一种铜蚀刻液组合物及其使用方法技术

本发明专利技术提供一种铜蚀刻液组合物及其使用方法。本发明专利技术的铜蚀刻液按重量百分比包括10~20%的双氧水尿素，2~10%的无机酸，1~12%的有机酸，1~8%的无机盐，10~30%的调节剂以及余量水。本发明专利技术的铜蚀刻液具有较高的铜离子负载能力、较好的储存稳定性以及较长的使用寿命的，其蚀刻铜/钼膜层面板后，表面无金属残留、具有较佳的CD

【技术实现步骤摘要】
一种铜蚀刻液组合物及其使用方法


[0001]本专利技术涉及蚀刻液领域，具体涉及一种铜蚀刻液组合物及使用该组合物的蚀刻方法。

技术介绍

[0002]液晶显示装置(LCD，Liquid Crystal Display)包括液晶显示面板及背光模组。通常液晶显示面板包括CF(Color Filter)基板、TFT(Thin Film Transistor)阵列基板、及设于CF基板与TFT阵列基板之间的液晶(LC，Liquid Crystal)。通过给TFT阵列基板供电与否来控制液晶分子改变方向，将背光模组的光线投射到CF基板产生画面。
[0003]TFT
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LCD等微电路在制造时，通过在TFT阵列基板上形成铝、铝合金、铜和铜合金等导电性金属膜或二氧化硅、氮化硅等绝缘膜，并在其上均匀的涂抹光刻胶，然后通过刻有图案的薄膜，进行光照射成像，再用蚀刻液(湿式蚀刻法)或腐蚀性的气体(干式蚀刻法)对未被光刻胶掩盖的金属层或绝缘膜上进行蚀刻，待其形成预期形状后，剥离去除不需要的光刻胶等一系列的光刻工程而完成。
[0004]大型显示器本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种铜蚀刻液，其特征在于，所述铜蚀刻液按重量百分比包括以下组分：10~20%的双氧水尿素，2~10%的无机酸，1~12%的有机酸，1~8%的无机盐，10~30%的调节剂以及余量水。2.根据权利要求1所述的一种铜蚀刻液，其特征在于，所述无机酸选自硝酸、硫酸、雷酸、氢硫酸、氯磺酸、碳酸、硅酸、次氯酸中的一种或至少两种的组合。3.根据权利要求1所述的一种铜蚀刻液，其特征在于，所述无机盐选自氯化铁、氯化铜中的一种或至少两种的组合。4.根据权利要求1所述的一种铜蚀刻液，其特征在于，所述有机酸选自乙酸、丙酸、丁二酸、苹果酸、柠檬酸、肉桂酸、草酸、甘氨酸、苯甲酸、对甲基苯甲酸、邻甲基苯甲酸、对氨基苯甲酸、邻氨基苯甲酸中的一种或至少两种的组合。5.根据权利要求1所述的一种铜蚀刻液，其特征在于，所述调节剂选自对苯二胺、间苯二胺、三乙醇胺、三乙胺、甲基苯磺酸、乙二胺四乙酸、苯基脲、N
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异丙基苄胺、丙二醇、二异丙胺中的一种或至少两种的组合...

【专利技术属性】
技术研发人员：邵振，石玉国，
申请(专利权)人：江苏和达电子科技有限公司，
类型：发明
国别省市：