合到所述散热结构的所述第一表面；包封材料，其覆盖所述模块基板的所述安装表面和所述功率晶体管管芯，其中所述包封材料的表面限定所述放大器模块的接触表面；以及第一接地端，其嵌入于所述包封材料内，其中所述第一接地端具有耦合到所述第一接地端垫的近侧末端和在所述接触表面处暴露的远侧末端，且其中所述第一接地端通过所述第一接地端垫、所述模块基板的所述接地层和所述散热结构电耦合到所述功率晶体管管芯的所述接地触点。2.根据权利要求1所述的放大器模块，其特征在于，所述散热结构包括选自金属硬币的导电结构和一组热通孔。3.根据权利要求1所述的放大器模块，其特征在于，所述模块基板的所述接地层接触所述散热结构。4.根据权利要求1所述的放大器模块，其特征在于，所述第一接地端包括导电柱。5.根据权利要求1所述的放大器模块，其特征在于，所述第一接地端包括：内插器端，其包括具有顶表面和底表面的介电主体，以及在所述介电主体的所述顶表面和底表面之间延伸的导电通孔。6.根据权利要求1所述的放大器模块，其特征在于，所述功率晶体管管芯与所述第一接地端之间的距离小于所述功率晶体管管芯的宽度。7.根据权利要求1所述的放大器模块，其特征在于，从所述接地触点穿过所述散热结构、所述接地层、所述第一接地端垫和所述第一接地端的导电路径的电长度小于λ/5。8.根据权利要求1所述的放大器模块，其特征在于：所述模块基板还包括处于所述安装表面处的信号端垫、第二接地端垫和第三接地端垫，其中所述信号端垫通过所述信号传导层电连接到所述功率晶体管管芯的输入和输出中的一个，且所述第二接地端垫和第三接地端垫与所述信号端垫相邻；且所述放大器模块另外包括：信号端，其嵌入于所述包封材料内，其中所述信号端具有耦合到所述信号端垫的近侧末端和在所述接触表面处暴露的远侧末端，第二接地端，其嵌入于所述包封材料内，其中所述第二接地端具有耦合到所述第二接地端垫的近侧末端和在所述接触表面处暴露的远侧末端，以及第三接地端，其嵌入于所述包封材料内，其中所述第三接地端...

【专利技术属性】
技术研发人员：杰弗里，
申请(专利权)人：恩智浦美国有限公司，
类型：发明
国别省市：