发光器件和包括该发光器件的电子设备制造技术

提供了一种发光器件和包括该发光器件的电子设备。所述发光器件包括：第一电极；第二电极，面对第一电极；以及中间层，在第一电极与第二电极之间，并且包括发射层、在第一电极与发射层之间的空穴传输区域以及在发射层与第二电极之间的电子传输区域，其中，空穴传输区域包括依次布置在第一电极与发射层之间的空穴注入层和空穴传输层，第一电极包括铝、包括铝的合金或它们的任何组合，空穴注入层由如在此所描述的第一无机材料组成，并且第一无机材料的逸出功的绝对值大于或等于空穴传输层的HOMO能级的绝对值，并且空穴传输区域不包括p掺杂剂。掺杂剂。掺杂剂。

Light emitting device and electronic device including the same

【技术实现步骤摘要】
发光器件和包括该发光器件的电子设备
[0001]本申请要求于2021年1月28日提交的第10
‑
2021
‑
0012649号韩国专利申请的优先权和权益，该韩国专利申请为了所有目的通过引用包含于此，如同在此充分阐述一样。


[0002]专利技术的实施例总体上涉及一种显示装置，并且更具体地，涉及一种发光器件和包括该发光器件的电子设备。

技术介绍

[0003]发光器件是自发射器件，其具有宽视角、高对比度、短响应时间和在亮度、驱动电压和响应速度方面的优异特性，并且产生全色图像。
[0004]在发光器件中，第一电极位于基底上，空穴传输区域、发射层、电子传输区域和第二电极依次形成在第一电极上。从第一电极注入的空穴通过在发射层内部产生的激子之中对光发射没有贡献的非发光激子传输区域移动到发射层，并且从第二电极注入的电子通过电子传输区域移动到发射层。载流子(诸如空穴和电子)在发射层中复合以产生激子。这些激子从激发态转换到基态，从而产生光。
[0005]在该
技术介绍
部分中公开的上面的信息仅用于理解专利技术构本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种发光器件，所述发光器件包括：第一电极；第二电极，面对所述第一电极；以及中间层，在所述第一电极与所述第二电极之间，并且包括发射层、在所述第一电极与所述发射层之间的空穴传输区域以及在所述发射层与所述第二电极之间的电子传输区域，其中，所述空穴传输区域包括依次布置在所述第一电极与所述发射层之间的空穴注入层和空穴传输层，所述第一电极包括铝、包括铝的合金或它们的任何组合，所述空穴注入层由第一无机材料组成，所述第一无机材料包括In2O3、GeO2、SnO2、MoO
x
、WO
x
、CoO
y
、CuO
y
、NiO
y
或它们的任何组合，其中，2.5≤x≤3.0，0.5≤y≤2.0，所述第一无机材料的逸出功的绝对值大于或等于所述空穴传输层的HOMO能级的绝对值，并且所述空穴传输区域不包括p掺杂剂。2.根据权利要求1所述的发光器件，其中，所述第一电极由铝、包括铝的合金或它们的任何组合组成。3.根据权利要求1所述的发光器件，其中，所述第一电极包括AlNiLa、AlNd、AlNiGeLa、AlCoGeLa或它们的任何组合。4.根据权利要求1所述的发光器件，其中，所述第一无机材料的所述逸出功的所述绝对值为5.15eV或更大。5.根据权利要求1所述的发光器件，其中，所述第一无机材料包括：In2O3；WO3；In2O3、GeO2和SnO2的混合物；其中将SnO2、MoO3和WO3中的至少一种以5wt％或更小的浓度与In2O3掺杂的混合物；或它们的任何组合。6.根据权利要求1所述的发光器件，其中，所述第一电极和所述空穴注入层被共同地干法蚀刻。7.根据权利要求1所述的发光器件，其中，所述空穴传输层的所述HOMO能级的所述绝对值为5.15eV或更小。8.根据权利要求1所述的发光器件，其中，所述空穴传输区域包括由式201表示的化合物、由式202表示的化合物或它们的任何组合：式201式202
其中，在式201和式202中，L
201
至L
204
均彼此独立地为未取代或取代有至少一个R
10a
的C3‑
C
60
碳环基或者未取代或取代有至少一个R
10a
的C1‑
C
60
杂环基，L
205
是*
‑
O
‑
*'、*
‑
S
‑
*'、*
‑
N(Q
201
)
‑
*'、未取代或取代有至少一个R
10a
的C1‑
C
20
亚烷基、未取代或取代有至少一个R
10a
的C2‑
C
20
亚烯基、未取代或取代有至少一个R
10a
的C3‑
C
60
碳环基或者未取代或取代有至少一个R
10a
的C1‑
C
60
杂环基，xa1至xa4均彼此独立地为0至5的整数，xa5是1至10的整数，R
201
至R
204
和Q
201
均彼此独立地为未取代或取代有至少一个R
10a
的C3‑
C
60
碳环基或者未取代或取代有至少一个R
10a
的C1‑
C
60
杂环基，R
201
和R
202
可选地经由单键、未取代或取代有至少一个R
10a
的C1‑
C5亚烷基或者未取代或取代有至少一个R
10a
的C2‑
C5亚烯基彼此连接，以形成未取代或取代有至少一个R
10a
的C8‑
C
60
多环基，R
203
和R
204
可选地经由单键、未取代或取代有至少一个R
10a
的C1‑
C5亚烷基或者未取代或取代有至少一个R
10a
的C2‑
C5亚烯基彼此连接，以形成未取代或取代有至少一个R
10a
的C8‑
C
60
多环基，R
10a
是：氘、
‑
F、
‑
Cl、
‑
Br、
‑
I、羟基、氰基或硝基，均彼此独立地未取代或取代有氘、
‑
F、
‑
Cl、
‑
Br、
‑
I、羟基、氰基、硝基、C3‑
C
60
碳环基、C1‑
C
60
杂环基、C6‑
C
60
芳氧基、C6‑
C
60
芳硫基、
‑
Si(Q
11
)(Q
12
)(Q
13
)、
‑
N(Q
11
)(Q
12
)、
‑
B(Q
11
)(Q
12
)、
‑
C(＝O)(Q
11
)、
‑
S(＝O)2(Q
11
)、
‑
P(＝O)(Q
11
)(Q
12
)或它...

【专利技术属性】
技术研发人员：李在庸，尹锡奎，姜晶玟，金敬植，金炯弼，柳在鎭，赵根昱，
申请(专利权)人：三星显示有限公司，
类型：发明
国别省市：