一种可自控温加热的CPU老化装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术涉及一种可自控温加热的CPU老化装置，包含电源模块、时钟模块、自控温加热老化插座及CPU外围功能电路、上电控制单元CPLD。所述CPU外围功能电路包含JTAG接口、启动FLASH、高速接口老化模块、低速接口老化模块，启动FLASH里面装载CPU启动代码及老化中各模块所需运行的代码，CPLD对CPU的上电时序进行控制以满足CPU的启动要求。与常规老化板卡需要放置在老化箱进行老化不同，本实用新型专利技术的老化装置选用了一种新的老化加热方案，老化板卡只需要放置在常温下运行，芯片的高温老化环境由定制的老化插座提供，因此老化板卡的外围器件无需购买昂贵的耐高温芯片，进而达到降本增效的目的。效的目的。效的目的。

【技术实现步骤摘要】
一种可自控温加热的CPU老化装置


[0001]本技术涉及芯片测试
，具体为一种可自控温加热的CPU老化装置。

技术介绍

[0002]根据芯片的测试要求，在芯片筛选阶段必须要进行特定温度下的为期160小时的老化测试，并对老化前后的芯片分别进行规定的电参数测试。常规的芯片老化都是在高温老化箱中进行，对老化电路板及板上的元器件都有严格的耐高温要求。器件要达到150℃甚至以上的耐高温需求，随之而来的就是需要选用特定的耐高温器件，不仅采购周期长且价格较常规器件跃升数倍，如果是特殊作业要求下的元器件，一颗耐高温电容价格达到数十元，一颗耐高温晶振价格可达数百元。对于动辄上百个工位的老化需求，仅仅是耐高温元器件的采购费用都是一笔昂贵的支出。针对这一问题，本技术的老化装置选用了一种新的老化加热方式，老化板卡只需要放置在常温下运行，芯片的高温老化环境由定制的老化插座提供，无需将整个老化板放置在高温老化箱中，因此老化板卡的元器件无需达到150℃甚至以上的耐高温需求，采购费用明显降低数倍甚至数十倍，进而达到降本增效的目的。

