【技术实现步骤摘要】
一种基于范德华层状二维材料的力致铁电存储器
[0001]本专利技术涉及铁电存储器
,尤其涉及一种基于范德华层状二维材料的力致铁电存储器。
技术介绍
[0002]纳米铁电薄膜有着优异的铁电性能,它的极化具有电荷密度高和非易失性的特点,使其在非易失性存储器中有着重要的应用。铁电存储器是利用铁电薄膜的铁电效应实现数据存储。铁电效应是指当一个电场被加到铁电体时,中心原子顺着电场的方向在晶体里移动。当原子移动时,它通过一个能量壁垒,从而引起电荷击穿。内部电路感应到电荷击穿并设置存储器。移去电场后,中心原子保持不动,存储器的状态也得以保存。因此,在一个外加电场下,铁电材料的极化特性会发生改变,当这个电场去掉以后,这个信息仍然能够保存。没有外加电场的情况下,极化特性有两种稳定的状态。因此,研究铁电极化(铁电畴)的翻转在实现存储器的读写方面变得必不可少。
[0003]室温超薄铁电体是制备大容量非易失性存储器的关键材料。过去,铁电薄膜主要基于以钙钛矿结构复杂氧化物。然而在制备时,需要考虑与衬底的晶格匹配以及界面工程,且受限于潜在 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种基于范德华层状二维材料的力致铁电存储器,其特征在于,所述范德华层状二维材料为α
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In2Se3纳米片,所述力致铁电存储器包括衬底以及覆盖于所述衬底上的α
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In2Se3纳米片。2.根据权利要求1所述的力致铁电存储器,其特征在于,所述衬底为任意导电材料衬底;优选为镀金的硅衬底。3.根据权利要求1所述的力致铁电存储器,其特征在于,所述α
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In2Se3纳米片为单层α
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In2Se3纳米片。4.根据权利要求1所述的力致铁电存储器,其特征在于,所述α
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In2Se3纳米片的厚度≤80nm,优选为1nm。5.根据权利要求1所述的力致铁电存储器,其特征在于,所述覆盖于衬底上的α
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In2Se3纳米片的制备方法包括以下步骤:将带有α
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