发光装置及包括所述发光装置的电子设备制造方法及图纸

提供了发光装置和包括所述发光装置的电子设备。所述发光装置包括第一电极，面对所述第一电极的第二电极，以及包括在所述第一电极与所述第二电极之间的发射层和在所述发射层与所述第二电极之间的电子传输区的中间层，其中所述电子传输区包括第一缓冲层和在所述第一缓冲层与所述第二电极之间的第二缓冲层，以及所述第一缓冲层包含含硅的非极性化合物。及所述第一缓冲层包含含硅的非极性化合物。及所述第一缓冲层包含含硅的非极性化合物。

Light emitting device and electronic device including the light emitting device

【技术实现步骤摘要】
发光装置及包括所述发光装置的电子设备
[0001]相关申请的交叉引用
[0002]本申请要求于2021年1月28日向韩国知识产权局提交的第10
‑
2021
‑
0012652号韩国专利申请的优先权和权益，所述韩国专利申请的全部内容通过援引整体并入本文。


[0003]本公开内容涉及发光装置以及包括发光装置的电子设备。

技术介绍

[0004]发光装置中的有机发光装置(OLED)是自发射装置，与本领域中的装置相比，其具有广视角、高对比度、短响应时间，和/或在亮度、驱动电压和/或响应速度方面的适合的(例如，优异的)特性。
[0005]有机发光装置可以包括位于衬底上的第一电极，以及依次堆叠在第一电极上的空穴传输区、发射层、电子传输区和第二电极。由第一电极提供的空穴可以通过空穴传输区朝向发射层移动，并且由第二电极提供的电子可以通过电子传输区朝向发射层移动。诸如空穴和电子的载流子在发射层中复合以产生激子。这些激子从激发态跃迁至基态，从而产生光。

技术实现思路

[0006]根据一个或多于本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.发光装置，包括：第一电极；面对所述第一电极的第二电极；以及包括在所述第一电极与所述第二电极之间的发射层和在所述发射层与所述第二电极之间的电子传输区的中间层，其中所述电子传输区包括第一缓冲层和在所述第一缓冲层与所述第二电极之间的第二缓冲层，以及所述第一缓冲层包含含硅的非极性化合物。2.如权利要求1所述的发光装置，其中所述含硅的非极性化合物由式1
‑
1或式1
‑
2表示：式1
‑
1式1
‑
2其中，在式1
‑
1和式1
‑
2中，L1至L5和L
21
至L
23
各自独立地是单键、未取代的或被至少一个R
20a
取代的C1‑
C
20
亚烷基基团、未取代的或被至少一个R
20a
取代的C2‑
C
20
亚烯基基团、或者未取代的或被至少一个R
20a
取代的二价富π电子的C3‑
C
60
环状基团，a1至a5和a21至a23各自独立地是0至10的整数，R1至R4和R
21
至R
23
各自独立地是未取代的或被至少一个R
20a
取代的C1‑
C
60
烷基基团、未取代的或被至少一个R
20a
取代的C2‑
C
60
烯基基团、未取代的或被至少一个R
20a
取代的C2‑
C
60
炔基基团、未取代的或被至少一个R
20a
取代的C1‑
C
60
烷氧基基团、未取代的或被至少一个R
20a
取代的单价富π电子的C3‑
C
60
环状基团、
‑
C(Q1)(Q2)(Q3)、
‑
B(Q1)(Q2)或
‑
P(Q1)(Q2)，R1和R4任选地经由单键、未取代的或被至少一个R
20a
取代的C1‑
C5亚烷基基团或者未取代的或被至少一个R
20a
取代的C2‑
C5亚烯基基团彼此连接以形成未取代的或被至少一个R
20a
取
代的C8‑
C
60
多环基团，R
21
和R
22
任选地经由单键、未取代的或被至少一个R
20a
取代的C1‑
C5亚烷基基团或者未取代的或被至少一个R
20a
取代的C2‑
C5亚烯基基团彼此连接以形成未取代的或被至少一个R
20a
取代的C8‑
C
60
多环基团，n1是1至10的整数，以及R
20a
是：氘、羟基基团或硝基基团；各自未取代的或者被氘、羟基基团、硝基基团、单价富π电子的C3‑
C
60
环状基团、C6‑
C
60
芳氧基基团、C6‑
C
60
芳硫基基团、
‑
Si(Q
41
)(Q
42
)(Q
43
)、
‑
C(Q
41
)(Q
42
)(Q
43
)、
‑
B(Q
41
)(Q
42
)、
‑
P(Q
41
)(Q
42
)或其任意组合取代的C1‑
C
60
烷基基团、C2‑
C
60
烯基基团、C2‑
C
60
炔基基团或C1‑
C
60
烷氧基基团；各自未取代的或者被氘、羟基基团、硝基基团、C1‑
C
60
烷基基团、C2‑
C
60
烯基基团、C2‑
C
60
炔基基团、C1‑
C
60
烷氧基基团、单价富π电子的C3‑
C
60
环状基团、C6‑
C
60
芳氧基基团、C6‑
C
60
芳硫基基团、
‑
Si(Q
51
)(Q
52
)(Q
53
)、
‑
C(Q
51
)(Q
52
)(Q
53
)、
‑
B(Q
51
)(Q
52
)、
‑
P(Q
51
)(Q
52
)或其任意组合取代的单价富π电子的C3‑
C
60
环状基团、C6‑
C
60
芳氧基基团或C6‑
C
60
芳硫基基团；或者
‑
Si(Q
61
)(Q
62
)(Q
63
)、
‑
C(Q
61
)(Q
62
)(Q
63
)、
‑
B(Q
61
)(Q
62
)或
...

【专利技术属性】
技术研发人员：李允揆，宣轸元，
申请(专利权)人：三星显示有限公司，
类型：发明
国别省市：