光电薄膜、微流体芯片和光电薄膜的制备方法技术

本申请实施例提供了一种光电薄膜、微流体芯片和光电薄膜的制备方法，所述光电薄膜包括导电基底层、钙钛矿层和氧化锌层，所述钙钛矿层、所述氧化锌层依次层叠设置于所述导电基底层的表面，所述钙钛矿层的厚度范围为1000nm

【技术实现步骤摘要】
光电薄膜、微流体芯片和光电薄膜的制备方法


[0001]本申请属于光电薄膜材料
，具体地，本申请涉及一种光电薄膜、微流体芯片和光电薄膜的制备方法。

技术介绍

[0002]光电镊是将光镊与介电泳相结合的新型操纵技术，基于介电泳操纵的原理，利用光学电极代替传统的金属蒸镀电极，借助投影设备在光电导薄膜层投射光学图案形成动态光虚拟电极，进一步诱导形成非均匀电场实现对微纳米级物体的操纵，通过可变光学图案灵活地操控大量微小物体，如细胞、病毒及大分子等微米级的微粒。光电镊光操控系统的提出降低了成本，突破了原有限制，拓宽了应用范围。光电镊技术的核心技术之一为光电导薄膜的制备。目前广泛采用的光电导材料有氢化非晶硅材料、酞菁化合物等。
[0003]但当前制备的光电层光电响应效率慢，电导率的亮暗比低，还达不到产品量级的灵敏度。同时光电材料层加工工艺流程复杂，不能达到更低的生产成本以及更普适的工艺条件。

技术实现思路

[0004]本申请实施例的一个目的是提供一种光电薄膜、微流体芯片和光电薄膜的制备方法的新技术方案。/>[0005]根据本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种光电薄膜，应用于光电镊设备，其特征在于，包括：导电基底层(1)、钙钛矿层(2)和氧化锌层(3)，所述钙钛矿层(2)和所述氧化锌层(3)依次层叠设置于所述导电基底层(1)的表面；所述钙钛矿层(2)的厚度范围为1000nm
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2000nm，所述氧化锌层(3)的厚度范围为20nm
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100nm。2.根据权利要求1所述的光电薄膜，其特征在于，所述钙钛矿层(2)的厚度范围为1500nm
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1600nm，所述氧化锌层(3)的厚度范围为50nm
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60m。3.根据权利要求1所述的光电薄膜，其特征在于，还包括特氟龙层(4)，所述特氟龙层(4)设置于所述氧化锌层(3)远离所述钙钛矿层(2)的一侧。4.根据权利要求1所述的光电薄膜，其特征在于，所述钙钛矿层(2)通过反溶剂旋涂工艺设置于所述导电基底层(1)上；所述反溶剂旋涂工艺中的反溶剂包括乙醚、二氯甲烷和丙酮中的至少一种。5.根据权利要求4所述的光电薄膜，其特征在于，所述反溶剂旋涂工艺的旋涂参数中，旋涂转速范围为3000rpm
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5000rpm，旋涂时间范围为10s
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30s。6.根据权利要求4所述的光电薄膜，其特征在于，所述反溶剂旋涂工艺的旋涂液中，包括碘化铅、甲基碘化胺、正溶剂和所述反溶...

【专利技术属性】
技术研发人员：冯林，冯蓬勃，甘淳元，孙玉强，
申请(专利权)人：北航歌尔潍坊智能机器人有限公司，
类型：发明
国别省市：