技术实现思路

[0003]为此，本技术所要解决的技术问题在于克服现有技术中动辄上百个工位的老化需求方案采购费用较贵，以及方案不够稳定的问题，从而提供一种可自控温加热的CPU老化装置。
[0004]为解决上述技术问题，本技术的一种可自控温加热的CPU老化装置，包括电源模块、时钟模块、自控温加热插座、CPU外围功能电路、上电控制单元CPLD，所述的电源模块、时钟模块设于电路板上，且与自控温加热插座接触的焊盘相连,所述的自控温加热插座内设有CPU封装外壳匹配的插座口，且自控温加热插座内集成有发热块，所述的CPU外围功能电路包含JTAG接口、启动FLASH、高速接口老化模块、低速接口老化模块，CPU外围功能电路均通过电路板与自控温加热插座接触的焊盘相连，所述的上电控制单元CPLD与电源模块互连，控制电源模块的上电时序。
[0005]优选的，所述的电源模块、时钟模块、自控温加热插座及CPU外围功能电路、上电控制单元CPLD均集成安装在一块电路板上。
[0006]优选的，所述的发热块通过热电偶接口连接到外接配套的温控箱，通过温控箱的温控显示屏及操作面板可以设定温度及调温线性指数。
[0007]优选的，所述CPU外围功能电路的JTAG接口采用是标准接口与外部的下载器之间进行通讯连接，且启动FLASH选用S29GL512T型Nor Flash芯片，通过Local Bus总线与CPU进行通讯。
[0008]优选的，所述的高速接口老化模块采用标准的老化设计，且高速接口老化模块的所有输入管脚通过10K电阻连接到固定电平，该电平通常设定为GND；所有的输出管脚通过10K电阻及0.1uF电容连接到GND；使用驱动函数对管脚进行翻转。
[0009]优选的，所述的低速接口老化模块采用接口间互连通讯的老化设计，低速接口老化模块中的UART0与UART1互连，双方协定波特率115200，无校验，1位停止位，进行收发测试；I2C0模块和I2C1模块互连，配置I2C0为主I2C1为从进行读写测试。
[0010]优选的，所述CPLD采用型号为Xilinx公司的XC95144XL，内置标准的JTAG接口，可通过JTAG接口实现在线编程。
[0011]优选的，所述电源模块的供电输入使用标准ATX电源，提供12V、5V、3.3V、5VSB四种电源，在板上通过DCDC电源芯片再转换出CPU需要的核心电压及IO电压，CPLD所需要的3.3VSB由5VSB通过LDO电源芯片输出。
[0012]优选的，所述的时钟模块分为：CPU的系统时钟采用48M有源晶振；PCIE、USB、SATA高速接口的差分时钟输入采用100M的差分晶振；XGMII、SRIO等高速接口的差分时钟输入采用156.25M的差分晶振；千兆网络模块采用25M有源晶振。
[0013]优选的，所述的自控温加热插座输出一端设有老化状态指示灯。
[0014]本技术的上述技术方案相比现有技术具有以下优点：本技术所述的一种可自控温加热的CPU老化装置，可以极大的降低老化装置板上元器件的采购费用，老化板卡只需要放置在常温下运行，芯片的高温老化环境由定制的老化插座提供，因此老化板卡的外围器件无需购买昂贵的耐高温芯片，进而达到降本增效的目的。
附图说明
[0015]为了使本技术的内容更容易被清楚的理解，下面根据本技术的具体实施例并结合附图，对本技术作进一步详细的说明。
[0016]图1为本技术CPU老化装置的系统构架图；
[0017]图2为本技术的CPU的电源模块的拓扑框图；
[0018]图3为本技术的CPU的3V3电源部分的原理图；
[0019]图4为本技术的CPU的高速模块的原理图；
[0020]图5为本技术的CPU的低速模块的原理图；
[0021]图6为本技术的CPU的启动Nor Flash部分的原理图；
[0022]图7为本技术的上电控制单元CPLD部分的原理图。
具体实施方式
[0023]如图1所示，本实施例提供一种可自控温加热的CPU老化装置，其特征在于，包括电源模块、时钟模块、自控温加热插座、CPU外围功能电路、上电控制单元CPLD，所述的电源模块、时钟模块设于电路板上，且与自控温加热插座接触的焊盘相连,所述的自控温加热插座内设有CPU封装外壳匹配的插座口，且自控温加热插座内集成有发热块，发热块接触到CPU封装外壳对其进行加热，所述的CPU外围功能电路包含JTAG(Joint Test Action Group)接口、启动FLASH、高速接口老化模块、低速接口老化模块，CPU外围功能电路均通过电路板与自控温加热插座接触的焊盘相连，所述的上电控制单元CPLD与电源模块互连，控制电源模块的上电时序，对CPU的上电时序进行控制以满足CPU的启动要求。
[0024]所述的电源模块、时钟模块、自控温加热插座及CPU外围功能电路、上电控制单元CPLD均集成安装在一块电路板上，同时一块老化板上集成八个老化工位，可以同时对八个
CPU进行老化。
[0025]所述的发热块通过热电偶接口连接到外接配套的温控箱，通过温控箱的温控显示屏及操作面板可以设定温度及调温线性指数，且最高可提供600℃的高温。同时插座上的风扇可以由温控箱进行PWM智能调速降温，以此来消除CPU工作时产生的额外温度来达到稳定的CPU老化温度。
[0026]所述CPU外围功能电路的JTAG接口采用是标准接口与外部的下载器之间进行通讯连接，且启动FLASH选用S29GL512T型Nor Flash芯片，通过Local Bus总线与CPU进行通讯，在CPU完成上电复位后，运行初始化代码和各模块老化脚本，开始老化运行。
[0027]如图6，本技术中，采用镁光的S29GL512T的Nor Flash，本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种可自控温加热的CPU老化装置，其特征在于，包括电源模块、时钟模块、自控温加热插座、CPU外围功能电路、上电控制单元CPLD，所述的电源模块、时钟模块设于电路板上，且与自控温加热插座接触的焊盘相连,所述的自控温加热插座内设有CPU封装外壳匹配的插座口，且自控温加热插座内集成有发热块，所述的CPU外围功能电路包含JTAG接口、启动FLASH、高速接口老化模块、低速接口老化模块，CPU外围功能电路均通过电路板与自控温加热插座接触的焊盘相连，所述的上电控制单元CPLD与电源模块互连，控制电源模块的上电时序。2.根据权利要求1所述的一种可自控温加热的CPU老化装置，其特征在于：所述的电源模块、时钟模块、自控温加热插座及CPU外围功能电路、上电控制单元CPLD均集成安装在一块电路板上。3.根据权利要求1所述的一种可自控温加热的CPU老化装置，其特征在于：所述的发热块通过热电偶接口连接到外接配套的温控箱，通过温控箱的温控显示屏及操作面板可以设定温度及调温线性指数。4.根据权利要求1所述的一种可自控温加热的CPU老化装置，其特征在于：所述CPU外围功能电路的JTAG接口采用是标准接口与外部的下载器之间进行通讯连接，且启动FLASH选用S29GL512T型Nor Flash芯片，通过Local Bus总线与CPU进行通讯。5.根据权利要求1所述的一种可自控温加热的CPU老化装置，其特征在于：所述的高速接口老化模块采用标准的老化设计，且高速接口老化模块的所有输入管脚通过10K电阻连接到固定电平，该电平通常...

【专利技术属性】
技术研发人员：王婷婷，李文学，孙碧垚，任霞，李开杰，
申请(专利权)人：中电科申泰信息科技有限公司，
类型：新型
国别省市：