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本实用新型公开一种准单片集成氮化镓功率倍增功率放大器，包括设置于PCB板上的两个砷化镓HEMT管芯芯片、两个氮化镓FET管芯芯片、直流偏置及控制补偿模块、射频匹配模块、巴伦，所述PCB板设置有钼铜载体，两个所述砷化镓HEMT管芯芯片和两个所...
该专利属于深圳市万和科技股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过深圳市万和科技股份有限公司授权不得商用。

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