一种基于范德华层状二维材料的力致铁电存储器制造技术

技术编号:34465925 阅读:28 留言:0更新日期:2022-08-10 08:38
本发明专利技术公开了一种基于范德华层状二维材料的力致铁电存储器。力致铁电存储器包括衬底以及覆盖于衬底上的α

【技术实现步骤摘要】
一种基于范德华层状二维材料的力致铁电存储器


[0001]本专利技术涉及铁电存储器
,尤其涉及一种基于范德华层状二维材料的力致铁电存储器。

技术介绍

[0002]纳米铁电薄膜有着优异的铁电性能,它的极化具有电荷密度高和非易失性的特点,使其在非易失性存储器中有着重要的应用。铁电存储器是利用铁电薄膜的铁电效应实现数据存储。铁电效应是指当一个电场被加到铁电体时,中心原子顺着电场的方向在晶体里移动。当原子移动时,它通过一个能量壁垒,从而引起电荷击穿。内部电路感应到电荷击穿并设置存储器。移去电场后,中心原子保持不动,存储器的状态也得以保存。因此,在一个外加电场下,铁电材料的极化特性会发生改变,当这个电场去掉以后,这个信息仍然能够保存。没有外加电场的情况下,极化特性有两种稳定的状态。因此,研究铁电极化(铁电畴)的翻转在实现存储器的读写方面变得必不可少。
[0003]室温超薄铁电体是制备大容量非易失性存储器的关键材料。过去,铁电薄膜主要基于以钙钛矿结构复杂氧化物。然而在制备时,需要考虑与衬底的晶格匹配以及界面工程,且受限于潜在的临界尺寸效应,即在本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种基于范德华层状二维材料的力致铁电存储器,其特征在于,所述范德华层状二维材料为α

In2Se3纳米片,所述力致铁电存储器包括衬底以及覆盖于所述衬底上的α

In2Se3纳米片。2.根据权利要求1所述的力致铁电存储器,其特征在于,所述衬底为任意导电材料衬底;优选为镀金的硅衬底。3.根据权利要求1所述的力致铁电存储器,其特征在于,所述α

In2Se3纳米片为单层α

In2Se3纳米片。4.根据权利要求1所述的力致铁电存储器,其特征在于,所述α

In2Se3纳米片的厚度≤80nm,优选为1nm。5.根据权利要求1所述的力致铁电存储器,其特征在于,所述覆盖于衬底上的α

In2Se3纳米片的制备方法包括以下步骤:将带有α

【专利技术属性】
技术研发人员:邓俊楷杨伟杰
申请(专利权)人:西安交通大学
类型:发明
国别省市:

网友询问留言 已有0条评论
  • 还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。

1