一种RapidIO交换芯片延时性能测量的方法与装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供了一种RapidIO交换芯片延时性能测量的方法与装置，以RapidIO交换芯片RTL代码作为待测对象DUT；DUT包括数字电路代码和模拟电路代码，所述模拟电路代码包括Serdes模型，用于生成RapidIO协议数据报文作为测试激励，并反应物理模拟电路的实际时序行为；所述数字电路代码在模拟电路代码相应的时钟节拍驱动下在DUT中传输；记录数字电路代码在交换芯片输入口S0_I第一拍数据报文上升沿对应的时间值T1和S1_I第一拍数据的上升沿对应的时间值T2，T2和T1的时间差为RapidIO交换芯片的整个传输通路的延时时间。本发明专利技术所述的RapidIO交换芯片延时性能测量的方法与装置的待测对象由RTL设计代码替代，解决了现有测试仪无法支持RapidIO交换芯片6.25Gbps以上频点延时测试的问题。延时测试的问题。延时测试的问题。

【技术实现步骤摘要】
一种RapidIO交换芯片延时性能测量的方法与装置


[0001]本专利技术属于交换芯片延时性能测试
，尤其是涉及一种RapidIO 交换芯片延时性能测量的方法与装置。

技术介绍

[0002]RapidIO协议是一种高性能嵌入式系统的互连技术，该技术主要作为系统内部互连，支持芯片到芯片和板到板通信，具有高带宽、低延时及高可靠性等优点，广泛应用于航天、航空和军事等领域。
[0003]为了测试RapidIO交换芯片在实际应用中的传输延时性能，需要通过测试仪发送数据包到待测器件，并记录数据包在该器件的传输延时时间。
[0004]目前RapidIO协议6.25Gbps频点及以下的交换延时是通过RapidIO协议测试仪的时间戳功能进行测试，测试仪可以发送和接收的报文进行时间戳标记，根据测试仪对同一报文接收和发送时间戳数值，进行差值计算得到报文在待测器件及传输线路上的延时时间。
[0005]随着RapidIO互连技术的发展，RapidIO交换芯片的系统带宽实现了巨大提升，支持1Gbps到60Gbps的性能水平，给RapidIO协议延时测试仪的使用带来了局限性。
[0006]目前市场上没有RapidIO协议3.0及以上版本的交换芯片延时测试仪，即当前RapdIO交换芯片测试仪器只支持6.25Gbps及以下频点的延时测试。因此无法利用RapidIO协议的标准测试仪进行6.25Gbps以上频点的交换延时测试。

