基于Bi-Hemt工艺的宽带双通道收发放大芯片制造技术

本发明专利技术公开了一种基于Bi

【技术实现步骤摘要】
基于Bi
‑
Hemt工艺的宽带双通道收发放大芯片


[0001]本专利技术属于集成电路
，具体涉及一种基于Bi
‑
Hemt工艺的宽带双通道收发放大芯片。

技术介绍

[0002]在微波系统小型化趋势下，往往需要在一颗芯片上集成低噪声放大器LNA和功率放大器PA来完成接收和发射信号的放大切换。目前的收发放大多功能芯片在设计时往往采用同一种类型的晶体管，因此在满足发射通道高功率、高线性输出的同时，很难满足接收通道低噪声的特性。而在宽带电路中，由于增益带宽积的限制和宽带匹配的困难，使实现高增益、高线性输出都极具挑战。

技术实现思路

[0003]本专利技术为了解决上述问题，提出了一种基于Bi
‑
Hemt工艺的宽带双通道收发放大芯片。
[0004]本专利技术的技术方案是：一种基于Bi
‑
Hemt工艺的宽带双通道收发放大芯片，其特征在于，包括第一开关切换网络、新型行波放大网络、新型电流复用放大网络、第一有源偏置网络、第二有源偏置网络和第二开关切换网络；第一开关本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种基于Bi
‑
Hemt工艺的宽带双通道收发放大芯片，其特征在于，包括第一开关切换网络、新型行波放大网络、新型电流复用放大网络、第一有源偏置网络、第二有源偏置网络和第二开关切换网络；所述第一开关切换网络的第一输入端作为宽带双通道收发放大芯片的发射输入端/接收输出端，其第二输入端和新型电流复用放大网络的输出端连接，其输出端和新型行波放大网络的第一输入端连接；所述第二开关切换网络的第一输出端作为宽带双通道收发放大芯片的发射输出端/接收输入端，其第二输出端和新型电流复用放大网络的输入端连接，其输入端和新型行波放大网络的输出端连接；所述第一有源偏置网络的输出端和新型行波放大网络的第二输入端连接；所述第二有源偏置网络的第一输出端和新型行波放大网络的第三输入端连接；所述第二有源偏置网络的第二输出端和新型行波放大网络的第四输入端连接。2.根据权利要求1所述的基于Bi
‑
Hemt工艺的宽带双通道收发放大芯片，其特征在于，所述第一开关切换网络包括电阻Rs1、电阻Rs2、电阻Rs3、电阻Rs4、电容Cs1、微带线TLs1、微带线TLs2、微带线TLs3、开关管Ms1、开关管Ms2、开关管Ms3和开关管Ms4；所述电容Cs1的一端作为第一开关切换网络的第一输入端，其另一端和微带线TLs1的一端连接；所述微带线TLs1的另一端分别与开关管Ms1的漏极和开关管Ms3的漏极连接；所述开关管Ms1的栅极和电阻Rs1的一端连接；所述电阻Rs1的另一端和控制电压Vcon1连接；所述开关管Ms1的源极和开关管Ms2的漏极连接；所述开关管Ms2的栅极和电阻Rs2的一端连接；所述电阻Rs2的另一端和控制电压Vcon1连接；所述开关管Ms2的源极和微带线TLs2的一端连接；所述微带线TLs2的另一端作为第一开关切换网络的输出端；所述开关管Ms3的栅极和电阻Rs3的一端连接；所述电阻Rs3的另一端和控制电压Vcon2连接；所述开关管Ms3的源极和开关管Ms4的漏极连接；所述开关管Ms4的栅极和电阻Rs4的一端连接；所述电阻Rs4的另一端和控制电压Vcon2连接；所述开关管Ms4的源极和微带线TLs3的一端连接；所述微带线TLs3的另一端作为第一开关切换网络的第二输入端。3.根据权利要求1所述的基于Bi
‑
Hemt工艺的宽带双通道收发放大芯片，其特征在于，所述新型行波放大网络包括电阻Rg5、电阻Rg6、接地电阻Rg7、电阻Rt1、电阻Rt2、电阻Rt3、电阻Rt4、电阻Rt5、电阻Rt6、电阻Rt7、电阻Rt8、电阻Rt9、电阻Rt10、电阻Rt11、电阻Rt12、电阻Rt13、电容Ct1、电容Ct2、电容Ct3、电容Ct4、电容Ct5、电容Ct6、电容Ct7、电容Ct8、电容Ct9、电容Ct10、电容Ct11、接地电容Ct12、接地电容Ct13、接地电容Ct14、电容Ct15、电感Lt1、电感Lt2、电感Lt3、电感Lt4、电感Lt5、电感Lt6、电感Lt7、