技术实现思路

[0007]有鉴于此，本专利技术旨在提出一种RapidIO交换芯片延时性能测量的方法与装置，以解决利用现有的方法和装置无法进行6.25Gbps以上频点的交换延时测试的问题。
[0008]为达到上述目的，本专利技术的技术方案是这样实现的：
[0009]本专利技术一方面提供了一种RapidIO交换芯片延时性能测量的方法，以 RapidIO交换芯片RTL代码作为待测对象DUT；
[0010]DUT包括数字电路代码和模拟电路代码，所述模拟电路代码包括Serdes 模型，用于生成RapidIO协议数据报文作为测试激励，并反应物理模拟电路的实际时序行为；所述数字电路代码在模拟电路代码相应的时钟节拍驱动下在DUT中传输；
[0011]记录数字电路代码在交换芯片输入口S0_I第一拍数据报文上升沿对应的时间值T1和S1_I第一拍数据的上升沿对应的时间值T2，T2和T1的时间差为RapidIO交换芯片的整个传输通路的延时时间。
[0012]进一步的，所述数字电路代码和模拟电路代码均由Verilog HDL语言编写得到。
[0013]进一步的，该测试方法在EDA仿真环境中执行测试。
[0014]进一步的，DTU包括两个端口，分别为port0端口和port1端口，port0 端口通过Serdes高速通道线连接Serdes模型，port0端口的输出端连接交换芯片输入口S0_I，输入端
连接交换芯片输出口S0_O的输出端，交换芯片输入口S0_I的输出端连接交换芯片输出口S1_O的输入端，交换芯片输出口 S1_O的输出端连接port1端口的输入端，交换芯片输出口S0_O的输入端连接交换芯片输入口S1_I的输出端，交换芯片输入口S1_I的输入端连接port1 端口输出端。
[0015]进一步的，所述port1的另一输出端和输入端通过Serdes高速通道线环回连接。
[0016]本专利技术另一方面提供了一种RapidIO交换芯片延时性能测量的装置，包括：
[0017]所述模拟电路代码模块，用于生成RapidIO协议数据报文作为测试激励，并反应物理模拟电路的实际时序行为；
[0018]所述数字电路代码模块，在模拟电路代码模块相应的时钟节拍驱动下在 DUT中传输；
[0019]时间记录模块，用于记录数字电路代码在交换芯片输入口S0_I第一拍数据报文上升沿对应的时间值T1和S1_I第一拍数据的上升沿对应的时间值 T2；
[0020]延时计算模块，用于计算T2和T1的时间差。
[0021]进一步的，所述模拟电路代码模块包括流量模型平台，所述流量模型平台通过Serdes高速通道线与DUT实现对接。
[0022]进一步的DTU包括两个端口，分别为port0端口和port1端口，port0 端口通过Serdes高速通道线连接Serdes模型，port0端口的输出端连接交换芯片输入口S0_I，输入端连接交换芯片输出口S0_O的输出端，交换芯片输入口S0_I的输出端连接交换芯片输出口S1_O的输入端，交换芯片输出口 S1_O的输出端连接port1端口的输入端，交换芯片输出口S0_O的输入端连接交换芯片输入口S1_I的输出端，交换芯片输入口S1_I的输入端连接port1 端口输出端。
[0023]进一步的所述port1的另一输出端和输入端通过Serdes高速通道线环回连接。
[0024]相对于现有技术，本专利技术所述的RapidIO交换芯片延时性能测量的方法与装置具有以下优势：
[0025](1)本专利技术所述的RapidIO交换芯片延时性能测量的方法与装置的待测对象由RTL设计代码替代，解决了现有测试仪无法支持RapidIO交换芯片 6.25Gbps以上频点延时测试的问题。
[0026](2)本专利技术所述的RapidIO交换芯片延时性能测量的方法与装置测量中发送的数据包格式更加灵活，主要在测试平台中通过代码配置Serdes所支持的RapidIO频点，可通过流量模型灵活生成延时测试的报文激励。
[0027](3)本专利技术所述的RapidIO交换芯片延时性能测量的方法与装置当延时测试结果与设计理论指标值不相符合时，可在仿真波形中追踪代码进行局部定位，并做出相应分析；可采用多次发送数据报文，除去最大值和最小值，平均数值更加接近实际延时结果。
附图说明
[0028]构成本专利技术的一部分的附图用来提供对本专利技术的进一步理解，本专利技术的示意性实施例及其说明用于解释本专利技术，并不构成对本专利技术的不当限定。在附图中：
[0029]图1为本专利技术实施例所述的RapidIO交换芯片延时性能测量的方法与装置原理示意图。
具体实施方式
[0030]需要说明的是，在不冲突的情况下，本专利技术中的实施例及实施例中的特征可以相互组合。
[0031]下面将参考附图并结合实施例来详细说明本专利技术。
[0032]如图1所示，一种RapidIO交换芯片延时性能测量的方法，以RapidIO 交换芯片RTL代码作为待测对象DUT；
[0033]DUT包括数字电路代码和模拟电路代码，所述模拟电路代码包括Serdes 模型，用于生成RapidIO协议数据报文作为测试激励，并反应物理模拟电路的实际时序行为；所述数字电路代码在模拟电路代码相应的时钟节拍驱动下在DUT中传输；
[0034]Serdes模型是从实际模拟电路中抽取而来，能够精确反应Serdes模拟电路中的时序行为。
[0035]记录数字电路本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种RapidIO交换芯片延时性能测量的方法，其特征在于：以RapidIO交换芯片RTL代码作为待测对象DUT；DUT包括数字电路代码和模拟电路代码，所述模拟电路代码包括Serdes模型，用于生成RapidIO协议数据报文作为测试激励，并反应物理模拟电路的实际时序行为；所述数字电路代码在模拟电路代码相应的时钟节拍驱动下在DUT中传输；记录数字电路代码在交换芯片输入口S0_I第一拍数据报文上升沿对应的时间值T1和S1_I第一拍数据的上升沿对应的时间值T2，T2和T1的时间差为RapidIO交换芯片的整个传输通路的延时时间。2.根据权利要求1所述的RapidIO交换芯片延时性能测量的方法，其特征在于：所述数字电路代码和模拟电路代码均由Verilog HDL语言编写得到。3.根据权利要求1所述的RapidIO交换芯片延时性能测量的方法，其特征在于：该测试方法在EDA仿真环境中执行测试。4.根据权利要求1所述的RapidIO交换芯片延时性能测量的方法，其特征在于：DTU包括两个端口，分别为port0端口和port1端口，port0端口通过Serdes高速通道线连接Serdes模型，port0端口的输出端连接交换芯片输入口S0_I，输入端连接交换芯片输出口S0_O的输出端，交换芯片输入口S0_I的输出端连接交换芯片输出口S1_O的输入端，交换芯片输出口S1_O的输出端连接port1端口的输入端，交换芯片输出口S0_O的输入端连接交换芯片输入口S1_I的输出端，交换芯片输入口S1_I的输入端连接port1端口输出端。5.根据权利要求4所述的RapidIO交换芯片延时性能测量的方法与装置，其...

【专利技术属性】
技术研发人员：朱珂，王盼，王永胜，林谦，顾艳伍，赵金萍，储志博，张瑞卿，
申请(专利权)人：井芯微电子技术天津有限公司，
类型：发明
国别省市：