电感Lt8、电感Lt9、电感Lt10、电感Lt11、电感Lt12、电感Lt13、电感Lt14、电感Lt15、电感Lt16、电感Lt17、电感Lt18、电感Lt19、电感Lt20、电感Lt21、电感Lt22、电感Lt23、电感Lt24、微带线TLt1、微带线TLt2、微带线TLt3、微带线TLt4、三极管Ht1、三极管Ht2、三极管Ht3、三极管Ht4、三极管Ht5、三极管Ht6、三极管Ht7、三极管Ht8、三极管Ht9、三极管Ht10、场效应管Mt1、场效应管Mt2、场效应管Mt3、场效应管Mt4和场效应管Mt5；所述电容Ct1的一端作为新型行波放大网络的第一输入端；所述电阻Rt1的一端作为新型行波放大网络的第二输入端，并分别与电阻Rt2的一端、电阻Rt3的一端、电阻Rt4的一端和电阻Rt5的一端连接；所述电阻Rt1的另一端分别与三极管Ht1的基极和电容Ct2的一端连
接；所述三极管Ht1的集电极和电感Lt9的一端连接；所述三极管Ht1的发射极接地；所述三极管Ht2的基极分别与电阻Rt6的一端和电容Ct7的一端连接；所述三极管Ht2的集电极和电感Lt10的一端连接；所述三极管Ht2的发射极接地；所述电感Lt9的另一端分别与电阻Rt12的一端、电感Lt23的一端、电感Lt19的一端和电感Lt10的另一端连接；所述电阻Rt12的另一端和接地电容Ct13连接；所述三极管Ht3的基极分别与电阻Rt2的另一端和电容Ct3的一端连接；所述三极管Ht3的集电极和电感Lt11的一端连接；所述三极管Ht3的发射极接地；所述三极管Ht4的基极分别与电阻Rt7的一端和电容Ct8的一端连接；所述三极管Ht4的集电极和电感Lt12的一端连接；所述三极管Ht4的发射极接地；所述电感Lt11的另一端分别与电感Lt19的另一端、电感Lt20的一端和电感Lt12的另一端连接；所述三极管Ht5的基极分别与电阻Rt3的另一端和电容Ct4的一端连接；所述三极管Ht5的集电极和电感Lt13的一端连接；所述三极管Ht5的发射极接地；所述三极管Ht6的基极分别与电阻Rt8的一端和电容Ct9的一端连接；所述三极管Ht6的集电极和电感Lt14的一端连接；所述三极管Ht6的发射极接地；所述电感Lt13的另一端分别与电感Lt20的另一端、电感Lt21的一端和电感Lt14的另一端连接；所述三极管Ht7的基极分别与电阻Rt4的另一端和电容Ct5的一端连接；所述三极管Ht7的集电极和电感Lt15的一端连接；所述三极管Ht7的发射极接地；所述三极管Ht8的基极分别与电阻Rt9的一端和电容Ct10的一端连接；所述三极管Ht8的集电极和电感Lt16的一端连接；所述三极管Ht8的发射极接地；所述电感Lt15的另一端分别与电感Lt21的另一端、电感Lt22的一端和电感Lt16的另一端连接；所述三极管Ht9的基极分别与电阻Rt5的另一端和电容Ct6的一端连接；所述三极管Ht9的集电极和电感Lt17的一端连接；所述三极管Ht9的发射极接地；所述三极管Ht10的基极分别与电阻Rt10的一端和电容Ct11的一端连接；所述三极管Ht10的集电极和电感Lt18的一端连接；所述三极管Ht10的发射极接地；所述电感Lt17的另一端分别与电感Lt22的另一端、电容Ct15的一端和电感Lt18的另一端连接；所述电感Lt23的另一端分别与电感Lt24的一端、电阻Rt13的一端和新型行波放大网络电源电压VDT连接；所述电阻Rt13的另一端和接地电容Ct14连接；所述场效应管Mt1的栅极分别与电容Ct1的另一端、电阻Rg6的一端和电感Lt1的一端连接；所述场效应管Mt1的漏极分别与电感Lt24的另一端、电容Ct2的另一端、电容Ct7的另一端和电感Lt5的一端连接；所述场效应管Mt1的源极接地；所述场效应管Mt2的栅极分别与电感Lt1的另一端和电感Lt2的一端连接；所述场效应管Mt2的漏极分别与电感Lt5的另一端、电容Ct3的另一端、电容Ct8的另一端和电感Lt6的一端连接；所述场效应管Mt2的源极接地；所述场效应管M...

【专利技术属性】
技术研发人员：叶珍，童伟，邬海峰，胡柳林，王测天，滑育楠，廖学介，刘莹，吴曦，
申请(专利权)人：成都嘉纳海威科技有限责任公司，
类型：发明
国别省市：